芯片間隔維持方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及芯片間隔維持方法，針對借助粘接帶而被支承于環狀框架上的被加工物的分割后的各個芯片，以擴張的狀態來維持芯片間隔。
【背景技術】
[0002]以往，已知有如下的方法:在貼附于粘接帶的被加工物上沿著分割預定線形成改性層、激光加工槽、切削槽等分割起點后，將被加工物分割成各個芯片(例如，參照專利文獻I)。在專利文獻I所描述的分割方法中，對設置于環狀框架的粘接帶進行擴張，由此向沿著分割預定線形成的分割起點施加外力，沿著該強度降低的分割起點將被加工物分割成各個芯片。然而，當解除粘接帶的張力時，粘接帶中產生較大的松弛，有可能導致相鄰的芯片彼此接觸而產生缺損或破損。
[0003]因此，也提出了如下的方法:在維持(固定)著芯片之間的間隔的狀態下，向粘接帶的松弛較大的被加工物的周圍施加熱等外部刺激，來收縮粘接帶的松弛。在該方法中，有可能因粘接帶的材質或厚度而導致外部刺激并沒有充分地收縮松弛、或者沒有收縮松弛。因此，提出了如下方法:通過把持粘接帶的松弛進行熱壓接而在粘接帶中產生張力(例如，參照專利文獻2)。在該專利文獻2所描述的方法中，使得在被加工物的周圍出現的粘接帶的松弛向上方隆起，整周地把持該隆起的部位并且進行熱壓接，來去除粘接帶的松弛。
[0004]專利文獻1:日本特開2007 - 189057號公報
[0005]專利文獻2:日本特開2013 — 239557號公報
[0006]然而，在專利文獻2的方法中，存在如下問題:必須整周地對粘接帶隆起的部位進行壓接，特別是要想從大口徑的被加工物的粘接帶中去除松弛時需要大量的時間。
【發明內容】
[0007]本發明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于，提供一種芯片間隔維持方法，能夠在短時間內可靠地去除擴張后的粘接帶的松弛。
[0008]本發明的芯片間隔維持方法維持使多個芯片的間隔擴張后的狀態，所述多個芯片構成貼附于粘接帶且安裝于環狀框架的被加工物，所述芯片間隔維持方法包括如下步驟:保持步驟，隔著該粘接帶將被加工物載置在能夠吸引保持被加工物的保持臺上，并且利用框架保持單元保持該環狀框架；芯片間隔擴張步驟，在實施了該保持步驟后，使該保持臺與該框架保持單元沿鉛直方向相對移動規定距離，使得該保持臺相對于該框架保持單元向上凸起，來拉伸該粘接帶，由此在該多個芯片之間形成間隔；吸引保持步驟，在實施了該芯片間隔擴張步驟后，在該保持臺上隔著該粘接帶吸引保持被加工物，由此維持相鄰的該芯片間的間隔；以及芯片間隔固定步驟，在開始了該吸引保持步驟后，使該保持臺與該框架保持單元沿鉛直方向相對移動，多次地階段性地解除該保持臺相對于該框架保持單元的該規定距離的向上凸起，按照各階段對被加工物與該環狀框架的內周之間的被拉伸的該粘接帶進行加熱，使得該粘接帶階段性地多次收縮，使相鄰的該芯片間的間隔固定。
[0009]根據該結構，使保持被加工物的保持臺相對于保持環狀框架的框架保持單元向上凸起，由此拉伸粘接帶而在芯片間形成間隔。并且，在被加工物的芯片間維持間隔的狀態下，階段性地解除保持臺的向上凸起，并且在松弛變大前通過加熱逐漸地收縮粘接帶的松弛。由此，在被加工物的芯片間維持著間隔的狀態下，收縮粘接帶的松弛而進行固定，因此不會產生相鄰的芯片之間接觸而缺損或破損的情況。并且，與把持粘接帶的松弛而進行熱壓接的方法相比，能夠在短時間內在粘接帶中產生張力。
[0010]并且，在上述芯片間隔維持方法中，針對設定有交叉的多個分割預定線的被加工物，沿著該分割預定線形成分割起點，在該芯片間隔擴張步驟中，將被加工物分割成多個芯片，并且在芯片之間形成間隔。
[0011]發明效果
[0012]根據本發明，階段性地解除粘接帶的擴張狀態并且通過加熱使粘接帶的松弛收縮，由此能夠在短時間內可靠地去除擴張后的粘接帶的松弛。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。
[0014]圖2是示出本實施方式的保持步驟的一例的圖。
[0015]圖3是示出本實施方式的芯片間隔擴張步驟的一例的圖。
[0016]圖4是示出本實施方式的吸引保持步驟的一例的圖。
[0017]圖5是示出本實施方式的芯片間隔固定步驟的一例的圖。
[0018]標號說明
[0019]1:芯片間隔維持裝置；11:保持臺；12:框架保持單元；41:加熱單元；54:改性層(分割起點)；C:芯片；F:環狀框架；S:松弛；T:粘接帶；W:被加工物。
【具體實施方式】
[0020]以下，對本實施方式的芯片間隔維持裝置進行說明。圖1是本實施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。需要說明的是，本實施方式的芯片間隔維持裝置不限定于圖1所示的結構。芯片間隔維持裝置只要是階段性地解除粘接帶的擴張狀態，并且能夠通過加熱來去除粘接帶的松弛的結構，則可以以任意的方式構成。
[0021]如圖1所示，芯片間隔維持裝置I構成為，通過粘接帶T的帶擴張，將借助粘接帶T被支承于環狀框架F的圓板狀的被加工物W分割成各個芯片。并且，芯片間隔維持裝置I構成為，以維持著芯片間隔的狀態，階段性地解除粘接帶T的張力，通過加熱(熱收縮)來反復去除每次解除張力時產生的松弛。這樣，僅僅對拉伸粘接帶T而大幅松弛的部位進行熱收縮，以維持著被加工物W的分割后的芯片間隔的狀態來進行固定。
[0022]在被加工物W的表面51上設置有格子狀的分割預定線52，在由分割預定線52劃分的各區域上形成有各種器件(未圖示)。在被加工物W的外緣設置有表示結晶方位的切口 53。需要說明的是，被加工物W可以是在硅、砷化鎵等的半導體基板上形成有IC、LSI等器件的半導體晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、藍寶石類的無機材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W以借助粘接帶T被支承于環狀框架F的狀態，被送入芯片間隔維持裝置I。
[0023]并且，在被加工物W的內部沿著分割預定線52形成有作為分割起點的改性層54 (參照圖2)。需要說明的是，改性層54是指如下這樣的區域:在該區域中，因激光的照射而使得被加工物W的內部的密度、折射率、機械強度以及其他物理特性成為與周圍不同的狀態，強度比周圍低。改性層54例如可以是熔融處理區域、裂紋區域、介電擊穿區域、折射率變化區域，也可以是這些區域混雜在一起的區域。并且，在以下的說明中，作為分割起點舉例示出改性層54，但是，對分割起點而言，只要使被加工物W的強度降低而成為分割時的起點即可，例如，也可以是激光加工槽、切削槽、劃線。
[0024]芯片間隔維持裝置I在中央處配置有能夠吸引保持被加工物W的保持臺11，在保持臺11的周圍配置有保持環狀框架F的框架保持單元12。保持臺11在筒狀的外壁部21的上側隔著支承板22 (參照圖2)配置有多孔性的多孔板23。借助該多孔性的多孔板23在保持臺11的上表面形成有吸附被加工物W的保持面24。保持面24通過保持臺11內的通道而與吸引源13 (參照圖2)連接，利用保持面24上產生的負壓來吸引保持被加工物W。
[0025]并且，在從保持面24連接到吸引源13的通道中設置有開閉閥14(參照圖2)，通過開閉閥14來切換保持面24的吸引保持與吸引解除。在保持臺11的外壁部21的上端部、即保持臺11的外周邊緣，整周地設置有多個輥部25。多個輥部25在將被加工物W保持在保持面24上的狀態下，從下側與被加工物W的周圍的粘接帶T轉動接觸。通過使多個輥部25與粘接帶T轉動接觸，來抑制在粘接帶T擴張時在保持臺11的外周邊緣產生的摩擦。
[0026]在框架保持單元12中，利用蓋板32從上方夾住載置臺31上的環狀框架F，在載置臺31上保持環狀框架F。在俯視時，載置臺31是四邊形，在中央處形成有直徑比保持臺11大的圓形開口 33。利用使載置臺31升降的4個升降汽缸34的活塞桿35從下側支承載置臺31的四角。4個升降汽缸34由電動汽缸等構成，通過控制活塞桿35的突出量來升降載置臺31。
[0027]蓋板32形成為下表面開放的箱狀，以便覆蓋載置臺31。在蓋板32的上壁部36的中央處形成有直徑比保持臺11大的圓形開口 37。當將蓋板32覆蓋在載置臺31上時，由蓋板32與載置臺31保持環狀框架F，并且，被加工物W與粘接帶T的一部分從蓋板32的圓形開口 37向上方露出。需要說明的是，蓋板32在覆蓋載置臺31的狀態下，例如借助未圖示的夾持部被固定于載置臺31。
[0028]在蓋板32的上方設置有具有多個加熱單元41的圓板狀的升降板42。升降板42被固定于借助未圖示的電動機等而旋轉的旋轉軸43的下端，且借助未圖示的升降機構沿鉛直方向移動。多個加熱單元41是遠紅外加熱器，被定位于環狀框架F與被加工物W之間的環狀區域。加熱單元41例如點狀地照射不易被金屬材料吸收的峰值在3μπι?25μπι處的波形的遠紅外線，由此能夠抑制裝置各部分的加熱而僅僅對粘接帶T的照射部位適當地進行加熱。
[0029]在這樣的芯片間隔維持裝置I中，框架保持單元12在保持環狀框架F的狀態下下降，從而保持臺11從蓋板32和載置臺31的圓形開口 33、37突出。通過使保持臺11相對于框架保持單元12向上凸起，由此使得粘接帶T沿徑向擴張而將被加工物W分割成各個芯片。并且，當框架保持單元12上升而解除保持臺11的向上凸起時，粘接帶T的張力緩和而在被加工物W的周圍產生松弛。該粘接帶T的松弛通過來自多個加熱單元41的遠紅外線的照射而得以去除。
[0030]在該情況下，當使框架保持單元12—次性上升而解除保持臺11的向上凸起時，粘接帶T的松弛變大而難以通過加熱單元41的加熱來適當地去除松弛。因此，在本實施方式的芯片間隔維持裝置I中，使框架保持單元12分多次地一點點地上升而階段性地解除保持臺11的向上凸起，并且通過加熱單元41的加熱來去除在解除向上凸起的各階段中產生的粘接帶T的松弛。
[0031]以下，參照圖2至圖5，對由芯片間隔維持裝置實現的芯片間隔維持方法