量子點發光二極管結構及制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種量子點發光二極管結構及制造方法。
【背景技術】
[0002]量子點發光二極管是介于液晶和OLED之間的新型技術，其擁有成本低、低功耗等優點而引起人們的關注，目前正逐漸被廣泛使用，具有較好的市場前景。但目前所使用的QLED器件結構為層疊式，光通過多層結構激發出來，各層都會對光造成不用程度的損害，而使出光效率不高，器件的整體光亮度不足。
【發明內容】
[0003]基于此，有必要針對光亮度不足的問題，提供一種量子點發光二極管結構。
[0004]一種量子點發光二極管結構，包括:基板；設置在所述基板上的陰極，和依次形成于所述陰極上的電子注入層、電子傳輸層；設置在所述基板上的陽極，和依次形成于所述陽極上的空穴注入層，空穴傳輸層；以及與所述電子傳輸層、所述空穴傳輸層相連接的量子發光層，所述電子傳輸層、所述空穴傳輸層分布在所述量子發光層同一側。
[0005]在其中一個實施例中，基板為玻璃基板或陶瓷基板。
[0006]在其中一個實施例中，基板上設置有反射層。
[0007]在其中一個實施例中，還包括第二電極，所述第二電極包括第二正電極與第二負電極，所述第二正電極設置在所述陽極遠離所述陰極側，所述第二負電極設置在所述陰極遠離所述陽極側。
[0008]還提供一種量子點發光二極管制造方法，包括以下步驟:SI，在基板上形成陰極區域與陽極區域；S2，在所述陰極區域上依次形成陰極、電子注入層和電子傳輸層；在所述陽極區域上依次形成陽極、空穴注入層和空穴傳輸層；以及S3，在所述電子傳輸層、空穴傳輸層上形成量子發光層，所述電子傳輸層與所述空穴傳輸層位于所述量子發光層同一側。
[0009]在其中一個實施例中，步驟SI具體包括:S11，在所述基板上分層開設導電溝槽；S12，在所述導電溝槽中填入導電材料，制成導電層；S13，通過通孔互連將所述導電層引至所述基板表面，形成所述陰極區域與所述陽極區域。
[0010]在其中一個實施例中，步驟SI前，還包括步驟:so，在所述基板上形成反射層。
[0011]在其中一個實施例中，步驟S2具體為:S21，利用掩膜板將所述陰極、電子注入層與電子傳輸層蒸鍍在所述基板陰極區域上；S22，利用掩膜板將所述陽極、空穴注入層與空穴傳輸層蒸鍍在所述基板陽極區域上。
[0012]在其中一個實施例中，步驟S3中形成所述量子發光層的方法為旋涂或噴墨打印。
[0013]在其中一個實施例中，還包括步驟:S4，在所述量子發光層兩側蒸鍍第二正電極與第二負電極，所述第二正電極位于所述空穴傳輸層遠離所述電子傳輸層一側，所述第二負電極位于所述電子傳輸層遠離所述空穴傳輸層一側。
[0014]上述量子點發光二極管結構，大部分光可直接從量子發光層毫無阻擋地發射出來，避免了傳統器件結構中各層對光造成不同程度的損耗，提高光亮度。
[0015]此外，二極管兩側加設第二電極，第二電極形成的電場加快電子傳輸層與空穴傳輸層內的電子和空穴迀移，促進兩者在量子發光層內復合，提高光亮度。
【附圖說明】
[0016]圖1為量子點發光二極管結構不意圖；
[0017]圖2為第一實施例中量子點發光二極管結構不意圖；
[0018]圖3為第二實施例中量子點發光二極管結構示意圖；
[0019]圖4為量子點發光二極管制造方法步驟流程圖；
[0020]圖5為圖4中步驟SI具體操作方法流程圖；
[0021]圖6為圖4中步驟S2具體操作方法流程圖；
[0022]圖7為第三實施例的量子點發光二極管制造方法步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0023]為使本發明的目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
[0024]本發明提出的量子點發光二極管結構包括:基板10、陰極20、電子注入層21、電子傳輸層22、量子發光層40、陽極30、空穴注入層31、空穴傳輸層32。
[0025]請參見圖1。在基板10上設置有陰極20與陽極30，基板10為玻璃基板或陶瓷基板，基板具有一定厚度，在板中分層挖設導電溝槽。陰極20與陽極30在基板中分層設置，通過通孔互連將底面的電極引至基板10表面。
[0026]陰極20上依次為電子注入層21和電子傳輸層22，電子注入層21提供電子，電子傳輸層22傳輸電子，傳輸至量子發光層與空穴復合產生激子。
[0027]陽極30上依次為空穴注入層31和空穴傳輸層32，相同地，空穴注入層31提供空穴，空穴傳輸層32傳輸空穴，傳輸至量子發光層與電子復合。
[0028]量子發光層40與電子傳輸層22、空穴傳輸層32相連接，其中電子傳輸層22和空穴傳輸層32均位于量子發光層40同一側，使量子發光層40遠離兩個傳輸層一面可直接作為出光面。
[0029]優選地，量子發光層40從上方覆蓋陽極部分與陰極部分，該處陽極部分包括陽極30、空穴注入層31和空穴傳輸層32，陰極部分包括陰極20、電子注入層21與電子傳輸層22。以使量子發光層40的頂面、四個側面均為出光面。
[0030]本發明提出的量子點發光二極管結構，大部分光可直接從量子發光層40毫無阻擋地發射出來，避免了傳統器件結構中各層對光造成不同程度的損耗，提高光亮度。
[0031]請參見圖2。在一實施例中，基板上還附有反射層50。
[0032]反射層50由銀、鋁等金屬制成，預先鋪設在基板10表面上，再在基板上挖孔進行陰陽極以及各層的制作。反射層50將量子發光層40向下照射的光線向上反射，提高頂面的出光量。
[0033]請參見圖3。進一步地，量子發光還包括第二電極60，第二電極60包括第二負電極61與第二正電極62，其中第二負電極61設置在電子傳輸層22遠離空穴傳輸層32—側，第二正電極62設置在空穴傳輸層32遠離電子傳輸層22 —側，即圖中電子傳輸層22的左偵U、以及空穴傳輸層32的右側。第二電極60外接電源。
[0034]由于量子發光二極管的發光原理為電子與空穴的復合產生激子，激子在量子發光層激發量子材料發出相應波長的光。添加第二電極60后，第二正電極62與第二負電極61之間形成電場，電場作用在電子傳輸層22與空穴傳輸層32中，促進電子與空穴的迀移，使電子與空穴在量子發光層40區域內更容易復合產生激子。
[0035]基于以上量子點發光二極管結構，本發明還提出該結構的制造方法。請參見圖4，具體步驟包括:
[0036]SI，在基板上形成陰極區域與陽極區域。基板用于承載器件并于外界電源連接，器件陽極與陰極分別對應安裝在基板上的陽極區域與陰極區域，通過埋入式電氣連接與外界導通。
[0037]S2，在陰極區域上依次形成陰極、電子注入層和電子傳輸層；在陽極區域上依次形成陽極、空穴