一種陣列基板、制備方法及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、制備方法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在陣列基板中，數(shù)據(jù)線(xiàn)的電壓隨時(shí)間的高低變化引起的瞬時(shí)電磁信號(hào)通常會(huì)影響到像素電極和公共電極電壓的穩(wěn)定性，即數(shù)據(jù)線(xiàn)產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)像素電極和公共電極產(chǎn)生了串?dāng)_，影響了像素電極與公共電極之間的電壓差，從而影響了陣列基板的顯示畫(huà)質(zhì)。
[0003]為了盡量減小數(shù)據(jù)線(xiàn)的串?dāng)_引起的畫(huà)質(zhì)問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)通常采用對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)區(qū)域設(shè)置的屏蔽電極來(lái)屏蔽數(shù)據(jù)線(xiàn)的串?dāng)_。如圖1所示，現(xiàn)有陣列基板可以包括襯底基板01、設(shè)置在襯底基板01上數(shù)據(jù)線(xiàn)02、薄膜晶體管03，與薄膜晶體管03的漏極03a連接的像素電極04，與像素電極04對(duì)向設(shè)置的公共電極05，與數(shù)據(jù)線(xiàn)02對(duì)應(yīng)設(shè)置的屏蔽電極06。其中，屏蔽電極06與公共電極05同層設(shè)置，且電性連接。
[0004]在圖1所示結(jié)構(gòu)的陣列基板中，當(dāng)數(shù)據(jù)線(xiàn)形成的電場(chǎng)對(duì)屏蔽電極的電壓造成影響使得屏蔽電極的電壓不穩(wěn)時(shí)，由于屏蔽電極與公共電極電性連接，因而公共電極的電壓也會(huì)隨著屏蔽電極的變化而一起變化，從而使得整個(gè)陣列基板的公共電極電壓不穩(wěn)，進(jìn)而使得像素電極與公共電極之間的電壓差發(fā)生變化，從而影響了整個(gè)陣列基板的畫(huà)質(zhì)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板、制備方法及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線(xiàn)的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個(gè)陣列基板的畫(huà)質(zhì)的問(wèn)題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]第一方面，提供了一種陣列基板，襯底基板，位于所述襯底基板上且界定像素區(qū)域的多條柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，還包括:
[0008]位于所述像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極異層設(shè)置；
[0009]屏蔽電極，所述屏蔽電極至少形成于所述襯底基板上對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域，所述屏蔽電極與所述公共電極異層設(shè)置，且與所述像素電極、所述公共電極無(wú)電性連接。
[0010]結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極與所述像素電極同層設(shè)置。
[0011]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置。
[0012]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，還包括:公共電極線(xiàn)，所述公共電極與所述公共電極線(xiàn)同層設(shè)置，且所述公共電極線(xiàn)與所述公共電極電性連接。
[0013]結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述公共電極線(xiàn)與所述公共電極電性連接包括:
[0014]所述公共電極線(xiàn)與所述公共電極通過(guò)金屬線(xiàn)電性連接。
[0015]結(jié)合第一方面的第三或第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述公共電極、所述公共電極線(xiàn)、所述柵線(xiàn)與柵極同層設(shè)置。
[0016]結(jié)合第一方面，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度。
[0017]結(jié)合第一方面，在第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極還形成于所述襯底基板上對(duì)應(yīng)所述柵線(xiàn)的區(qū)域。
[0018]第二方面，提供一種顯示裝置，包括第一方面任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0019]第三方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0020]在襯底基板上形成第一導(dǎo)電層圖案，所述第一導(dǎo)電層圖案包括位于像素區(qū)域的公共電極；
[0021]形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的絕緣層；
[0022]在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案，所述第二導(dǎo)電層圖案包括相互無(wú)電性連接的像素電極和屏蔽電極，所述像素電極位于所述像素區(qū)域內(nèi)，所述屏蔽電極至少形成于所述襯底基板上對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域，且與所述公共電極無(wú)電性連接。
[0023]結(jié)合第三方面，在第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一導(dǎo)電層圖案還包括與所述公共電極同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極。
[0024]結(jié)合第三方面，在第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一導(dǎo)電層圖案還包括與所述公共電極同層設(shè)置的公共電極線(xiàn)，和/或柵線(xiàn)、柵極，和/或用以連接所述公共電極和所述公共電極線(xiàn)的金屬線(xiàn)。
[0025]結(jié)合第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的絕緣層包括:依次形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的第一絕緣子層和第二絕緣子層；
[0026]在形成所述第一絕緣子層之后，在形成所述第二絕緣子層之前，所述方法還包括:在所述第一絕緣子層上形成第三導(dǎo)電層圖案，所述第三導(dǎo)電層圖案包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、制備方法及顯示裝置，由于陣列基板中至少形成于襯底基板上對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域的屏蔽電極與公共電極無(wú)電性連接，因而當(dāng)數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)屏蔽電極的串?dāng)_使得屏蔽電極的電壓不穩(wěn)時(shí)，公共電極的電壓不會(huì)隨著屏蔽電極電壓的變化而變化，因而與現(xiàn)有技術(shù)中和屏蔽電極電性連接的公共電極會(huì)隨著屏蔽電極的電壓一起變化不同，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線(xiàn)的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個(gè)陣列基板的畫(huà)質(zhì)的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中部分結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖。
[0035]附圖標(biāo)記:
[0036]01-襯底基板；02-數(shù)據(jù)線(xiàn)；03-薄膜晶體管；03a_漏極；03b_源極；03c_柵極；03d-有源層；04_像素電極；05_公共電極；06_屏蔽電極；07_柵絕緣層；08_柵絕緣層；09-過(guò)孔；10_柵線(xiàn)；11-公共電極線(xiàn)；12_金屬線(xiàn)。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“內(nèi)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0039]需要的說(shuō)明的是，在本發(fā)明所有實(shí)施例中，同層設(shè)置是指:至少兩個(gè)圖案位于同一承載面上。異層設(shè)置是指:兩個(gè)圖案位于不同的承載面上，通常兩個(gè)圖案之間間隔有其他層O
[0040]實(shí)施例一
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括襯底基板01，位于襯底基板上且界定像素區(qū)域的多條柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)02，還包括:位于像素區(qū)域內(nèi)的像素電極04和公共電極05，像素電極04和公共電極05異層設(shè)置；屏蔽電極06，屏蔽電極06至少形成于襯底基板01上對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)02的區(qū)域，屏蔽電極06與公共電極05異層設(shè)置，且與像素電極04、公共電極05無(wú)電性連接。
[0042]需要說(shuō)明的是，上述僅介紹了解決“現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線(xiàn)的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個(gè)陣列基板的畫(huà)質(zhì)”的問(wèn)題的結(jié)構(gòu)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠知曉，陣列基板的結(jié)構(gòu)不局限于此，例如在圖2所示陣列基板中，陣列基板還可以包括:設(shè)置于襯底基板01上的薄膜晶體管03、柵絕緣層07以及絕緣層08。其中，薄膜晶體管03包括設(shè)置于襯底基板01上的漏極03a、源極03b、柵極03c和有源層03d。像素電極04通過(guò)過(guò)孔09與漏極03a電性連接，數(shù)據(jù)線(xiàn)02與漏極03a、源極03b同層設(shè)置，且與源極03b電性連接，公共電極05與像素電極04對(duì)向設(shè)置，柵線(xiàn)(未在圖2中標(biāo)示)與柵極03c同層設(shè)置且電性連接。
[0043]當(dāng)然，圖2中所增設(shè)的結(jié)構(gòu)也僅是為了更加清楚的描述本發(fā)明的方案才繪制的，并不作為本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)的范圍限定。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例所涉及到陣列基板可以是高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(ADvanced SuperDimens1n Switch,ADS)型顯示裝置中的陣列基板；在ADS陣列基板中，公共電極與像素電極設(shè)置在同一襯底基板上，且其中一個(gè)電極為平板狀電極，另一個(gè)電極為梳狀或帶有夾縫的電極。
[0045]對(duì)于ADS陣列基板而言，可以包括異層設(shè)置的像