Oled顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及平面顯示器領域，尤其涉及一種OLED顯示裝置。
【背景技術】
[0002]主動矩陣平面顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。其中，有機發光二極管(organic light-emitting d1de，0LED)顯示技術是一種極具發展前景的平板顯示技術，它具有十分優異的顯示性能，特別是自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性，被譽為“夢幻顯示器”，再加上其生產設備投資遠小于薄膜晶體管型液晶顯示屏(TFT_LCD，Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay)，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規模量產的前夜，隨著研宄的進一步深入，新技術的不斷涌現，OLED顯示器件必將有一個突破性的發展。
[0003]如圖1所示，為現有的一種OLED顯示裝置，其包括上基板200、下基板400、及密封連接上基板200與下基板400的封框膠600 ；
[0004]所述下基板400包括第一電極450和設于第一電極450上并位于下基板400頂部的第二電極480所述上基板200僅作為封裝蓋板用途以隔絕水汽，第一電極450僅作為像素電極(陽極)，第二電極480 (陰極)一般較薄，尤其在頂發光型OLED中，第二電極450需做成透明電極，因此需要做到更薄以具有較好的透光性，由于第二電極450越薄，其電阻越大，尤其在大尺寸OLED顯示裝置中，有可能造成面內電壓不均，影響顯示均一性，造成亮度不均、Mura(顯示器亮度不均勻造成各種痕跡的現象)等問題。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種OLED顯示裝置，可減小第二電極的電阻，提高面內電壓的均勾性，改善面板亮度不均、Mura等問題。
[0006]為實現上述目的，本發明提供一種OLED顯示裝置，包括上基板、下基板、及密封連接上基板與下基板的封框膠；
[0007]所述上基板包括第一基板、及設于第一基板上的輔助導電層；
[0008]所述下基板包括第二基板、設于第二基板上的TFT層、設于TFT層上的第一絕緣層、設于第一絕緣層上的第二絕緣層、設于第二絕緣層上的第一電極、設于第二絕緣層與第一電極上的像素定義層、設于第一電極上的OLED發光層、及設于像素定義層與OLED發光層上的第二電極；
[0009]所述上基板設于所述下基板的上方，且所述上基板上設有輔助導電層的一側與所述下基板上設有第二電極的一側相向設置，所述輔助導電層與所述第二電極直接接觸并且電性連接。
[0010]所述上基板中還包括設于第一基板上的第一光阻間隙物，所述輔助導電層設于所述第一光阻間隙物與第一基板之上，且覆蓋所述第一光阻間隙物，其中，所述輔助導電層上覆蓋所述第一光阻間隙物的區域與位于所述下基板上表面的第二電極直接接觸，使得所述第二電極與輔助導電層實現電性連接。
[0011]所述下基板中還包括設于像素定義層上的第二光阻間隙物，所述第二電極設于所述第二光阻間隙物、像素定義層、及OLED發光層之上，且覆蓋所述第二光阻間隙物，其中，所述第二電極上覆蓋所述第二光阻間隙物的區域與位于所述上基板下表面的輔助導電層直接接觸，使得所述第二電極與輔助導電層實現電性連接。
[0012]所述上基板中還包括設于第一基板上的第一光阻間隙物，所述輔助導電層設于所述第一光阻間隙物與第一基板之上，且覆蓋所述第一光阻間隙物；所述下基板中還包括設于像素定義層上的第二光阻間隙物，所述第二電極設于所述第二光阻間隙物、像素定義層、及OLED發光層之上，且覆蓋所述第二光阻間隙物，其中，所述上基板中的第一光阻間隙物與所述下基板中的第二光阻間隙物對應設置，所述輔助導電層上覆蓋所述第一光阻間隙物的區域與所述第二電極上覆蓋所述第二光阻間隙物的區域直接接觸，使得所述第二電極與輔助導電層實現電性連接。
[0013]所述輔助導電層為一整面的結構。
[0014]所述輔助導電層為連續的網狀結構。
[0015]所述輔助導電層為多個不連續的部分所組成。
[0016]所述輔助導電層為透明導電層或不透明導電層。
[0017]所述輔助導電層的材料為氧化銦錫、銦鎵氧化鋅、氧化錫、銅、鋁、鉻、鈦或鉬。
[0018]所述下基板中，所述第一絕緣層與第二絕緣層上對應TFT層上方設有第一過孔，所述第一電極經由第一過孔與所述TFT層相連接；所述像素定義層上對應第一電極上方設有第二過孔，所述OLED發光層位于該第二過孔內。
[0019]本發明的有益效果:本發明提供的一種OLED顯示裝置，通過在上基板的下表面設置輔助導電層，所述輔助導電層與位于所述下基板的上表面的第二電極直接接觸并且電性連接，可以增加第二電極的導電能力，減少第二電極的電阻，使得面內電壓均勻，提高顯示均一性，減少面板亮度不均、Mura等問題，并且可減薄第二電極的厚度，節省第二電極材料，提高第二電極的透光性。
[0020]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
【附圖說明】
[0021]下面結合附圖，通過對本發明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0022]附圖中，
[0023]圖1為現有技術中一種OLED顯示裝置的結構示意圖；
[0024]圖2為本發明OLED顯示裝置第一實施例的結構示意圖；
[0025]圖3為本發明OLED顯示裝置第二實施例的結構示意圖；
[0026]圖4為本發明OLED顯示裝置第三實施例的結構示意圖；
[0027]圖5為本發明OLED顯示裝置中輔助導電層的一種結構示意圖；
[0028]圖6為本發明OLED顯示裝置中輔助導電層的另一種結構示意圖；
[0029]圖7為本發明OLED顯示裝置中輔助導電層的再一種結構示意圖。
【具體實施方式】
[0030]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0031]請參閱圖2至圖4，本發明提供一種OLED顯示裝置，包括上基板20、下基板40、及密封連接上基板20與下基板40的封框膠60 ；
[0032]所述上基板20包括第一基板21、及設于第一基板21上的輔助導電層23 ;
[0033]所述下基板40包括第二基板41、設于第二基板41上的TFT層42、設于TFT層42上的第一絕緣層43、設于第一絕緣層43上的第二絕緣層44、設于第二絕緣層44上的第一電極45、設于第二絕緣層44與第一電極45上的像素定義層46、設有第一電極45上的OLED發光層47、及設于像素定義層46與OLED發光層47上的第二電極48 ；
[0034]所述下基板40中，所述第一絕緣層43與第二絕緣層44上對應TFT層42上方設有第一過孔434，所述第一電極45經由第一過孔434與所述TFT層42相連接；所述像素定義層46上對應第一電極45上方設有第二過孔465，所述OLED發光層47位于該第二過孔465 內；
[0035]所述上基板20設于所述下基板40的上方，且所述上基板20上設有輔助導電層23的一側與所述下基板40上設有第二電極48的一側相向設置，所述輔助導電層23與所述第二電極48直接接觸并且電性連接。
[0036]具體的，所述第一基板21與第二基板41可以為玻璃基板、塑料基板、或者鋁板，所述第一基板21與第二基板41的材料可以相同或者不同。
[0037]所述第一基板21與第二基板41中至少有一個是透明的。
[0038]優選的，所述第一基板21與第二基板41均為玻璃基板。
[0039]所述封框膠60為UV膠。
[0040]請參閱圖2，為本發明OLED顯示裝置的第一實施例，在該實施例中，所述上基板20中還包括設于第一基板21上的第一光阻間隙物25，所述第一光阻間隙