制造柔性基底的方法和使用該方法制造顯示裝置的方法
【專利說明】制造柔性基底的方法和使用該方法制造顯示裝置的方法
[0001]本專利申請要求在2013年12月30日提交的第10-2013-0167183號韓國專利申請的優先權和權益，出于各種目的通過引用將該申請包含于此，就如同在這里被充分地闡述一樣。
技術領域
[0002]本發明的示例性實施例涉及一種制造柔性基底的方法和一種使用該方法制造顯示裝置的方法。更具體地，本發明的示例性實施例涉及一種在支撐基底上制造柔性基底的方法和一種使用該方法制造顯示裝置的方法。
【背景技術】
[0003]近年來，已經開發了包括柔性基底的顯示裝置。響應于用戶的需求，具有柔性基底的顯示裝置是彎曲的，因此，顯示裝置為用戶提供移動或手持顯示裝置的過程中改進的便利性。塑料基底(例如，具有優異的耐熱性和強度的聚酰亞胺基底)和金屬基底被廣泛地用作柔性基底。
[0004]當利用柔性基底制造顯示裝置時，為了確保柔性基底的表面平整性，可以使用諸如玻璃基底的支撐基底來形成柔性基底。例如，在支撐基底上設置柔性基底，在柔性基底上執行薄膜形成工藝以在柔性基底上形成像素。然后，將其上形成有像素的柔性基底與支撐基底分開。然而，在形成像素的同時柔性基底會變得強有力地附著到支撐基底。因此，將柔性基底與支撐基底分開會是困難的。
[0005]在該【背景技術】部分公開的上述信息僅為了增強對本發明的背景的理解，因此它可以包含不構成現有技術的信息。
【發明內容】
[0006]本發明的示例性實施例提供了一種制造柔性基底的方法。
[0007]本發明的示例性實施例提供了一種使用所述柔性基底的制造方法制造顯示裝置的方法。
[0008]將在下面的描述中部分地闡述另外的方面，另外的方面部分地通過該描述將是清楚的，或可通過本發明的實踐而了解。
[0009]本發明的示例性實施例公開了一種制造柔性基底的方法，所述方法包括在支撐基底上形成犧牲層，然后在犧牲層上形成柔性基底。然后，利用微波能加熱犧牲層以從犧牲層產生氣體。然后，利用所述氣體將柔性基底與其上形成有犧牲層的支撐基底分開。
[0010]本發明的示例性實施例還公開了一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括在支撐基底上形成犧牲層，然后在犧牲層上形成柔性基底。然后，在柔性基底上形成像素，利用微波能加熱犧牲層以從犧牲層產生氣體。然后，利用所述氣體將包括形成在其上的像素的柔性基底與其上形成有犧牲層的支撐基底分開。
[0011]支撐基底是玻璃基底，柔性基底是聚酰亞胺基底，并且犧牲層包括與氫結合的碳化娃。
[0012]將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細描述二者是示例性的和解釋性的，且意在提供對要求保護的本發明的進一步的解釋。
【附圖說明】
[0013]包括附圖以提供對本發明的進一步的理解，附圖被包含在本說明書中并構成本說明書的一部分，附圖示出了本發明的示例性實施例，并與描述一起用于解釋本發明的原理。
[0014]圖1是示出根據本發明的示例性實施例的顯示裝置的制造方法的流程圖。
[0015]圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F和圖2G是示出根據本發明的示例性實施例的顯示裝置的制造方法的視圖。
[0016]圖3是示出根據本發明的示例性實施例的柔性基底的制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0017]現在將在下文中參照附圖更充分地描述本發明，在附圖中示出本發明的說明性的實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式來實施且不應被解釋為限于這里所闡述的實施例。而是，提供這些示例性實施例使得本公開是徹底的，并將本發明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中，同樣的附圖標記指示同樣的元件，并且為了清晰可以夸大層和區域的尺寸和厚度。
[0018]將被理解的是，當元件或層被稱作“在”另一元件或層“上”、“連接到”或“結合到”另一元件或層時，該元件或層可以直接在另一元件或層上，直接連接到或直接結合到另一元件或層，或者可以存在中間元件或層。相反，當元件或層被稱作“直接在”另一元件或層“上”、“直接連接到”或“直接結合到”另一元件或層時，不存在中間元件或層。將被理解的是，為了本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一者(個)”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的兩項或更多項的任意組合(例如，XYZ、XYY、TL、ZZ)。如這里使用的，術語“和/或”包括相關列出的項的一項或更多項的任意和全部組合。
[0019]將被理解的是，雖然在這里可以使用術語第一、第二等來描述不同的元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅是用來將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分相區分開。因此，在不脫離本發明的教導的情況下，下面所述的第一元件、組件、區域、層或部分可以稱為第二元件、組件、區域、層或部分。
[0020]為了便于描述，這里可以使用諸如“在..?之下”、“在..?下方”、“下面的”、“在..?上方”和“上面的”等的空間相對術語來描述如附圖中示出的一個元件或特征相對于其它元件或特征的關系。將被理解的是，空間相對術語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉，則描述為“在”其它元件或特征“之下”或“下方”的元件或特征隨后將被定位為“在”其它元件或特征的“上方”。因此，示例性的術語“在..?下方”可以包含上方和下方兩個方位。所述裝置可以被另外定位(旋轉90度或在其它方位)并相應地解釋這里所使用的空間相對描述語。
[0021 ] 這里所使用的術語僅為了描述具體實施例的目的，而不意圖限制本發明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式的“一種”、“一個”、“所述”和“該”也意圖包括復數形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0022]除非另外定義，否則這里所使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發明所屬的技術領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術語(諸如在通用的詞典中定義的術語)應該被解釋為具有與它們在相關領域的環境中的含義相一致的含義，且將不以理想化的或過于形式化的含義來解釋。
[0023]以下，將參照附圖詳細解釋本發明。
[0024]參照圖1，在支撐基底上形成包含結合有氫的碳化硅(SiC)(氫化碳化硅)的犧牲層(SlO)。例如，支撐基底可以是玻璃基底。另外，可以利用包含硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)的源氣通過化學氣相沉積方法來形成犧牲層。
[0025]然后，在犧牲層上形成柔性基底(S20)。例如，柔性基底可以為聚酰亞胺基底。通過在犧牲層上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅物，然后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺基底。
[0026]隨后，在形成在支撐基底上的柔性基底上形成包括像素的像素部(S30)。當顯示裝置是有機電致發光顯示裝置時，每個像素包括陽極、陰極以及置于陽極和陰極之間的有機發光層。另一方面，當顯示裝置是液晶顯示裝置時，每個像素包括像素電極、相對電極以及置于像素電極和相對電極之間的液晶層。
[0027]之后，利用微波加熱犧牲層來使犧牲層中的氫氣化(S40)。微波通常具有大約8GHz到大約16GHz的頻率，通過控制微波能輻射到犧牲層上的時間來在大約400°C至大約500 °C的溫度下加熱犧牲層。
[0028]當在大約400°C至大約500°C的溫度下加熱犧牲層時，包含在犧牲層中的氫氣化，并從犧牲層排出氣體。更具體地，當加熱犧牲層時，在犧牲層中發生脫氫，氫從犧牲層中包含的碳化硅脫離并作為氣相釋放。因此，從犧牲層排出氣體。
[0029]然后，利用該氣體將柔性基底(包括形成在其上的像素部)與支撐基底分開(S50)。更詳細地，由于從犧牲層排出氣體，因此降低了柔性基底和犧牲層之間的結合強度。因此，可以容易地將柔性基底(包括形成在其上的像素部)與支撐基底分開，從而制造包括柔性基底和像素部的顯示裝置。
[0030]圖2A至圖2G是示出顯示裝置的制造方法的視圖。
[0031]參照圖2A，準備支撐基底10，在支撐基底10中限定了單元區域CA和設置在單元區域CA外部的邊緣區域EA。例如，支撐基底10可以是玻璃基底或剛性基底，例如晶片。
[0032]在支撐基底10上形成預犧牲層20以與單元區域CA和邊緣區域EA對應。
[0033]預犧牲層20可以由吸收微波能的無機材料形成。在示例性實施例中，預犧牲層20的氫化碳化硅通過吸收微波能來被加熱。
[0034]在本示例性實施例中，通過化學氣相沉積(CVD)方法來形成預犧牲層20。當由氫化碳化硅來形成預犧牲層20時，在化學氣相沉積中使用的源氣28可以包括硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)。
[0035]在示例性實施例中，預犧牲層20中的氫的重量百分比(wt% )在大約Iwt%到大約50wt%的范圍內。當預犧牲層20中的氫的重量百分比小于大約^^%時，從預犧牲層20排出的氣體GS(參照圖2F)的量會減少。另外，當預犧牲層20中的氫的重量百分比超過大約50被％時，預犧牲層20中包含的碳化硅的重量百分比變得更小。因此，這些情況導致犧牲層對微波MW(參照圖2F)的能量的吸收的劣化，因此，增加了加熱犧牲層所需的時間。在示例性實施例中，通過控制源氣28中包含的甲烷(CH4)的濃度來控制預犧牲層20中的氫的重量百分比。
[0036]參照圖2B和圖2C，去除預犧牲層20的與邊緣區域EA對