去除鋁殘余缺陷的方法

去除鋁殘余缺陷的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種制造鋁墊(Al Pad)過程中去除鋁殘余缺陷的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)的鋁墊制造過程中，經(jīng)常遇到鋁殘余缺陷問題，不能通過OQA(Outgoing Quality Assurance,產(chǎn)品出貨檢查)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)而無法達(dá)到出廠要求。
[0003]如圖5所示，現(xiàn)有技術(shù)中，鋁墊的制造是在包含有半導(dǎo)體芯片的基底I上進(jìn)行的，而在如序工藝中，由于生廣環(huán)境等因素的影響會(huì)在招塾7制造之后在半導(dǎo)體芯片的基底I的表面出現(xiàn)鋁殘余缺陷8。
[0004]圖1至圖4示例出一種產(chǎn)生鋁殘余缺陷的實(shí)驗(yàn)過程示意圖。
[0005]如圖1所示，在制造鋁墊時(shí)，首先在包含有半導(dǎo)體芯片的基底I上涂覆一第一光刻膠(PR)層2并進(jìn)行顯影。該過程中，周圍環(huán)境中的顆粒3會(huì)附著在第一光刻膠層2上。
[0006]如圖2所示，去除第一光刻膠層2。在去除第一光刻膠層2時(shí)，由于顆粒3的影響，使得顆粒3所在位置的第一光刻膠層2沒有完全的去處，而在基底I的表面對(duì)應(yīng)于顆粒3的位置形成了光刻膠殘余2’。
[0007]如圖3所不,在基底I表面沉積金屬招層5。因?yàn)榛譏的表面形成有光刻I父殘余2’，所以沉積的金屬鋁層5也同時(shí)將光刻膠殘余2’覆蓋。
[0008]如圖4所示，對(duì)金屬鋁層5進(jìn)行刻蝕，以去除基底I表面的金屬鋁層5。
[0009]因?yàn)楣饪棠z殘余2’的存在使得在去除金屬鋁層5的過程中，位于所述光刻膠殘余2’周圍的鋁受到光刻膠殘余2’的影響而沒有徹底的去處，進(jìn)而在光刻膠殘余2’的位置處(最初顆粒3所在處)形成鋁殘余缺陷8。
[0010]上述過程僅作為一種形成鋁殘余缺陷的實(shí)驗(yàn)過程示說明，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，會(huì)由于多種原因而在基底I表面形成鋁殘余缺陷，此處不進(jìn)行一一列舉。
[0011]在實(shí)際生產(chǎn)過程中，鋁殘余缺陷8的產(chǎn)生是伴隨者鋁墊的形成而形成的，所以，當(dāng)在鋁墊(圖1至圖4未示出)形成后，同時(shí)會(huì)在包含有半導(dǎo)體芯片的基底表面出現(xiàn)鋁殘余缺陷。
[0012]鋁殘余缺陷8的出現(xiàn)會(huì)影響器件的使用，不能通過OQA檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而無法達(dá)到出廠要求，因此需要一種方法以去除所述鋁殘余缺陷，同時(shí)不能影響所制成的鋁墊(圖1至圖4中未示出)受到破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]有鑒于此，本發(fā)明提供一種去除鋁殘余缺陷的方法，以去除制造鋁墊過程中所產(chǎn)生的鋁殘余缺陷。
[0014]本申請(qǐng)的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0015]一種去除鋁殘余缺陷的方法，包括:
[0016]提供鋁墊制備完成后出現(xiàn)鋁殘余缺陷的基片，所述基片包括含有半導(dǎo)體芯片的基底、沉積于所述基底上的鋁墊以及殘留于所述基底表面的鋁殘余缺陷；
[0017]在所述鋁墊的側(cè)壁形成一保護(hù)層；
[0018]在所述鋁墊表面形成一光刻膠層；
[0019]以所述保護(hù)層和所述光刻膠層為掩膜，去除所述鋁殘余缺陷。
[0020]進(jìn)一步，所述的在所述鋁墊的側(cè)壁形成一保護(hù)層包括:
[0021]在整個(gè)所述基片表面沉積一保護(hù)層，以覆蓋所述基底的表面、所述鋁殘余缺陷的表面、所述鋁墊的表面和所述鋁墊的側(cè)壁；
[0022]采用干法蝕刻的方法去除所述基底表面、所述鋁殘余缺陷表面和所述鋁墊表面的保護(hù)層，并保留覆蓋于所述鋁墊側(cè)壁的保護(hù)層。
[0023]進(jìn)一步，所述的在所述鋁墊表面形成一光刻膠層包括:
[0024]在整個(gè)所述基片表面涂覆光刻膠層，并對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行光刻和顯影以去除所述基底和鋁殘余缺陷表面的光刻膠層，保留鋁墊表面的光刻膠層。
[0025]進(jìn)一步，在去除所述鋁殘余缺陷之后還包括:
[0026]去除所述鋁墊表面的光刻膠層。
[0027]進(jìn)一步，采用灰化的方法去除所述鋁墊表面的光刻膠層。
[0028]進(jìn)一步，所述保護(hù)層材料為鈦和氮化鈦。
[0029]進(jìn)一步，采用物理氣相沉積PVD方法進(jìn)行所述保護(hù)層的沉積，采用PVD方法時(shí)，以鈦Ti為靶材，功率為5850?7150W，反應(yīng)腔室壓力為400?500mTorr，溫度為25?35°C，通入Ar和N2轟擊所述Ti靶材，其中Ar的流量為45?55sccm，N2的流量為90?llOsccm，所沉積的保護(hù)層的厚度為500?600埃。
[0030]進(jìn)一步，所述干法蝕刻采用反應(yīng)離子刻蝕RIE方法進(jìn)行，所述RIE采用CF4XHF3和N2氣體進(jìn)行刻蝕，其中，CF4流量為70?90sccm、CHF3流量為25?40sccm、N2流量為45?55sccm，功率為900?1100W，刻蝕的腔體氣體壓力為65?95mTorr。
[0031]進(jìn)一步，采用濕法蝕刻的方法，去除所述鋁殘余缺陷。
[0032]進(jìn)一步，所述濕法蝕刻中，采用四甲基氫氧化銨堿性溶液作為刻蝕劑，所述四甲基氫氧化銨堿性溶液的濃度為2.37?2.39%，濕法刻蝕反應(yīng)溫度為20?25°C，反應(yīng)時(shí)間為2?15分鐘。
[0033]從上述方案可以看出，本發(fā)明的去除鋁殘余缺陷的方法，在已制成的鋁墊側(cè)壁形成鈦和氮化鈦的保護(hù)層，在已制成的鋁墊表面形成光刻膠層，進(jìn)而在所述保護(hù)層和光刻膠層的保護(hù)下，通過四甲基氫氧化銨堿性溶液的濕法刻蝕，以去除殘留于基底表面的鋁殘余缺陷。本發(fā)明的方法，可有效地去除鋁殘余缺陷，同時(shí)保護(hù)已制成鋁墊的完好，符合OQA標(biāo)準(zhǔn)。
【附圖說明】
[0034]圖1為產(chǎn)生鋁殘余缺陷的實(shí)驗(yàn)過程中第一光刻膠表面出現(xiàn)顆粒的基片結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0035]圖2為圖1所示結(jié)構(gòu)去除第一光刻膠層后的基片結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0036]圖3為在圖2所示結(jié)構(gòu)上沉積金屬鋁層后的基片結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0037]圖4為圖3所示結(jié)構(gòu)去除金屬鋁層后的基片結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0038]圖5為現(xiàn)有技術(shù)中制造鋁墊之后在基底表面出現(xiàn)鋁殘余缺陷的基片結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0039]圖6為本發(fā)明的去除鋁殘余缺陷的方法的實(shí)施例流程圖；
[0040]圖7為本發(fā)明的方法實(shí)施例中在整個(gè)基片表面沉積保護(hù)層后的基片結(jié)構(gòu)實(shí)施例首丨J視圖;
[0041]圖8為本發(fā)明的方法實(shí)施例中對(duì)保護(hù)層進(jìn)行定向刻蝕后的基片結(jié)構(gòu)實(shí)施例剖視圖；
[0042]圖9為本發(fā)明的方法實(shí)施例中在鋁墊表面形成光刻膠層后的基片結(jié)構(gòu)實(shí)施例剖視圖；
[0043]圖10為本發(fā)明的方法實(shí)施例中經(jīng)過濕法刻蝕去除鋁殘余缺陷后的基片結(jié)構(gòu)實(shí)施例首1J視圖;
[0044]圖11為本發(fā)明的方法實(shí)施例中去除鋁墊表面的光刻膠層后的基片結(jié)構(gòu)實(shí)施例剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0046]如圖6所示，本發(fā)明提供的去除鋁殘余缺陷的方法的實(shí)施例包括:
[0047]提供鋁墊制備完成后出現(xiàn)鋁殘余缺陷的基片，所述基片包括含有半導(dǎo)體芯片的基底、沉積于所述基底上的鋁墊以及殘留于所述基底表面的鋁殘余缺陷；
[0048]在所述鋁墊的側(cè)壁形成一保護(hù)層；
[0049]在所述鋁墊表面形成一光刻膠層；
[0050]以所述保護(hù)層和所述光刻膠層為掩膜，去除所述鋁殘余缺陷。
[0051]其中，在所述鋁墊的側(cè)壁形成保護(hù)層的步驟包括:
[0052]在整個(gè)所述基片表面沉積一保護(hù)層，以覆蓋所述基底的表面、所述鋁殘余缺陷的表面、所述鋁墊的表面和所述鋁墊的側(cè)壁；
[0053]采用干法蝕刻的方法去除所述基底表面、所述鋁殘余缺陷表面和所述鋁墊表面的保護(hù)層，并保留覆蓋于所述鋁墊側(cè)壁的保護(hù)層。
[0054]其中，在所述鋁墊表面形成一光刻膠層包括:
[0055]在整個(gè)所述基片表面涂覆光刻膠層，并對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行光刻和顯影以去除所述基底和鋁殘余缺陷表面的光刻膠層，保留鋁墊表面的光刻膠層。
[0056]在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中還包括有去除光刻膠層的步驟，即在去除所述鋁殘余缺陷之后還包括:
[0057]去除所述鋁墊表面的光刻膠層。
[0058]以下結(jié)合一具體實(shí)施例，對(duì)上述本發(fā)明的去除鋁殘余缺陷的方法進(jìn)行具體說明。
[0059]步驟1:提供鋁墊制備完成后出現(xiàn)鋁殘余缺陷的基片，包括含有半導(dǎo)體芯片的基底、沉積于所述基底上的鋁墊以及殘留于所述基底表面的鋁殘余缺陷。
[0060]本步驟I中提供的基片結(jié)構(gòu)如圖5所示，該基片包括基底1、鋁墊7和鋁殘