制備的多晶硅層被完全氧化掉，可以通過控制熱氧化的工藝條件使與制備的多晶硅層接觸的硅晶片的表面也被氧化，這樣在采用濕法刻蝕法或干法刻蝕法刻蝕形成的氧化層時，與多晶硅層接觸的硅晶片所形成的氧化層也會被刻蝕掉，從而使得落在溝槽內壁上的雜質粒子也同時從溝槽內壁上被去除掉了。
[0039]步驟103、采用熱氧化法，在去除所述氧化層后形成的圖案上，形成犧牲氧化層，并采用刻蝕法去除所述犧牲氧化層。
[0040]具體地，針對執行步驟102后所形成的圖案采用熱氧化法，使其氧化，形成犧牲氧化層。再采用干法刻蝕法或者濕法刻蝕法去除形成的犧牲氧化層。形成如圖7所示的圖案。需要說明的是，由于溝槽內壁的缺陷由多晶硅填補上了，在溝槽內壁被氧化的過程中，二氧化硅的生長方向、生長速度基本一致，因此僅需要形成較薄的犧牲氧化層即可完全修復溝槽內壁的損傷，在去除形成的犧牲氧化層后，形成完美的溝槽內壁。
[0041]本實施例，通過在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅、按照制備厚度進行氧化形成氧化層、去除該氧化層，使得新形成的圖案在形成犧牲氧化層時，其表面二氧化硅的生長方向和生長速度基本一致，從而僅需要較薄的犧牲氧化層即可修復損傷的溝槽表面，解決了現有技術中需要形成較厚的犧牲氧化層，浪費資源、影響器件的性能的技術問題。
[0042]在上述實施例的基礎上，本發明實施例二提供改善溝槽形貌方法。其中，本發明實施例二為優選實施例。
[0043]圖8為本發明改善溝槽形貌方法實施例二的流程圖。如圖8所示，本實施例的方法可以包括:
[0044]步驟201、米用氣相沉積法,在形成有溝槽的娃晶片表面沉積一層厚度為0.01微米至0.5微米的多晶娃。
[0045]具體地，可以采用低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical VaporDeposit1n,簡稱LPCVD)法或者等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n,簡稱PECVD)法，使硅烷(SiH4)氣體分解，在形成有溝槽的硅晶片表面沉積一層厚度為0.01微米至0.5微米的多晶硅層。其中沉積的多晶硅層的厚度，為本申請人經過多次試驗獲得的經驗值。
[0046]步驟202、采用干氧氧化法或者濕氧氧化法，對所述多晶硅按照制備厚度進行氧化形成氧化層，并采用刻蝕法去除所述氧化層。
[0047]具體地，可以采用熱氧化法中的干氧氧化法或者濕氧氧化法，對所述多晶硅按照制備厚度進行氧化形成氧化層，并采用干法刻蝕法或者濕法刻蝕法去除所述氧化層。
[0048]步驟203、采用干氧氧化法或者濕氧氧化法，在去除所述氧化層后形成的圖案上，形成厚度為0.01微米至0.1微米的犧牲氧化層，并采用刻蝕法去除所述犧牲氧化層。
[0049]具體地，可以采用熱氧化法中的干氧氧化法或者濕氧氧化法，對在去除所述氧化層后形成的圖案進行氧化，并且形成厚度為0.0l微米至0.1微米的犧牲氧化層，并采用干法刻蝕法或者濕法刻蝕法去除形成的犧牲氧化層。其中形成的犧牲氧化層的厚度，為本申請人經過多次試驗獲得的經驗值。
[0050]本實施例，通過進一步控制工藝方法、工藝條件，可以減小形成犧牲氧化層的厚度，從而進一步提聞器件的性能。
[0051]最后應說明的是:以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種改善溝槽形貌方法，其特征在于，包括: 在形成有溝槽的娃晶片表面制備一層多晶娃; 采用熱氧化法，對所述多晶硅按照制備厚度進行氧化形成氧化層，并采用刻蝕法去除所述氧化層； 采用熱氧化法，在去除所述氧化層后形成的圖案上，形成犧牲氧化層，并采用刻蝕法去除所述犧牲氧化層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶娃，包括: 采用氣相沉積法，在形成有溝槽的硅晶片表面沉積一層多晶硅。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氣相沉積法，包括: 低壓化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述多晶硅的厚度為0.0l微米至0.5微米。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述采用刻蝕法去除所述氧化層，包括: 采用干法刻蝕法或濕法刻蝕法，去除所述氧化層。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱氧化法，包括: 干氧氧化法、濕氧氧化法。
7.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述犧牲氧化層的厚度為.0.01微米至0.1微米。
【專利摘要】本發明提供一種改善溝槽形貌方法。本發明改善溝槽形貌方法，包括：在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅；采用熱氧化法，對該多晶硅按照制備厚度進行氧化形成氧化層，并采用刻蝕法去除該氧化層；采用熱氧化法，在去除該氧化層后形成的圖案上，形成犧牲氧化層，并采用刻蝕法去除該犧牲氧化層。本發明，通過在形成有溝槽的硅晶片表面制備一層多晶硅、按照制備厚度進行氧化形成氧化層、去除該氧化層，使得新形成的圖案在形成犧牲氧化層時，其表面二氧化硅的生長方向和生長速度基本一致，從而僅需要較薄的犧牲氧化層即可修復損傷的溝槽表面，解決了現有技術中需要形成較厚的犧牲氧化層，浪費資源、影響器件的性能的技術問題。
【IPC分類】H01L21-02
【公開號】CN104810245
【申請號】CN201410043299
【發明人】李理, 馬萬里, 趙圣哲
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2014年1月29日