透明導電性膜的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及一種透明導電性膜。
【背景技術】
[0002] W往，透明導電性膜用于觸控面板等電子設備零件的電極、遮斷成為電子設備的 誤動作的原因的電磁波的電磁波屏蔽構件等。已知透明導電性膜是通過瓣鍛法在透明樹脂 膜上形成口〇(Indium Tin化ide，銅-錫復合氧化物）等的金屬氧化物層而獲得的。然而， 利用瓣鍛法的透明導電性膜的制造有需要大規模的設備而成本變高的問題。另外，也有難 W制造寬度較寬的透明導電性膜的問題。進而，通過瓣鍛法獲得的透明導電性膜有透光率 變低的問題。
[0003]作為解決上述瓣鍛法的問題的方法，提出有在聚對苯二甲酸己二醋（陽T)基材上 形成由金屬納米線、金屬網等構成的導電層的方法。例如，在專利文獻1中，提出有在PET基 材上形成包含銀納米線的層的方法。利用該方法獲得的透明導電性膜的包含銀納米線的層 具有開口部，透過率高。然而，用作基材的PET為了獲得實用的機械強度，需要拉伸處理，因 此相位差非常大，在將使用該種陽T基材而獲得的透明導電性膜例如組合至液晶顯示器而 使用的情況下，產生虹狀的斑紋（W下也稱為虹斑）。該種現象在使用透過率高的透明導電 性膜（例如如上所述包含金屬納米線（銀納米線）、金屬網等的透明導電性膜）的情況下， 即在自透明導電性膜射出的光量多的情況下，特別成為問題。另外，由于在自斜向的可視時 明顯地可見該虹斑，因而在自斜向觀察畫面端部的大型顯示器中，虹斑的產生特別成為問 題。
[0004]現有技術文獻 [000引專利文獻
[0006] 專利文獻1 ;日本特表2009-505358號公報
【發明內容】
[0007] 發明所要解決的課題
[000引本發明是為了解決上述課題而作出的，其目的在于提供一種透明導電性膜，其制 造簡便容易，透過率及導電性高，且可抑制虹狀的斑紋的產生。
[0009]解決課題的技術手段
[0010] 本發明的透明導電性膜是具有透明基材及形成于該透明基材上的透明導電層、且 總光線透過率為80% W上的透明導電性膜，其中，上述透明基材的厚度方向的相位差的絕 對值為lOOnm W下，且上述透明導電層包含金屬納米線或金屬網。
[0011] 在優選的實施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差為50nm W下。
[0012] 在優選的實施方式中，上述透明基材的面內相位差為lOnm W下。
[0013]在優選的實施方式中，上述透明基材包含環締姪系樹脂。
[0014]在優選的實施方式中，上述透明基材包含丙締酸系樹脂。
[0015] 在優選的實施方式中，上述金屬納米線為銀納米線。
[0016] 根據本發明的另一方式，提供一種觸控面板。該觸控面板包含上述透明導電性膜。
[0017] 根據本發明的又一方式，提供一種電磁波屏蔽構件。該電磁波屏蔽構件包含上述 透明導電性膜。
[0018] 根據本發明的再一方式，提供一種液晶顯示元件。該液晶顯示元件具備上述觸控 面板及/或上述電磁波屏蔽構件。
[0019] 根據本發明的再一方式，提供一種有機電致發光顯示裝置。該有機電致發光顯示 裝置自可視側起依次具備上述觸控面板、偏振片及有機電致發光元件。
[0020] 在優選的實施方式中，上述有機電致發光顯示裝置在上述觸控面板與上述偏振片 之間進一步具備上述電磁波屏蔽構件。
[0021] 根據本發明的再一方式，提供一種有機電致發光顯示裝置。該有機電致發光顯示 裝置自可視側起依次具備上述電磁波屏蔽構件、偏振片及有機電致發光元件。
[00巧發明的效果
[0023] 根據本發明，通過由在厚度方向的相位差的絕對值小的透明基材上形成包含金屬 納米線或金屬網的透明導電層，可提供一種透過率及導電性高、且可抑制虹狀的斑紋的產 生的透明導電性膜。由于本發明的透明導電性膜可通過涂布形成上述透明導電層，因而可 簡便容易地制造。
【附圖說明】
[0024] 圖1是本發明的優選的實施方式的透明導電性膜的概略截面圖。
[0025] 圖2是本發明的實施方式之一的液晶顯示元件的概略截面圖。
[0026] 圖3是本發明的實施方式之一的液晶顯示元件的概略截面圖。
[0027] 圖4是本發明的實施方式之一的有機電致發光顯示裝置的概略截面圖。
[002引圖5是本發明的實施方式之一的有機電致發光顯示裝置的概略截面圖。
【具體實施方式】
[002引A.誘巧導由忡腸的蔣體構成
[0030] 圖1是本發明的優選的實施方式的透明導電性膜的概略截面圖。如圖1所示，本 發明的透明導電性膜10具有透明基材1及形成于透明基材1上的透明導電層2。透明導電 層2包含金屬納米線或金屬網。
[0031] 本發明的透明導電性膜的總光線透過率優選為80% W上，更優選為85% W上，特 別優選為90% W上。在本發明中，通過具備包含金屬納米線或金屬網的透明導電層，可獲 得總光線透過率高的透明導電性膜。另外，由于本發明的透明導電性膜具備厚度方向的相 位差小的透明基材，因而即便如上所述那樣透過率高，即，即便自透明導電性膜射出的光量 多，也可抑制虹斑。本發明的效果之一為同時實現了高透光率與虹斑的抑制。
[0032] 本發明的透明導電性膜的表面電阻值優選為0. 10/□~1000Q/□，更優選為 0. 50/□~5000/□，特別優選為10/□~2500/□。在本發明中，通過具備包含金屬 納米線或金屬網的透明導電層，可獲得表面電阻值小的透明導電性膜。另外，通過少量金 屬，從而如上所述那樣表面電阻值小，可示出優良的導電性，因此可獲得透光率高的透明導 電性膜。
[00扣]B.誘巧甚材
[0034] 上述透明基材的厚度方向的相位差化h的絕對值為lOOnmW下，優選為75nmW 下，更優選為50nmW下，特別優選為lOnmW下，最優選為5nmW下。另外，在本說明書中， 厚度方向的相位差Rth是指23°C、波長為545. 6nm下的透明基材的厚度方向的相位差值。 在將面內的折射率為最大的方向（即慢軸方向）的折射率設為nx，將厚度方向的折射率設 為nz，并將透明基材的厚度設為d(nm)時，Rth可根據化h=(nx-nz)Xd而求出。
[0035] 上述透明基材的面內相位差Re優選為lOnmW下，更優選為5nmW下，進一步優選 為Onm~2nm。另外，在本說明書中，面內相位差Re是指23°C、波長為545. 6nm下的透明基 材的面內相位差值。在將面內的折射率為最大的方向（即慢軸方向）的折射率設為nx，將 在面內與慢軸正交的方向（即快軸方向）的折射率設為ny，并將光學膜的厚度設為d(nm) 時，Re可根據Re=(nx-ny)Xd而求出。
[0036] 本