晶圓圖參數調整方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種晶圓圖參數調整方法及系統。
【背景技術】
[0002]在半導體行業中，自動化程度越來越高，很多工作都盡量交給機器去處理，以提高生產效率和減少顆粒污染。通常，一個裝載盒裝載有多片晶圓，以加快操作人員更換晶圓的速度，提高生產效率。
[0003]在設備機械手提取晶圓之如，通常需要對晶圓是否存在、晶圓是否放斜等晶圓分布進行必要的確認，以防止設備機械手提取晶圓時對設備產生不良后果。
[0004]在半導體制造設備的生產過程中，用于檢測晶圓信號的傳感器及定位傳感器往往具有一定的自由度可調，所以生產出的設備必須進行實際的測試才能確定出晶圓圖的相關參數，在測試過程中，晶圓圖的繪制過程往往需要多次人工采集及計算，極大的影響了生產效率。
【發明內容】
[0005]基于此，有必要針對晶圓圖的繪制過程中的多次人工采集及計算導致生產效率低的問題，提供一種晶圓圖參數調整方法及系統。
[0006]一種晶圓圖參數調整方法，包括如下步驟:
[0007]S100，在裝載盒頂部和底部分別插入第一晶圓和第二晶圓，接收到晶圓圖參數調整命令信號后，控制升降臺帶動所述裝載盒上升；
[0008]S200,晶圓檢測傳感器實時掃描所述裝載盒，并產生脈沖信號；
[0009]S300，計算機控制所述脈沖信號的上升沿對應的升降臺位置參數/下降沿對應的升降臺位置參數存儲至第一存儲模塊中相應的存儲位置處；
[0010]S400，根據所述脈沖信號的所述上升沿對應的升降臺位置參數/所述下降沿對應的升降臺位置參數，計算并檢驗晶圓參數；
[0011]S500，根據所述晶圓參數，計算晶圓圖參數，并將所述晶圓圖參數存儲至第二存儲模塊中；
[0012]其中，當所述晶圓檢測傳感器掃描到所述第一晶圓時，產生第一脈沖信號；
[0013]當所述晶圓檢測傳感器掃描到所述第二晶圓時，產生第二脈沖信號。
[0014]其中，所述步驟S300包括如下步驟:
[0015]S310，檢測到所述脈沖信號的上升沿/下降沿后，觸發操作；
[0016]S320，根據當前所述脈沖信號的上升沿計數值/下降沿計數值，判斷上一次所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值在所述第一存儲模塊中的存儲位置；
[0017]S330，根據所述判斷，將當前所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值存儲至所述第一存儲模塊中另一存儲位置，并修改當前所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值。
[0018]其中，所述步驟S400包括如下步驟：
[0019]S410，檢測所述脈沖信號的所述上升沿計數值與所述脈沖信號的所述下降沿計數值是否相同；
[0020]S420，當所述脈沖信號的所述上升沿計數值與所述脈沖信號的所述下降沿計數值相同時，根據當前計數值，將所述第一脈沖信號的上升沿/下降沿、所述第二脈沖信號的上升沿/下降沿分別對應的所述升降臺位置參數存儲至相應寄存器中；
[0021]S430，根據公式：
[0022]晶圓間距=(所述第二脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數一所述第一脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數）/ (晶圓總片數一 I)
[0023]計算所述晶圓間距；
[0024]S440，檢測所述晶圓間距；
[0025]S450,當所述晶圓間距大于第一預設值時，發出報警指令；
[0026]S450’，當所述晶圓間距小于或等于所述第一預設值時，根據公式：
[0027]晶圓厚度=所述第一脈沖信號的上升沿對應的所述升降臺位置參數一所述第一脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數
[0028]計算所述晶圓厚度；
[0029]S460,檢測所述晶圓厚度；
[0030]S470,當所述晶圓厚度小于或等于晶圓檢測厚度最大值時,將所述晶圓厚度/ 2存入變量 Wafer_half_thickness 中；
[0031]S470’，當所述晶圓厚度大于所述晶圓檢測厚度最大值時，記錄錯誤代碼；
[0032]其中，所述晶圓檢測厚度最大值小于或等于所述晶圓間距/ 3。
[0033]較佳地，所述步驟S400還包括如下步驟：
[0034]S420’，當所述脈沖信號的所述上升沿計數值與所述脈沖信號的所述下降沿計數值不同時，發出報警指令。
[0035]其中，所述步驟S500包括如下步驟：
[0036]S510，根據公式：
[0037]第一片晶圓位置參數=所述第一脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數一所述變量Wafer_half_thickness+第一誤差值
[0038]計算所述第一片晶圓位置參數；
[0039]S520，根據公式：
[0040]第一斜片檢測位置參數=所述第一片晶圓位置參數+所述晶圓間距/ 2
[0041]計算所述第一斜片檢測位置參數。
[0042]相應的，為實現上述晶圓圖參數調整方法，本發明還提供了一種晶圓圖參數調整系統，包括晶圓檢測傳感器和計算機，所述晶圓檢測傳感器與所述計算機連接，其中：
[0043]所述晶圓檢測傳感器，用于實時掃描所述裝載盒，并產生脈沖信號；
[0044]所述計算機，包括信號接收模塊、第一采集模塊、第一存儲模塊、第一計算模塊、第二計算模塊和第二存儲模塊，其中：
[0045]所述信號接收模塊，用于接收晶圓圖參數調整命令信號；
[0046]所述第一采集模塊，用于控制所述脈沖信號的上升沿對應的升降臺位置參數/下降沿對應的升降臺位置參數存儲至第一存儲模塊中相應的存儲位置處；
[0047]所述第一計算模塊，用于根據所述脈沖信號的所述上升沿對應的升降臺位置參數/所述下降沿對應的升降臺位置參數，計算并檢驗晶圓參數；
[0048]所述第二計算模塊，用于根據所述晶圓參數，計算晶圓圖參數；
[0049]所述第二存儲模塊，用于存儲所述晶圓圖參數；
[0050]其中，當所述晶圓檢測傳感器掃描到位于所述裝載盒頂部的第一晶圓時，產生第一脈沖信號；
[0051]當所述晶圓檢測傳感器掃描到位于所述裝載盒底部的第二晶圓時，產生第二脈沖信號。
[0052]其中，所述第一采集模塊包括觸發單元、判斷單元和控制單元，其中:
[0053]所述觸發單元，用于當檢測到所述脈沖信號的上升沿/下降沿時，觸發操作；
[0054]所述判斷單元，用于根據當前所述脈沖信號的上升沿計數值/下降沿計數值，判斷上一次所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值在所述第一存儲模塊中的存儲位置；
[0055]所述控制單元，用于根據所述判斷，將當前所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值存儲至所述第一存儲模塊中另一存儲位置，并修改當前所述脈沖信號的所述上升沿計數值/所述下降沿計數值。
[0056]其中，所述第一計算模塊包括第一檢測單元、第一控制單元、第一計算單元、第二檢測單元、第二控制單元、第二計算單元、第三檢測單元、第三控制單元和第四控制單元，其中:
[0057]所述第一檢測單元，用于檢測所述脈沖信號的所述上升沿計數值與所述脈沖信號的所述下降沿計數值是否相同；
[0058]所述第一控制單元，用于當所述脈沖信號的所述上升沿計數值與所述脈沖信號的所述下降沿計數值相同時，根據當前計數值，將所述第一脈沖信號的上升沿/下降沿、所述第二脈沖信號的上升沿/下降沿分別對應的所述升降臺位置參數存儲至相應寄存器中；
[0059]所述第一計算單元，用于根據公式:
[0060]晶圓間距=(所述第二脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數一所述第一脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數)/ (晶圓總片數一 I)
[0061]計算所述晶圓間距；
[0062]所述第二檢測單元，用于檢測所述晶圓間距；
[0063]所述第二控制單元，用于當所述晶圓間距大于第一預設值時，發出報警指令；
[0064]所述第二計算單元，用于當所述晶圓間距小于或等于所述第一預設值時，根據公式:
[0065]晶圓厚度=所述第一脈沖信號的上升沿對應的所述升降臺位置參數一所述第一脈沖信號的下降沿對應的所述升降臺位置參數
[0066]計算所述晶圓厚度；
[0067]所述第三檢測單元，用于檢測所述晶圓厚度；
[0068]所述第三控制單元，用于當所述晶圓厚度小于或等于晶圓檢測厚度最大值時，將所述晶圓厚度/ 2存入變量Wafer_half_thickness中；
[0069]所述第四控制單元，用于當所述晶圓厚度大于所述晶圓檢測厚度最大值時，記錄錯誤代碼；
[0070]其中，所述晶圓檢測厚度最大值小于或等于所述晶圓間距/ 3。
[0071]其中，所述第一控制單元包括第一控制子單元，其中: