5a上、及半導體層15的側面15c的周圍，而不迂回形成于半導體層15的第二側15b、金屬支柱23、24的周圍、及支持體100的側面。熒光體層30的側面與支持體100的側面(樹脂層25的側面)對齊。
[0083]S卩，實施方式的半導體發光裝置I是被小型化為芯片大小的器件。因此，當例如應用于照明用燈具等時，可提高燈具設計的自由度。
[0084]另外，在不將光提取到外部的安裝面側不多余地形成熒光體層30，從而可謀求降低成本。另外，即便在第一側15a不存在基板，也可以使發光層13的熱經由擴展到第二側15b的ρ側配線層21及η側配線層22向安裝基板側散發，雖然為小型，但散熱性仍優異。
[0085]一般的覆晶安裝是在將LED芯片介隔凸塊等安裝于安裝基板后，以覆蓋芯片整體的方式形成熒光體層。或者，將樹脂底填充在凸塊間。
[0086]相對于此，根據實施方式，在安裝前的狀態下，在ρ側金屬支柱23的周圍及η側金屬支柱24的周圍設置與熒光體層30不同的樹脂層25，從而可對安裝面側賦予適合應力緩和的特性。另外，由于在安裝面側已經設置著樹脂層25，所以無需安裝后的底填充。
[0087]在第一側15a設置使光提取效率、色轉換效率、配光特性等優先的設計層，在安裝面側設置使安裝時的應力緩和、或作為代替基板的支持體的特性優先的層。例如，樹脂層25具有在成為基礎的樹脂中高密度填充著氧化硅粒子等填料的構造，被調整為適于作為支持體的硬度。
[0088]從發光層13向第一側15a放射的光入射至熒光體層30，一部分光激發熒光體31，而獲得例如白色光作為發光層13的光與熒光體31的光的混合光。
[0089]此處，如果在第一側15a上存在基板，那么會產生不入射至熒光體層30而從基板的側面漏出到外部的光。即，從基板的側面漏出發光層13的光中的色調較強的光，而可能導致如下現象等色亂或顏色不均，即，在從上表面觀察熒光體層30的情況下，在外緣側可看到藍色光環。
[0090]相對于此，根據實施方式，由于在第一側15a與突光體層30之間不存在基板,所以可防止因發光層13的光中的色調較強的光從基板側面漏出而導致的色亂或顏色不均。
[0091]進而，根據實施方式，在半導體層15的側面15c，介隔絕緣膜18而設置著金屬膜51。從發光層13朝向半導體層15的側面15c的光被金屬膜51反射,而不漏出到外部。因此，與在第一側15a側不存在基板的特征相互作用，而能夠防止因從半導體發光裝置的側面側漏光而導致的色亂或顏色不均。
[0092]另外，半導體層15是以如下方式設置，S卩，在從第二側15b至第一側15a的方向上例如平行于第一側15a的截面的面積擴大。因此，金屬膜51是以從第二側15b向第一側15a的方向擴展的方式設置。而且，被金屬膜51反射的光朝向第一側15a的方向。由此，可提高半導體發光裝置I的光輸出。
[0093]另外，也可以在半導體層15的側面15c的周圍，使金屬膜51朝向半導體發光裝置的外側延伸。即，在半導體層15的側面15c的周圍，與從第一側15a上伸出的熒光體層30對向地設置著金屬膜51。
[0094]因此，可使半導體發光裝置的端部區域的熒光體31的放射光中朝向支持體100側的光由金屬膜51反射而返回到熒光體層30偵U。
[0095]因此，可防止在半導體發光裝置的端部區域內熒光體31的放射光因被樹脂層25吸收而導致的損耗，從而可提高從熒光體層30側的光提取效率。
[0096]設置在金屬膜51與半導體層15的側面15c之間的絕緣膜18防止金屬膜51所含有的金屬向半導體層15擴散。由此，可防止半導體層15的金屬污染，從而可防止半導體層15的劣化。
[0097]另外，設置在金屬膜51與熒光體層30之間的絕緣膜18、19提高金屬膜51與熒光體層30的基礎樹脂的密接性。
[0098]絕緣膜18及絕緣膜19是例如氧化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁等無機絕緣膜。即，半導體層15的第一側15a、第二側15b、η型層11的側面15c、ρ型層12的側面、及發光層13的側面由無機絕緣膜覆蓋。無機絕緣膜包圍半導體層15，將半導體層15與金屬或水分等阻隔。
[0099]接下來，參照圖4(a)?圖10(b)，對半導體發光裝置的制造方法進行說明。圖4(a)?圖10(b)的各剖視圖對應于圖1所示的截面、即沿著圖3(a)中的A-A'線的截面。
[0100]如圖4(a)所不，例如，利用 MOCVD(metal organic chemical vapor deposit1n,金屬有機氣相沉積)法，在基板10的主面上依次磊晶成長η型層11、發光層13及ρ型層12。
[0101]在半導體層15中，基板10側的面為第一側15a，基板10的相反側的面為第二側15b。
[0102]基板10例如為硅基板。或者，基板10也可以為藍寶石基板。半導體層15例如為含有氮化鎵(GaN)的氮化物半導體層。
[0103]η型層11例如包含設置在基板10的主面上的緩沖層、及設置在緩沖層上的η型GaN層。ρ型層12例如包含設置在發光層13上的ρ形AlGaN層、及設置在該ρ形AlGaN層上的P形GaN層。發光層13具有例如MQW(Multiple Quantum well,多量子井)構造,例如放射在430?470nm的波長范圍內具有峰波長的光。
[0104]圖4(b)表示選擇性地去除P型層12及發光層13后的狀態。例如，利用RIE (Reactive 1n Etching,活性離子蝕刻)法,選擇性地蝕刻P型層12及發光層13,而使η型層11露出。
[0105]接下來，如圖5(a)所示般，選擇性地去除η型層11，而形成槽90。在基板10的主面上，半導體層15通過槽90而被分離成多個。槽90是以例如格子狀圖案形成在基板10上。另外，槽90優選為設置成朝向槽90的底部寬度變窄的形狀。例如，使用等向性的RIE而形成。
[0106]槽90貫通半導體層15而到達至基板10。根據蝕刻條件，也存在如下情況，即，基板10的主面也略微被蝕刻，而使槽90的底面后退到比基板10與半導體層15的界面更靠下方。此外，槽90也可以在形成ρ側電極16及η側電極17后形成。
[0107]如圖5(b)所示，在ρ型層12的表面形成ρ側電極16。另外，在已選擇性地去除P型層12及發光層13的區域的η型層11的表面形成η側電極17。
[0108]形成于積層著發光層13的區域的ρ側電極16包含將發光層13的放射光反射的反射膜。例如，P側電極16含有銀、銀合金、鋁、鋁合金等。另外，為了防止反射膜的硫化、及氧化，P側電極16包含金屬保護膜(障壁金屬)。
[0109]接下來，如圖6(a)所示般，以覆蓋設置在基板10上的構造體的方式形成絕緣膜18。絕緣膜18覆蓋半導體層15的第二側15b、ρ側電極16及η側電極17。另外，絕緣膜18覆蓋半導體層15的與第一側15a連續的側面15c。進而，絕緣膜18也形成在槽90的底面的基板10的表面。
[0110]絕緣膜18例如是利用PECVD法而形成的氧化硅膜或氮化硅膜。絕緣膜18優選為例如于低溫下形成，以便不使P側電極16及η側電極17變質。絕緣膜18的膜密度低于例如利用熱CVD法在高溫下成長的膜。因此，可緩和之后的制造過程中的因晶片的翹曲等而產生的應力。
[0111]例如通過使用抗蝕劑遮罩的濕式蝕刻，如圖6(b)所示般在絕緣膜18形成第一開口 18a與第二開口 18b。第一開口 18a到達至ρ側電極16，第二開口 18b到達至η側電極17的接觸部17c。
[0112]接下來，如圖6 (b)所示，在絕緣膜18的表面、第一開口 18a的內壁(側壁及底面)、及第二開口 18b的內壁(側壁及底面)形成基底金屬膜60。如圖7(a)所示，基底金屬膜60包含鋁膜61、鈦膜62、及銅膜63。基底金屬膜60例如利用濺鍍法而形成。
[0113]接下來，當在基底金屬膜60上選擇性地形成圖7(b)所示的抗蝕劑遮罩91后，利用將基底金屬膜60的銅膜63用作籽晶層的電解鍍銅法，形成ρ側配線層21、n側配線層22及金屬膜51。
[0114]ρ側配線層21也形成于第一開口 18a內，而與ρ側電極16電連接。η側配線層22也形成于第二開口 18b內，而與η側電極17的接觸部17c電連接。
[0115]接下來，在使用例如溶劑或氧等離子體去除抗蝕劑遮罩91后，選擇性地形成圖8(a)所示的抗蝕劑遮罩92。或者，也可以不去除抗蝕劑遮罩91，而形成抗蝕劑遮罩92。
[0116]在形成抗蝕劑遮罩92后，利用將ρ側配線層21及η側配線層22用作籽晶層的電解鍍銅法，形成P側金屬支柱23及η側金屬支柱24。
[0117]ρ側金屬支柱23形成在ρ側配線層21上。利用相同的銅材料使P側配線層21與P側金屬支柱23 —體化。η側金屬支柱24形成在η側配線層22上。利用相同的銅材料使η側配線層22與η側金屬支柱24 —體化。
[0118]抗蝕劑遮罩92是使用例如溶劑或氧等離子體而被去除。在該時點，P側配線層21與η側配線層22經由基底金屬膜60而連接。另外，ρ側配線層21與金屬膜51也經由基底金屬膜60而連接，η側配線層22與金屬膜51也經由基底金屬膜60而連接。
[0119]因此，利用蝕刻去除ρ側配線層21與η側配線層22之間的基底金屬膜60、ρ側配線層21與金屬膜51之間的基底金屬膜60、及η側配線層22與金屬膜51之間的基底金屬膜60。
[0120]由此，如圖8(b)所示，P側配線層21與η側配線層22的電連接、P側配線層21與金屬膜51的