半導體裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及利用引線框的半導體裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著近年來的便攜電子設備的小型化，所使用的半導體封裝也需要小型化、薄型化且確保安裝強度的半導體封裝。作為將半導體封裝小型化的對策，已知對襯底安裝面平行引出外部端子的表面安裝型封裝。作為這類封裝有SON (小外型無引腳封裝:SmallOutline Non — Lead Package)、QFN (四邊扁平無引腳封裝:Quad Flat Non — LeadPackage)等。與 DIP (雙列直插式封裝:Dual Inline Package)、SOP (小外型封裝:SmallOutline Package)相比，這些封裝在安裝于襯底時的外部電極較小，因此有襯底安裝后的焊腳形成少、安裝強度弱的特征。另外，這些封裝的制造多采用以沖壓模具或利用蝕刻的加工制作的引線框。引線框的材料一般使用194合金材料或銅合金。
[0003]在采用該引線框的半導體裝置的制造中，向引線框上搭載半導體芯片，以金屬絲電連接半導體芯片和引線框并進行樹脂密封加工，在執行去飛邊處理后，對銅面執行外裝鍍層處理。在外裝鍍層處理后，以既定尺寸從引線框切開半導體裝置。由于這樣在外裝鍍層處理后從引線框切開半導體裝置，所以在外部引線切斷面不形成外裝鍍層被膜。因此在將半導體裝置安裝于襯底時，有焊錫潤濕性差的問題。為了提高以這些條件制作的半導體封裝的安裝強度，并且為了變更外部引線前端部的、平面形狀或截面形狀從而提高襯底安裝后的焊錫潤濕性，提出了容易形成焊腳并提高安裝強度的形狀(例如，參照專利文獻1、2)。
[0004]專利文獻1:日本特開2006 - 19465號公報專利文獻2:日本特開平7 - 45769號公報。
【發明內容】
[0005]然而，在進行半導體裝置的小型化、薄型化的過程中，會要求進一步提高半導體裝置的襯底安裝強度。本發明提供提高了對半導體裝置的襯底的焊錫粘接強度的半導體裝置及其制造方法。
[0006]為了解決上述課題，米用了以下方案。
[0007]首先，一種半導體裝置，包括:密封樹脂，覆蓋承載于引線框的島部(island)上的半導體芯片；以及外部引線，從所述密封樹脂向側面延伸出，所述半導體裝置的特征在于，具備:內部引線，與所述外部引線連接；內部引線吊線，與所述內部引線連接，并從所述密封樹脂延伸出；以及鍍層被膜，設置在所述外部引線整個表面，所述內部引線吊線具有俯視下與所述密封樹脂的外形重疊的第I收縮部(絞<0部)。
[0008]另外，半導體裝置的特征在于，所述內部引線吊線在俯視下在所述密封樹脂內具有第2收縮部。
[0009]另外，半導體裝置的特征在于，在所述第I收縮部設有V凹口。
[0010]另外，半導體裝置的特征在于，在所述第I收縮部與所述第2收縮部之間設有通孔。
[0011]進而，一種半導體裝置的制造方法，其中半導體裝置包括:覆蓋承載于引線框的島部上的半導體芯片的密封樹脂、和從所述密封樹脂向側面延伸出的外部引線，所述半導體裝置的制造方法的特征在于，包括:準備具備所述島部、接近所述島部的內部引線、與所述內部引線連接的內部引線吊線及所述外部引線、以及與所述島部連接的島部吊線，并且在所述內部引線吊線具有第I收縮部的引線框的工序；將所述半導體芯片小片接合、引線接合和樹脂密封的工序；切斷所述外部引線的前端的工序；通過電解鍍在所述外部引線的切斷面形成鍍層被膜的工序；將所述內部引線吊線在所述第I收縮部切斷的工序；以及切斷所述島部吊線的工序。
[0012]另外，如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述內部引線吊線的切斷與島部吊線的切斷之間具有電特性檢查工序。
[0013]依據本發明，由于在將半導體裝置襯底安裝時，在從外部引線的密封樹脂露出的整個面形成厚膜焊錫層，所以能夠在與襯底之間進行牢固的接合。另外，能夠抑制在從引線框切開半導體裝置時因應力對內部引線造成的損傷，能夠可靠地確保與半導體元件電連接的金屬絲的與內部引線的連接并能謀求提高可靠性。
【附圖說明】
[0014]圖1是示出本發明的半導體裝置的實施例的鳥瞰圖；(以外部引線為上方而圖示) 圖2是從本發明的半導體裝置的圖1的A方向觀看的側面圖；(以外部引線為下方而圖示)
圖3是從本發明的半導體裝置的圖1的A方向觀看的外部引線放大圖；
圖4是從本發明的半導體裝置的圖1的B方向觀看的側面圖；
圖5是從本發明的半導體裝置的圖1的B方向觀看的外部引線放大圖；
圖6是說明本發明的半導體裝置的發明的制造方法的圖；
圖7是示出本發明的半導體裝置所使用的引線框的實施例的平面圖；
圖8是示出本發明的半導體裝置的實施例的截面圖。
[0015]標號說明
I引線框；2內部引線；3內部引線吊線；4島部吊線；5外部引線；5a鍍層被膜；6島部；7金屬絲；8膏劑；9半導體芯片；10密封樹脂；11外部引線切斷面；12a第I吊線收縮部；12b第2吊線收縮部；12c吊線收縮V凹口形狀；12d吊線部通孔形狀。
【具體實施方式】
[0016]以下，基于附圖，對本發明進行說明。
[0017]圖1是示出本發明的半導體裝置的第I實施例的鳥瞰圖。在此以外部引線5為上側而進行圖示。外部引線5具有上表面(安裝面)、側面(外部引線切斷面)、與安裝面相對的相反面、以及與安裝面、相反面和外部引線切斷面分別呈直角的面，并且從密封樹脂10延伸出。另外，在大致長方體的半導體裝置的側面，從密封樹脂10露出切斷的內部引線吊線3和島部吊線4的截面。
[0018]圖2是從圖1中的A方向觀看的側面圖。在此以外部引線5為下側而進行圖示，安裝在襯底時的安裝面為本圖的下表面。對外部引線5的周圍設有鍍層被膜5a，襯底安裝側下表面、相反側的上表面、側面及外部引線切斷面11全部被鍍層被膜5a覆蓋。
[0019]圖3是從圖1中的A方向觀看的外部引線放大圖。外部引線周圍全部被鍍層被膜5a覆蓋，形成在襯底安裝側下表面的鍍層被膜5a的下表面，相對密封樹脂主體下表面位于下方。
[0020]圖4是從圖1中的B方向觀看的側面圖。在此以外部引線5為下表面而進行圖示，安裝在襯底時的安裝面為本圖的下表面。對外部引線5的襯底安裝面側下表面、相反側的上表面及外部引線切斷面11從密封樹脂露出，外部引線的露出面全部被鍍層被膜5a覆蓋。
[0021]圖5是從圖1中的B方向觀看的外部引線放大圖。
[0022]示出外部引線從密封樹脂10的側面延伸出，并且其切斷面(紙面上，右端)也包覆有鍍層被膜5a的情形。
[0023]接著，對本發明的半導體裝置的制造方法進行說明。
[0024]圖6是示出本發明的半導體裝置的第I實施例的制造方法的鳥瞰圖。
[0025]圖6 Ca)是示出本實施例的引線框I的鳥瞰圖。引線框I包含:在后續承載半導體芯片的島部6;與島部6分離配置的內部引線2 ;以及與內部引線2相連的外部引線5。而且