割預定線ST的變質層R。如圖7A所示，在變質層R中，每隔基于激光光線的波長決定的脈沖間距P進行變質，在如圖7B所示這樣觀察截面時，以沿橫向連續排列的方式形成縱長的橢圓。
[0053]如圖6B所示，重復進行多次上述那樣的利用激光光線實現的變質層R的形成。在形成最初的變質層Rl時，將聚光點在圖6B中的上下位置定位在從光器件晶片W的正面(下表面)朝向背面方向(上方向)規定的量的位置，并照射激光光線。在以這樣的聚光點上下位置沿著所有的分割預定線ST形成變質層Rl后，將聚光點階段性地向上方向移動。然后，進行第2次之后的變質層R2的形成，該變質層R2的形成位置被設定在這樣的位置:該位置是相對于前一次的變質層R的形成使聚光點在圖6B中向上方向移動后的位置，并且是相對于前一次的變質層R的形成使聚光點沿分割預定線ST的寬度方向以規定的分度量分離的位置。具體而言，從光器件晶片W的正面側(下表面側)向背面側(上表面側)以呈弓形排列的方式形成多個變質層R(在本實施方式中，為Rl?R5這5層)。這樣，在光器件晶片W的內部形成沿著分割預定線ST的分割起點。
[0054]在變質層形成工序之后，如圖5C所示，實施分割工序。在分割工序中，將光器件晶片W的基板Wl側以向下的狀態載置于斷裂裝置(未圖示)的一對支承臺35上，并將光器件晶片W的周圍的框架F載置于環狀工作臺36。載置于環狀工作臺36的框架F由設置在環狀工作臺36的四方的夾緊部37保持。一對支承臺35在一個方向(與紙面垂直的方向)上延伸，在一對支承臺35之間配置有攝像構件38。通過該攝像構件38從一對支承臺35之間來拍攝光器件晶片W的背面(下表面)。
[0055]在夾著光器件晶片W的一對支承臺35的上方設有按壓刀具39，該按壓刀具39從上方按壓光器件晶片W。按壓刀具39在一個方向(與紙面垂直的方向)上延伸，并借助未圖示的按壓機構上下移動。當通過攝像構件38拍攝晶片W的背面時，基于攝像圖像將分割預定線ST定位于一對支承臺35之間并且定位于按壓刀具39的正下方。然后，使按壓刀具39下降，由此按壓刀具39隔著粘接片S按壓光器件晶片W并施加外力，以變質層R作為分割起點來分割光器件晶片W。此時，在按壓刀具39所按壓的分割預定線ST上，在光器件晶片W的厚度方向上呈弓形排列地形成且在厚度方向上相鄰的變質層R之間形成裂縫K(參照圖6C)。由于該裂縫K，在分割預定線ST處，以圖1和圖2所示的側面21c的形狀即截面形狀為弓形的形狀從正面分割至背面。此時，由于裂縫K，在夾著分割預定線ST的一個光器件I上形成呈弓形鼓起的側面形狀，并且，在另一個光器件I上形成呈弓形凹陷的側面形狀(參照圖6C)。通過將按壓刀具39按壓在所有的分割預定線ST上，由此將光器件晶片W分割成一個個光器件I。
[0056]并且，并不特別限定，作為變質層形成工序中的激光加工條件，可以例示出以下的實施例。各實施例中的散焦量表示聚光點距離光器件晶片W的背面(上表面)的厚度方向距離。
[0057](實施例)
[0058]輸出:0.1ff
[0059]加工進給速度:1000mm/s
[0060]變質層R的形成次數:4次
[0061]最初的變質層Rl形成時的散焦量:40 μπι
[0062]第2次變質層R2形成時的散焦量:32.5 μ m
[0063]第3次變質層R3形成時的散焦量:25 μ m
[0064]第4次變質層R4形成時的散焦量:17.5 μ m
[0065]變質層Rl與變質層R2之間的分度:8 μ m
[0066]變質層Rl與變質層R3之間的分度:16 μ m
[0067]變質層Rl與變質層R4之間的分度:8 μπι
[0068]關于上述實施例的條件的光器件，當對放射出的所有的光的強度(power)的合計值(總輻射通量測量)進行測量時，與和上述比較結構相同地使基板的側面形成為平面狀的光器件相比，亮度提高了 I?2%。
[0069]如以上那樣，根據本實施方式的加工方法，即使光器件晶片W的厚度變薄，也能夠形成截面形狀為弓形的曲面形狀的側面21c。而且，在變質層形成工序中，由于在光器件晶片W的厚度方向上呈弓形排列地形成變質層R，因此，在分割工序中，僅通過對光器件晶片W施加外力就能夠呈弓形進行分割。由此，能夠抑制上述各工序變得復雜或工序時間變長，從而能夠尚效地制造光器件I。
[0070]并且，本發明并不限定于上述實施方式的技術，能夠進行各種變更來實施。在上述實施方式中，關于在附圖中圖示的大小或形狀等，并不限定于此，能夠在發揮本發明的效果的范圍內適當地進行變更。此外，只要不脫離本發明的目的范圍，能夠適當地變更并實施。
[0071]例如，在上述實施方式中，利用斷裂裝置進行分割工序，但并不限于此，只要能夠沿著分割預定線ST將光器件晶片W分割成一個個光器件I即可。
[0072]另外，在上述的實施方式中，上述各工序可以由不同的裝置來實施，也可以由同一個裝置來實施。
[0073]為了提高在基板的正面形成有發光層的光器件的光的導出效率，本發明是有用的。
【主權項】
1.一種光器件，其特征在于， 所述光器件具備: 基板；和 形成于該基板的正面的發光層， 該基板具有:四邊形的正面；四邊形的背面，其與該正面平行且形狀相同；以及4個側面，它們連結該正面和該背面， 該4個側面中的彼此相鄰的2個側面的截面形狀形成為從該正面至該背面呈弓形鼓起的形狀，除此以外的2個側面的截面形狀形成為從該正面至該背面呈弓形凹陷的形狀。
2.一種光器件的加工方法，其是權利要求1所述的光器件的加工方法， 所述光器件的加工方法的特征在于， 該光器件的加工方法由下述工序構成: 粘貼工序，在光器件晶片的正面側粘貼保護帶，其中，在所述光器件晶片的正面具有發光層并且形成有多個交叉的分割預定線，在由該分割預定線劃分出的該發光層的各區域中分別具有光器件； 變質層形成工序，在實施了該粘貼工序之后，將對于該光器件晶片具有透射性的波長的激光光線的聚光點定位在從該光器件晶片的正面起朝向背面方向規定量的位置，從該光器件晶片的背面側沿著該分割預定線照射所述激光光線而形成最初的變質層，接下來，使聚光點階段性地向該背面方向移動并重復多次，從正面側至背面側形成多個變質層；和 分割工序，在實施了該變質層形成工序之后，對光器件晶片施加外力而將光器件晶片分割成一個個光器件， 在該變質層形成工序中，多個變質層形成為在光器件晶片的厚度方向上從該正面至該背面呈弓形排列， 在該分割工序中，在呈該弓形排列地形成且沿光器件晶片的厚度方向相鄰的變質層之間形成裂縫，從而將光器件晶片以截面形狀為弓形的形狀從該正面分割至該背面。
【專利摘要】本發明提供一種光器件及光器件的加工方法，其能夠提高光的導出效率。本發明的光器件(1)具備：基板(21)；和形成于基板的正面的發光層(22)。基板具有：四邊形的正面(21a)；與正面平行且形狀相同的四邊形的背面(21b)；以及連結正面和背面的4個側面(21c)。4個側面中的2個側面的截面形狀形成為從正面至背面呈弓形鼓起的形狀。除此以外的2個側面的截面形狀形成為從正面至背面呈弓形凹陷的形狀。
【IPC分類】B28D5-00, H01L33-00, B23K26-53, H01L21-78, H01L33-20
【公開號】CN104795478
【申請號】CN201510016816
【發明人】深谷幸太
【申請人】株式會社迪思科
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年1月14日
【公告號】US20150207297