有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及電致發光器件領域，特別是涉及有機電致發光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 有機電致發光器件（0LED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典 型結構是在IT0玻璃上制作一層幾十nm厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層低 功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光福射。
[0003] 0LED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點，被業內 人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一 項嶄新的照明和顯示技術，0LED技術在過去的十多年里發展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發，大大的推動了0LED的產業化進程，使得 0LED產業的成長速度驚人，目前已經到達了大規模量產的前夜。
[0004] 由于防水氧性能較差，使得目前的有機電致發光器件普遍存在壽命短的問題。因 此制備的好壞直接影響器件的壽命。
【發明內容】
[0005] 基于此，有必要提供一種防水氧性能較好的有機電致發光器件及其制備方法。
[0006] -種有機電致發光器件，包括導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電 子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0007] 還包括保護層，所述保護層包括設置在所述陰極上的無機阻擋層和設置在所述無 機阻擋層上的有機阻擋層；
[0008]所述無機阻擋層的材料為BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0? 7<X < 1，0 <y< 0. 6,且各物質中，Br為摻雜元素，在各物質的晶格中，Br原子分別取代B原 子、A1原子、Ga原子、In原子或T1原子，Br摻雜質量分數為11~30wt% ;
[0009] 所述有機阻擋層的材料為硼的直鏈烷或鎵的直鏈烷；
[0010] 所述硼的直鏈烷的化學結構式》
所述鎵的直鏈烷 的化學結構式
其中，k和m均為1~4的整數。
[0011] 在一個實施例中，所述保護層為4~6個，所述4~6個保護層設置在所述陰極上， 使所述無機阻擋層和所述有機阻擋層交替設置在所述陰極上。
[0012] 在一個實施例中，所述無機阻擋層的厚度為15nm~20nm。
[0013] 在一個實施例中，所述有機阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0014] 在一個實施例中，所述導電陽極基板為氧化銦錫導電玻璃，所述空穴注入層的材 料為質量比為3 :7的三氧化鑰和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺的混 合物，所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺，所述發光層的材料為質 量比為1 :19的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯和三（2-苯基吡啶)合銥的混 合物，所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的材料為質量 比為3 :7的疊氮化銫和4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉的混合物，所述陰極的材料為鋁。
[0015] 在一個實施例中，所述空穴注入層的厚度為l〇nm，所述空穴傳輸層的厚度為 30nm，所述發光層的厚度為20nm，所述電子傳輸層的厚度為10nm，所述電子注入層的厚度 為20nm，所述陰極的厚度為lOOnm。
[0016] 一種有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟；
[0017] 提供導電陽極基板，在所述導電陽極基板上真空蒸鍍依次形成空穴注入層、空穴 傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0018] 采用胺基物作為原料，在所述陰極上原子層沉積形成無機阻擋層，所述無機阻擋 層的材料為BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0.7 <x< 1，0<7<0.6，且 各物質中，Br為摻雜元素，Br摻雜質量分數為11~30wt°/〇 ;
[0019] 在所述無機阻擋層上磁控濺射形成有機阻擋層，得到所述有機電致發光器，其中， 所述無機阻擋層和所述有機阻擋層組成保護層，所述有機阻擋層的材料為硼的直鏈烷或鎵 的直鏈烷，所述硼的直鏈烷的化學結構式）
k是1~4的整 數，所述鎵的直鏈烷的化學結構式
其中，m是1~4的 整數。
[0020] 在一個實施例中，原子層沉積形成無機阻擋層的操作中，所述胺基物為B(CH2Br) 3、 A1 (CH2Br)3、Ga(CH2Br)3、In(CH2fc) 3 或T1 (CHJr) 3。
[0021] 在一個實施例中，原子層沉積形成無機阻擋層的操作中，工作壓強為l〇Pa~ 50Pa，溫度為 40°C~60°C;
[0022] 原子層沉積形成無機阻擋層的操作具體為：依次通入所述胺基物、氮氣和水蒸氣， 所述胺基物、所述氮氣和所述水蒸氣的流量均為lOsccm~20sccm，所述胺基物和所述水蒸 氣的通入時間均為l〇ms~20ms，所述氮氣的通入時間為5s~10s。
[0023] 在一個實施例中，磁控濺射形成有機阻擋層的操作中，本底的真空度為IX1(T5~ 1Xl(T3Pa，加速電壓為300V~800V，磁場為50G~200G，功率密度為10W/cm2~40W/cm2。
[0024] 上述有機電致發光器件在陰極上設置保護層，保護層包括無機阻擋層和設置在無 機阻擋層上的有機阻擋層，無機阻擋層及由硼的直鏈烷或鎵的直鏈烷形成的有機阻擋層的 致密性較高，防水氧性能較好，可有效地減少外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的 侵蝕，從而對有機電致發光器件的有機功能材料及電極形成有效的保護，使得該有機電致 發光器件的使用壽命較長。相對于傳統的有機電致發光器件，這種有機電致發光器件的防 水氧性能較好。
【附圖說明】
[0025] 圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0026] 圖2為如圖1所示的有機電致發光器件的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0027] 為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明 的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發 明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不 違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
[0028] 請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100,包括依次層疊的導電陽極基板 110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、發光層140、電子傳輸層150、電子注入層160、陰極 170及保護層180。
[0029] 導電陽極基板110優選為銦錫氧化物導電玻璃。銦錫氧化物玻璃由銦錫氧化物 (IT0)薄膜設置在玻璃基板上形成。優選地，IT0薄膜的厚度為100nm。
[0030] 在其他實施方式中，玻璃基板也可以替換為柔性基板，如聚醚砜樹脂基板等。
[0031] 可以理解，在另外的實施方式中，導電陽極基板110也可以為摻氟的氧化錫玻璃 (FT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃（AZ0)或摻銦的氧化鋅玻璃（IZ0)等。
[0032] 空穴注入層120設置在導電陽極基板110的IT0薄膜上。空穴注入層120的材料 為三氧化鑰（M〇03)和N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（NPB)的混合物， 三氧化鑰（M〇03)摻雜于N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯苯二胺（NPB)中。
[0033] 優選地，空穴注入層120中，三氧化鑰（M〇03)和N，N'-(1-萘基）_N，N'-二苯 基-4, 4'-聯苯二胺（NPB)的質量比為3 :7。
[0034] 優選地，空穴注入層120的厚度為10nm。
[0035]空穴傳輸層130的材料為4, 4'，4' '-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0036] 優選地，空穴傳輸層130的厚度為30nm。
[0037] 發光層140的材料為1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和 三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)的混合物，三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)摻雜于 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)。
[0038] 優選地，發光層140中，三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)和1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)的質量比為1 :19。
[0039] 優選地，發光層140的厚度為20nm。
[0040] 電子傳輸層150的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)。優選地，電子傳輸 層150的厚度為10nm。
[0041] 電子注入層160的材料為疊氮化銫（〇8隊）和4,7-二苯基-1，1〇-菲羅啉（8口11611) 的混合物，疊氮化銫（〇8隊）摻雜于4,7-二苯基-1，1〇-菲羅啉（8口11611)中。
[0042] 優選地，電子注入層160中，疊氮化銫（CsN3)和4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉 (Bphen)的質量比為3 :7。
[0043] 優選地，電子注入層160的厚度為20nm。
[0044] 陰極170的材料為金屬鋁（A1)。優選地，陰極170的厚度為100nm。
[0045] 保護層180包括設置在陰極170上的無機阻擋層182及設置在無機阻擋層182上 的有機阻擋層184。
[0046]無機阻擋層 182 的材料為Bxfcy02、Alxfcy02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 ;0? 7 <x <1，0<y<0.6,且各物質中，Br為摻雜元素，在各物質的晶格中，Br原子分別取代B原 子、A1原子、Ga原子、In原子或T1原子，Br慘雜質量分數為11~30wt%。。
[0047]由BxBry02、AlxBry02、GaxBry02、InxBry02 或TlxBry02 形成的無機阻擋層 182 具有較高 的致密性。
[0048] 優選地，無機阻擋層182的厚度為15nm~20nm。
[0049] 有機阻擋層184的材料為硼的直鏈烷或鎵的直鏈烷。
[0050] 硼的直鏈烷的化學結構式如下：
[0051]
$中，讓是1~4的整數。
[0052] 鎵的直鏈烷的化學結構式如下：