導電圖形的制作方法及導電膜的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及觸控顯示技術領域，特別是涉及一種導電圖形的制作方法及導電膜。
【背景技術】
[0002]近年來，各種平板顯示器件已得到廣泛使用。為了制造平板顯示器件，通常采用光刻法，在基板上形成許多導電圖形，如電極、布線和EMI屏蔽濾光器等。
[0003]目前，導電圖形的生產制造通常采用以下工藝流程:鍍膜一涂膠一曝光一顯影一刻蝕一脫膜。圖1為現有技術中導電圖形的制作工藝流程。請參閱圖1，該導電圖形的制作方法主要包括:
[0004]1、在基板上沉積金屬層；
[0005]2、在金屬層上涂覆光刻膠；
[0006]3、利用掩膜板，對光刻膠進行曝光；
[0007]4、對光刻膠進行顯影；
[0008]5、對金屬層進行刻蝕處理；
[0009]6、通過脫膜工藝除去光刻膠。
[0010]然而，上述生產工序流程繁瑣，生產周期較長，而且在制作過程中使用的光刻膠、稀釋劑、顯影液、剝離液等材料都是有機材料，有一定的毒性，對人體具有較大的危害性，對環境污染較大，同時，上述制備過程所消耗的成本較高、設備投入大、物料損耗較多。
【發明內容】
[0011]基于此，有必要針對上述問題，提供一種導電圖形的制作方法及導電膜，不僅可有效縮短生產周期，降低成本，減少環境污染及設備投入。
[0012]一種導電圖形的制作方法，包括如下步驟:
[0013]在基板上形成導電層；
[0014]在所述導電層上形成非晶金屬氧化物；
[0015]對所述非晶金屬氧化物的預定區域進行激光退火處理，使所述預定區域的非晶金屬氧化物形成多晶金屬氧化物；
[0016]對預定區域外的非晶金屬氧化物進行第一次刻蝕處理，以除去所述預定區域外的所述非晶金屬氧化物；
[0017]對所述預定區域外的導電層進行第二次刻蝕處理，形成導電圖形。
[0018]在其中一個實施例中，所述非晶金屬氧化物為氧化銦錫、氧化錫、氧化銦錫鋅或氧化銦鎵鋅的至少一種。
[0019]在其中一個實施例中，所述第一次刻蝕處理，所采用的刻蝕液為草酸溶液。
[0020]在其中一個實施例中，所述導電層包括至少一層金屬薄膜。
[0021]在其中一個實施例中，所述金屬薄膜的材料為Al、Mo、Ag、Ti及W的至少一種。
[0022]在其中一個實施例中，所述第二次刻蝕處理，所采用的刻蝕液為磷酸、醋酸、硝酸和水的混合液。
[0023]在其中一個實施例中，所述非晶氧化物的厚度為25nm?200nm。
[0024]在其中一個實施例中，所述對所述非晶金屬氧化物的預定區域進行激光退火處理的步驟包括:利用激光光源照射所述非晶金屬氧化物的預定區域。
[0025]在其中一個實施例中，所述激光光源為激光點光源。
[0026]一種導電膜，采用上述任一所述的制作方法制得。
[0027]上述導電圖形的制作方法，首先在導電層上形成非晶氧化物，利用激光對非晶金屬氧化物的預定區域進行激光退火處理，將非晶金屬氧化物轉化為多晶金屬氧化物，然后對非晶金屬氧化物進行刻蝕，再對沒有被覆蓋的導電層進行刻蝕處理，這樣，多晶金屬氧化物可充當光阻作用用來保護其底下的導電層不被刻蝕，而沒有多晶金屬氧化物保護的導電層就被刻蝕掉了，最終形成器件所需的導電圖形。
[0028]與現有技術相比，上述導電圖形的制作方法減少了涂膠、曝光、顯影、脫膜等一系列生產工藝流程，縮短了生產周期，節約了生產時間，降低了生產成本，而且實現了在不使用曝光掩膜板的條件下的產品生產，減少了物料的耗損及設備的投入，避免了有機試劑的使用，并減少了對環境的污染。
[0029]上述導電膜，由于導電層的金屬材料被多晶金屬氧化物覆蓋，既能防止金屬材料被氧化，而且還能降低金屬材料的反射率，提高導電膜的可視性。
【附圖說明】
[0030]圖1為現有技術中導電圖形制作方法的流程圖；
[0031]圖2為本發明一實施例中導電圖形制作方法的流程圖；
[0032]圖3A-3E為圖2所示的導電圖形在制作過程中的各步驟的結構示意圖；
[0033]圖4為本發明一實施例中導電膜的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0034]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0035]本發明提供一種導電圖形的制作方法，例如，其包括如下步驟:在基板上形成導電層；在所述導電層上形成非晶金屬氧化物；對所述非晶金屬氧化物的預定區域進行激光退火處理，使所述預定區域的非晶金屬氧化物形成多晶金屬氧化物；對預定區域外的非晶金屬氧化物進行第一次刻蝕處理，以除去所述預定區域外的所述非晶金屬氧化物；對所述預定區域外的導電層進行第二次刻蝕處理，形成導電圖形。
[0036]又如，所述對所述非晶金屬氧化物的預定區域進行激光退火處理的步驟包括:利用激光光源照射所述非晶金屬氧化物的預定區域。
[0037]為了提高加工工藝，例如，所述激光光源為激光點光源，激光點光源產生的激光掃過非晶金屬氧化物上的預定區域，這樣，可精準的控制形成多晶金屬氧化物形成的區域，提高了加工工藝的精度。
[0038]為了減少刻蝕過程對人體及設備的傷害及減少對環境的污染，例如，所述對預定區域外的非晶金屬氧化物進行刻蝕處理的步驟，所采用的刻蝕液為草酸溶液。這樣，可以減少刻蝕過程對人體及設備的傷害及減少對環境的污染。
[0039]為了降低對導電層刻蝕處理的成本，提高刻蝕速度，例如，對所述預定區域外的導電層進行刻蝕處理的步驟，采用濕法刻蝕，又如，濕法刻蝕采用的刻蝕液為磷酸、醋酸、硝酸和水的混合液。這樣，刻蝕成本較低，刻蝕速度較快，而且對設備的要求較低。
[0040]為了保證導電層具有良好的導電性，例如，所述導電層包括至少一層金屬薄膜。又如，所述金屬薄膜的材料為Al、Mo、Ag、Ti及W的至少一種。這樣，可以確保導電層具有良好的導電性。
[0041]例如，所述非晶金屬氧化物為氧化銦錫、氧化錫、氧化銦錫鋅或氧化銦鎵鋅。又如，所述非晶氧化物的厚度為25nm?200nm。又如，所述非晶氧化物的厚度為30nm?180nm，又如，所述非晶氧化物的厚度為50nm?150nm，又如，所述非晶氧化物的厚度為80nm?lOOnm，又如，所述非晶氧化物的厚度為40nm、70nm、90nm、120nm、140nm或190nm。
[0042]例如，一種導電膜，包括:基板以及導電圖形，所述導電圖形設于所述基板上，所述導電圖形包括設于基板的導電層及設置于所述導電層的多晶金屬氧化物。又如，一種導電膜，其采用上述任一實施例所述制作方法制備。
[0043]請參閱圖2，其為本發明一實施例中導電圖形的制作方法的流程圖，該制作方法具體包括:
[0044]SllO:在基板100上形成導電層200，其完成后的截面請參閱圖3A。
[0045]例如，在干凈的基板上，如玻璃、聚酰亞胺(PI)及聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，采用濺射、熱蒸發或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、低壓力化學氣相沉積(LPCVD)、常壓化學氣相淀積(APCVD)、電子回旋共振微波等離子體化學氣相沉積(ECR-CVD)等方法沉積導電層。又如，導電層包括至少一層金屬薄膜。又如，金屬薄膜的材料為鋁(Al)、鉬(Mo)、銀(Ag)、鈦(Ti)及鎢(W)的至少一種。又如，金屬薄膜為鋁(Al)、鉬(Mo)、銀(Ag)、鈦(Ti)及鎢(W)等金屬。又如，導電層為多層金屬薄膜結構，又如，導電層為Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti 等多層金屬結構。
[0046]在本實施例中，導電層的厚度為100_800nm，當然，導電層的厚度也可根據具體工藝需要選擇合適的厚度。
[0047]S120:在導電層200上形成非晶氧化銦錫(ITO)層300，其完成后的截面請參閱圖3B。
[0048]例如，通過物理氣相沉積(PVD)技術，如真空蒸發、濺射、離子鍍等，在導電層200上形成有一層厚度均勻的非晶ITO層300。當然，本實施例中的非晶ITO層的形成還可采用現有的其他技術手段以實現。在本實施例中，非晶ITO的厚度為25nm?200nm。又如，非晶ITO的厚度為30nm?180nm，又如，非晶ITO的厚度為50nm?150nm，又如，非晶ITO的厚度為 80nm ?