主動元件陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種主動元件陣列基板。
【背景技術】
[0002]隨著顯示器技術不斷的開發，因應未來顯示器的需求包括輕薄、堅固、方便攜帶、易讀取信息及多功能整合等特性，平面顯示器有逐漸取代傳統顯示器的趨勢。結合未來生活情境，對智能生活型態將強調互動與連接、個人化以及取得信息的便利性，平面顯示器的各類產品，如筆記型電腦、監視器、顯示器、電視及電子書等，將會越來越廣泛地出現在你我的身旁。
[0003]在一般平面顯示器中，平坦層的材質多為有機材料，其具有吸水氣的特性，因此水氣會通過平坦層傳輸進入顯示區，而劣化內部的金屬元件。為了克服這個問題，有些制造商會在平坦層中形成溝槽，以避免水氣通過平坦層進入顯示區。然而，由于溝槽與平坦層之間會產生較大的高低差，因此在后續的制造工藝中，有可能會有金屬殘留在平坦層與溝槽的交界處，這些殘留金屬有可能會與其他電子線路產生電性耦合，進而造成電阻電容負載的問題° (Resistance-Capacitance loading ；RC loading)。
[0004]因此，如何有效阻隔水氣進入顯示區，又不影響元件的電性特性，在當前仍有卓越成長空間的平面顯示器產業中，是相當重要的課題之一。
【發明內容】
[0005]本發明的一技術態樣是在提供一種主動元件陣列基板，其在平坦層毗鄰溝槽的至少一側設置截斷結構，藉此截斷可能存在的導體圖案，以避免造成無法忽略的電性問題。
[0006]根據本發明一或多個實施方式，一種主動元件陣列基板包含基板本體、像素電路、平坦層與導體圖案。像素電路位于基板本體上。平坦層位于基板本體上，并與像素電路至少部分重疊。平坦層具有溝槽。溝槽位于基板本體的周邊區并圍繞像素電路。平坦層毗鄰溝槽的至少一側具有截斷結構。導體圖案至少位于部分溝槽中并毗鄰平坦層的該至少一偵牝且導體圖案具有多個不連續的片段，兩相鄰的片段之間存在間隙，此間隙與平坦層的截斷結構相對應。
[0007]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構具有寬度最寬的底部，以及寬度最窄的端部。截斷結構的寬度由底部向端部縮小。
[0008]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構具有寬度最寬的底部，以及寬度最窄的端部。截斷結構從底部到端部的距離，大于或等于底部的寬度的兩倍。
[0009]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構為平坦層的缺口。
[0010]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構為平坦層的凸出結構。
[0011]在本發明一或多個實施方式中，上述的凸出結構連接該溝槽兩側的平坦層，而使得溝槽不連續，并且凸出結構包含至少一孔洞。
[0012]在本發明一或多個實施方式中，上述的溝槽包含多個主孔洞與至少一補強孔洞。主孔洞彼此分開，使得兩相鄰的主孔洞之間存在截斷結構。補強孔洞與主孔洞分開，但至少部分與截斷結構相對，其中凸出結構至少部分介于主孔洞與補強孔洞之間。
[0013]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構具有呈鋸齒狀的側面。
[0014]在本發明一或多個實施方式中，上述的主動元件陣列基板還包含引線。引線電連接像素電路，且至少部分位于平坦層與基板本體之間。上述的引線在基板本體上的正投影，與導體圖案在基板本體上的正投影至少部分重疊。
[0015]在本發明一或多個實施方式中，上述的像素電路包含掃描線、數據線、薄膜晶體管與像素電極。掃描線電連接引線。薄膜晶體管的柵極電連接掃描線。薄膜晶體管的源極電連接數據線。像素電極電連接薄膜晶體管的漏極。
[0016]在本發明一或多個實施方式中，上述的像素電路包含掃描線、數據線、薄膜晶體管與像素電極。數據線電連接引線。薄膜晶體管的柵極電連接掃描線。薄膜晶體管的源極電連接數據線。像素電極電連接薄膜晶體管的漏極。
[0017]在本發明一或多個實施方式中，上述的溝槽位于平坦層中，使得平坦層具有毗鄰溝槽的相對兩側。截斷結構的數量為多個，截斷結構分別位于平坦層毗鄰溝槽的相對兩側。
[0018]根據本發明一或多個實施方式，一種主動元件陣列基板包含基板本體、像素電路與平坦層。基板本體具有顯示區與圍繞顯示區的周邊區。像素電路位于基板本體的顯示區上。平坦層位于基板本體上，并與像素電路至少部分重疊。平坦層具有溝槽，位于基板本體的周邊區并圍繞像素電路。平坦層毗鄰溝槽的至少一側具有截斷結構。截斷結構具有寬度最寬的底部，以及寬度最窄的端部。截斷結構的寬度由底部向端部縮小，且截斷結構從底部到端部的距離，大于或等于底部的寬度的兩倍。
[0019]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構為平坦層的缺口。
[0020]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構為平坦層向溝槽凸出的凸出結構。
[0021]在本發明一或多個實施方式中，上述的截斷結構具有呈鋸齒狀的側面。
[0022]在本發明一或多個實施方式中，上述的溝槽位于平坦層中，使得平坦層具有毗鄰溝槽的相對兩側。截斷結構的數量為多個，截斷結構分別位于平坦層毗鄰溝槽的相對兩側。
[0023]本發明上述實施方式的平坦層在毗鄰溝槽的一側設置截斷結構，因此能夠避免因殘留金屬所導致的電性問題。
【附圖說明】
[0024]圖1繪示依照本發明一實施方式的主動元件陣列基板的俯視圖。
[0025]圖2繪示沿圖1的線段2-2的剖面圖。
[0026]圖3繪示沿圖1的線段3-3的剖面圖。
[0027]圖4繪示圖1的區域4的放大圖。
[0028]圖5繪示依照本發明另一實施方式的主動元件陣列基板的區域4的放大圖。
[0029]圖6繪示依照本發明再一實施方式的主動元件陣列基板的區域4的放大圖。
[0030]圖7繪示圖1的單一像素電路的俯視圖。
[0031]圖8繪示沿圖7的線段8-8的剖面圖。
[0032]圖9繪示依照本發明另一實施方式的主動元件陣列基板的區域4的放大圖。
[0033]圖10繪示依照本發明再一實施方式的主動元件陣列基板的區域4的放大圖。
[0034]符號說明:
[0035]2-2:線段
[0036]3-3:線段
[0037]4:區域
[0038]8-8:線段
[0039]100:主動元件陣列基板
[0040]110:基板本體
[0041]120:像素電路
[0042]122:掃描線
[0043]124:數據線
[0044]126:薄膜晶體管
[0045]128:像素電極
[0046]130:平坦層
[0047]132:溝槽
[0048]133:孔洞
[0049]133M:主孔洞
[0050]133S:補強孔洞
[0051]134:截斷結構
[0052]135:保護層
[0053]136:側面
[0054]138:截斷結構
[0055]140:導體圖案
[0056]142:片段
[0057]150:引線
[0058]160:引線
[0059]170:遮光金屬層
[0060]AR:顯示區
[0061]B:底部
[0062]BW:寬度
[0063]C:通道區
[0064]D:漏極
[0065]E:距離
[0066]G:柵極
[0067]⑶:柵極驅動器
[0068]G1:柵介電層
[0069]PR:周邊區
[0070]S:源極
[0071]SD:源極驅動器
[0072]T:端部
[0073]TH:貫孔
【具體實施方式】
[0074]以下將以圖式揭露本發明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方