Led芯片及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及發光二極管技術領域，更為具體的說，涉及一種LED芯片及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]LED (Light Emitting D1de，發光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。近年來，隨著對LED芯片研宄的不斷深入，LED芯片的發光效率得到的極大的提高，目前已經被廣泛應用于顯示等各個領域。現有在制作LED芯片過程中，經常在切割過程中出現裂片的情況，降低了產品良率。
【發明內容】
[0003]有鑒于此，本發明提供了一種LED芯片及其制作方法、顯示裝置，提高了 LED芯片的強度，進而改善制作過程中切割時裂片的情況，提高了產品的良率；另外，采用本發明提供的LED芯片的顯示裝置，其分辨率高，顯示效果好。
[0004]為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下:
[0005]一種LED芯片的制作方法，包括:
[0006]提供一襯底；
[0007]在所述襯底任意一表面形成多個發光微結構，所述發光微結構包括位于所述襯底表面的第一半導體層，位于所述第一半導體層背離所述襯底一側的有源層和第一電極，位于所述有源層背離所述襯底一側的第二半導體層，位于所述第二半導體層背離所述襯底一側的導電反射膜層，位于所述導電反射膜層背離所述襯底一側的第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣；
[0008]固定一基板于所述多個發光微結構的第一電極和第二電極背離所述襯底一側；
[0009]采用通孔連接方式，在所述基板對應所述第一電極的區域、且背離所述襯底一側形成第一連接電極，且在所述基板對應所述第二電極的區域、且背離所述襯底一側形成第二連接電極；
[0010]沿所述發光微結構的邊緣對所述襯底和基板進行切割，以得到多個LED芯片。
[0011]優選的，在形成所述多個發光微結構后，且固定所述基板之前，所述制作方法還包括:
[0012]將所述襯底減薄至預設厚度范圍；
[0013]在所述襯底背離所述發光微結構一側形成多個拱形透鏡結構，每一拱形透鏡結構與一發光微結構相對應。
[0014]優選的，所述拱形透鏡結構為采用硅膠材料，通過熱壓塑封成型工藝形成的。
[0015]優選的，所述拱形透鏡結構為半球面透鏡結構。
[0016]優選的，所述預設厚度范圍為100 μπι?500 μm，包括端點值。
[0017]優選的，所述發光微結構的形成過程為:
[0018]在所述襯底任意一表面形成所述第一半導體層；
[0019]在所述第一半導體層背離所述襯底一側形成所述有源層；
[0020]在所述有源層背離所述襯底一側形成所述第二半導體層；
[0021]采用刻蝕工藝將所述第一半導體層背離所述襯底一側的預設區域裸露；
[0022]在所述第二半導體層背離所述襯底一側形成所述導電反射膜層；
[0023]在所述第一半導體層的預設區域、且背離所述襯底一側形成所述第一電極，且在所述導電反射膜層背離所述襯底一側形成所述第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣。
[0024]優選的，在形成所述第二半導體層后，且刻蝕裸露所述第一半導體層的預設區域前，所述制作方法還包括:
[0025]在所述第二半導體層背離所述襯底一側形成歐姆接觸層，其中，所述導電反射膜層位于所述歐姆接觸層背離所述襯底一側。
[0026]優選的，所述導電反射膜層為金屬反射膜層；其中，在形成所述導電反射膜層后，且形成所述第一電極和第二電極前，所述制作方法還包括:
[0027]在所述導電反射膜層背離所述襯底一側形成金屬擴散阻擋層，其中，所述第二電極形成于所述金屬擴散阻擋層背離所述襯底一側。
[0028]優選的，在形成所述導電反射膜層后，且形成所述第一電極和第二電極前，所述制作方法還包括:
[0029]形成覆蓋所述導電反射膜層、且延伸覆蓋至所述第一半導體層的預設區域的鈍化層；
[0030]其中，所述鈍化層對應所述預設區域的區域設置有第一開口，以用于形成所述第一電極，以及，所述鈍化層對應所述導電反射膜層的區域設置有第二開口，以用于形成所述第二電極。
[0031]優選的，采用焊接方式固定所述基板于所述多個發光微結構的第一電極和第二電極背離所述襯底一側。
[0032]優選的，所述襯底為藍寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。
[0033]優選的，所述第一半導體層和第二半導體層均為氮化鎵基半導體層，所述有源層為氮化鎵基有源層；
[0034]或者，所述第一半導體層和第二半導體層均為砷化鎵基半導體層，所述有源層為砷化鎵基有源層。
[0035]優選的，所述基板為陶瓷基板或硅基板。
[0036]優選的，所述第一連接電極和第二連接電極均為焊接點、插針或插孔。
[0037]相應的，本發明還提供了一種LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
[0038]相應的，本發明還提供了一種顯示裝置，包括電路基板；
[0039]以及，設置于所述電路基板上的LED芯片陣列；
[0040]其中，所述LED芯片陣列采用多個上述的LED芯片排列而成。
[0041]優選的，所述電路基板為PCB板或鋁基板。
[0042]相較于現有技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點:
[0043]本發明提供的一種LED芯片及其制作方法、顯示裝置，包括:提供一襯底；在所述襯底任意一表面形成多個發光微結構，所述發光微結構包括位于所述襯底表面的第一半導體層，位于所述第一半導體層背離所述襯底一側的有源層和第一電極，位于所述有源層背離所述襯底一側的第二半導體層，位于所述第二半導體層背離所述襯底一側的導電反射膜層，位于所述導電反射膜層背離所述襯底一側的第二電極，所述第一電極與所述第二電極之間相互絕緣；固定一基板于所述多個發光微結構的第一電極和第二電極背離所述襯底一側；采用通孔連接方式，在所述基板對應所述第一電極的區域、且背離所述襯底一側形成第一連接電極，且在所述基板對應所述第二電極的區域、且背離所述襯底一側形成第二連接電極；沿所述發光微結構的邊緣對所述襯底和基板進行切割，以得到多個LED芯片。
[0044]由上述內容可知，本發明提供的技術方案，在多個發光微結構的第一電極和第二電極背離襯底一側固定一基板，提高了每個LED芯片的強度，進而改善了切割時裂片的情況，提高了產品的良率；另外，本發明提供的LED芯片的連接電極設置于LED芯片的底面，且LED芯片的四周無電極連線結構，因此，采用本發明提供的LED芯片制作顯示裝置，LED芯片陣列中相鄰的LED芯片之間的間隙可以很小，進而能夠提高顯示裝置的分辨率，提高顯示裝置的顯示效果。
【附圖說明】
[0045]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0046]圖1為本申請實施例提供的一種LED芯片的制作方法流程圖；
[0047]圖2a至圖2e為圖1制作方法流程圖對應的結構流程圖；
[0048]圖3為本申請實施例提供的一種發光微結構的制作方法的流程圖；
[0049]圖4為本申請實施例提供的一種LED芯片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0050]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技