芯片電子組件及其制造方法
【專利說明】芯片電子組件及其制造方法
[0001]本申請要求于2014年I月7日在韓國知識產權局提交的第10-2014-0001659號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開通過引用包含于此。
技術領域
[0002]本公開涉及一種芯片電子組件及其制造方法。
【背景技術】
[0003]電感器(芯片電子組件)是與電阻器和電容器一起形成電子電路以去除噪聲的有代表性的無源元件。電感器與電容器利用電磁特性結合以構成放大特定頻段中的信號的諧振電路或者濾波電路等。
[0004]近來，隨著加快了諸如各種通信裝置或顯示裝置等的信息技術(IT)裝置的小型化和薄化，對于小型化和薄化諸如電感器、電容器和晶體管等的各種元件的技術的研究已持續地進行。
[0005]近來，由于電子裝置中需要小型化和高性能，所以功耗增加。對應于功耗的增加，在電子裝置的電源電路中使用的電源管理集成電路(PMIC)或DC-DC轉換器中，開關頻率增加且從其輸出的電流增大，使得用于使從PMIC或DC-DC轉換器輸出的電流穩定的功率電感器的使用也增加。
[0006]功率電感器的發展具有向小型化、高電流和低直流電阻集中的趨勢，但在根據相關技術的多層功率電感器中實現小型化、高電流和低直流電阻受到限制。因此，已經開發出通過將磁粉與樹脂混合在線圈圖案上而形成的薄膜型電感器，線圈圖案是通過在薄絕緣基底的上表面和下表面上進行鍍覆形成的。
[0007]在薄膜型電感器中，為了在通過鍍覆形成線圈圖案之后極大地確保電感，將除了其上形成有線圈圖案的區域之外的其他區域中的絕緣基底去除。然而，在除了其上形成有線圈圖案的區域之外的所有區域中的絕緣基底被去除的情況下，因為絕緣基底的用于支撐線圈的力可能是不足夠的，所以在堆疊和壓制磁性層的工藝期間，會發生線圈變形的問題，并且因線圈的變形發生暴露缺陷。
[0008][現有技術文獻]
[0009]第2006-278479號日本專利特許公開
【發明內容】
[0010]本公開的一方面可以提供一種芯片電子組件及其制造方法，所述芯片電子組件能夠通過增大用于支撐內線圈部的力防止內線圈部在堆疊和壓制磁性層期間變形，并且能夠減少因內線圈部的變形引起的暴露缺陷。
[0011]根據本公開的一方面，一種芯片電子組件可以包括:磁體，包括絕緣基底；內線圈部，形成在絕緣基底的至少一個表面上；以及外電極，形成在磁體的端表面上并連接到內線圈部。絕緣基底可以包括其上未形成有內線圈部的橋接圖案部。
[0012]橋接圖案部可以暴露于磁體的彼此相對的兩個側表面。
[0013]橋接圖案部可以在磁體的寬度方向上暴露于磁體的彼此相對的兩個側表面。
[0014]橋接圖案部可以防止形成在絕緣基底上的內線圈部的變形。
[0015]當絕緣基底的厚度定義為t并且磁體的使橋接圖案部暴露的一個側表面的長度定義為I時，橋接圖案部的暴露于磁體的一個側表面的表面的面積與txi的面積的比率可以為0.02至0.88。
[0016]絕緣基底可以包括形成在絕緣基底的中心部分中的通孔，通孔可以填充有磁性材料以形成核心部。
[0017]絕緣基底可以利用從包括聚丙二醇(PPG)基底、鐵素體基底和金屬基軟磁基底的組中選擇的一種或更多種來形成。
[0018]根據本公開的另一方面，一種芯片電子組件可以包括:磁體，包括絕緣基底，絕緣基底包含形成在絕緣基底的中心部分中的通孔；內線圈部，形成在絕緣基底的兩個表面上，并具有暴露于磁體的彼此相對的兩個端表面的第一引線部分和第二引線部分；以及第一外電極和第二外電極，形成在磁體的兩個端表面并且分別連接到內線圈部的第一引線部分和第二引線部分。絕緣基底可以包括在磁體的寬度方向上暴露于磁體的彼此相對的兩個側表面的橋接圖案部，以防止內線圈部的變形。
[0019]當絕緣基底的厚度定義為t并且磁體的使橋接圖案部暴露的一個側表面的長度定義為I時，橋接圖案部的暴露于磁體的一個側表面的表面的面積與txi的面積的比率可以為0.02至0.88。
[0020]通孔可以填充有磁性材料以形成核心部。
[0021]絕緣基底可以利用從包括聚丙二醇(PPG)基底、鐵素體基底和金屬基軟磁基底的組中選擇的一種或更多種來形成。
[0022]根據本公開的又一方面，一種芯片電子組件的制造方法可以包括:在絕緣基底的至少一個表面上形成內線圈部；去除絕緣基底的其上未形成有內線圈部的部分；將磁性層堆疊在包括內線圈部的絕緣基底的上部和下部上以形成磁體；以及在磁體的端表面上形成外電極以連接到內線圈部。在去除絕緣基底的其上未形成有內線圈部的部分的步驟中，可以僅去除所述部分中的一部分。
[0023]橋接圖案部可以暴露于磁體的彼此相對的兩個側表面。
[0024]橋接圖案部可以在磁體的寬度方向上暴露于磁體的彼此相對的兩個側表面。
[0025]橋接圖案部可以防止在堆疊磁性層以形成磁體時形成在絕緣基底上的內線圈部的變形。
[0026]當絕緣基底的厚度定義為t并且磁體的使橋接圖案部暴露的一個側表面的長度定義為I時，橋接圖案部的暴露于磁體的一個側表面的表面的面積與txi的面積的比率可以為0.02至0.88。
[0027]絕緣基底可以包括形成在絕緣基底的中心部分中的通孔，通孔可以用磁性材料填充以在堆疊磁性層時形成核心部。
【附圖說明】
[0028]根據下面結合附圖進行的詳細的描述，本公開的以上和其他方面、特征和其他優點將被更清楚地理解，在附圖中:
[0029]圖1是示出根據本公開的示例性實施例的包括內線圈部的芯片電子組件的示意性透視圖；
[0030]圖2是根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件的示意性平面圖；
[0031]圖3是根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件的示意性平面圖；
[0032]圖4是示出根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件的橋接圖案部的橫截面區域的示意性透視圖；
[0033]圖5是示出根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件的制造方法的流程圖；以及
[0034]圖6至圖8是順序地示出根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件的制造方法的視圖。
【具體實施方式】
[0035]現在將參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例。
[0036]然而，本公開可以以很多不同的形式來舉例說明，并不應該被解釋為局限于在此闡述的特定實施例。而是，提供這些實施例使得本公開將是透徹的和完整的，并將把本公開的范圍充分地傳達給本領域技術人員。
[0037]在附圖中，為了清晰起見，可以夸大元件的形狀和尺寸，并將始終采用相同的附圖標記來表示相同或相似的元件。
[0038]芯片電子纟目件
[0039]在下文中，將描述根據本公開的示例性實施例的芯片電子組件。詳細地，將描述薄膜型電感器，但本公開不限于此。
[0040]圖1是示出根據本公開的示例性實施例的包括內線圈部的芯片電子組件的示意性透視圖。
[0041]參照圖1，作為芯片電子組件的示例，提供在電源電路的電源線中使用的薄膜型芯片電感器100。芯片電子組件可以適當地作為芯片磁珠和芯片濾波器等以及芯片電感器來應用。
[0042]薄膜型電感器100可以包括磁體50、絕緣基底20、內線圈部40以及外電極81和82。
[0043]磁體50可以由任意材料形成而不受具體的限制，只要該材料可以形成薄膜型電感器100的外型并且呈現磁的性質即可。例如，磁體50可以通過利用鐵素體或金屬基軟磁材料來形成。
[0044]作為鐵素體的示例,可以使用諸如Mn-Zn基鐵素體、N1-Zn基鐵素體、N1-Zn-Cu基鐵素體、Mn-Mg基鐵素體、Ba基鐵素體