一種等離子刻蝕裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及平板顯示行業等離子刻蝕裝置，尤其涉及一種可有效提高刻蝕均勻性的等離子刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]目前，平板顯示行業中TFT (Thin Film Transistor)板的加工處理過程廣泛采用諸如等離子體刻蝕技術等的等離子體技術。所謂等離子體技術是指，工藝氣體在射頻功率的激發下產生電離形成含有大量電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子的等離子體，這些活性粒子與被加工物體(如TFT基板)表面發生各種物理和化學反應并形成揮發性的生成物，從而使得被加工物體表面的性能發生變化。
[0003]等離子體技術是依靠等離子體加工設備來實現的。通常，工藝氣體通過設置在等離子體加工設備反應腔室上的氣體分配裝置而進入到反應腔室，并在此受到射頻功率的激發產生電離而形成等離子體；等離子體與被加工物體表面發生物理和化學反應，并形成揮發性的反應生成物；該反應生成物脫離被加工物體表面后,被真空系統抽出反應腔室。
[0004]目前，等離子體加工設備的種類較多，根據工作原理不同，主要包括RIE(Reactive1n Etching,反應離子刻蝕)、ICP (Inductively Coupled Plasma誘導稱合等離子刻蝕)、ECCP (Enhanced Capacitive Coupled Plasma,增強型電容f禹合等離子刻蝕)等。如圖1和圖2就示出了目前廣泛采用的一種ICP等離子體加工設備中的部分結構，該等離子設備主要包括:反應腔室I’、上部電極4’、下部電極5’、氣體輸入系統和真空獲得系統等。所述上部電極4’和所述下部電極5’設置在所述反應腔室I’內，圍繞所述下部電極5’的四周設置有排氣板6’，相鄰所述排氣板6’之間形成排氣口 7’，被加工的TFT基板吸附并固定在所述下部電極5’上。所述氣體輸入系統、所述真空獲得系統設置于所述反應腔室I’的外部，所述氣體輸入系統通過氣體輸入孔2’向所述反應腔室I’內輸入加工氣體，所述真空獲得系統用于將反應生成物抽出所述反應腔室I’。
[0005]等離子體加工設備的工藝過程一般是:首先，利用真空獲得系統將反應腔室抽真空；而后，通過氣體輸入系統并經由氣體分配裝置將工藝所需的加工氣體輸入到反應腔室內；然后激活加工氣體，點燃和維持等離子，使其與被加工的TFT基板進行物理、化學反應，以獲得所需要的加工圖形；同時，反應后的生成物經過排氣板的排氣孔后由真空獲得系統將其抽出反應腔室。
[0006]在上述工藝過程中，等離子的分布情況會直接影響被加工TFT基板的刻蝕均勻性，而排氣板的結構和排氣口的分布方式則會影響抽氣方式進而影響反應腔室內等離子的分布。而且，在實際應用中，不同被加工TFT基板的刻蝕負載不同，刻蝕負載大的位置所需等離子體多，刻蝕負載小的位置所需等離子體少，而上述現有的離子體加工設備中，是通過反應腔室下部電極四個角落處的排氣口進行排氣，這樣的排氣方式會引起腔室內排氣氣流明顯的不均勻，影響等離子的分布，導致被加工TFT基板的刻蝕均勻性比較差，影響TFT基板產品質量。
【發明內容】
[0007]為此，本發明所要解決的技術問題在于現有技術中刻蝕裝置的排氣方式會引起腔室內排氣氣流明顯的不均勻，影響等離子的分布，導致被加工TFT基板的刻蝕均勻性比較差，影響TFT基板產品質量，而提供一種能夠根據刻蝕負載具體情況進行靈活調節排氣方式，被加工TFT基板的刻蝕均勻性大大提高，加工后的TFT基板產品質量好的等離子刻蝕裝置。
[0008]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下:
[0009]一種等離子刻蝕裝置，包括
[0010]反應腔室；
[0011 ] 上部電極、下部電極，設置于所述反應腔室內，所述下部電極的四周設置有排氣板，所述排氣板上具有若干間隔分布的排氣孔；
[0012]氣體輸入系統，設置于所述反應腔室外部，通過氣體輸入孔向所述反應腔室內輸入加工氣體；
[0013]真空獲得系統，設置于所述反應腔室外部，通過排氣口將反應生成物抽出所述反應腔室；
[0014]刻蝕終點檢測器，設置于所述反應腔室內；
[0015]主控制臺，用于控制所述等離子刻蝕裝置的運行；
[0016]還包括
[0017]調節機構，設置于所述反應腔室內，用于根據刻蝕負載進行調節所述排氣孔的通氣面積。
[0018]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節機構包括與所述排氣板上下疊放的調節板，所述調節板上成型有若干與所述排氣孔對應的通氣孔，所述調節板可與所述排氣板相對移動，以調節所述通氣孔與所述排氣孔的相對位置，調節所述排氣孔的通氣面積。
[0019]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節板與所述排氣板結構相同，所述排氣板上相鄰所述排氣孔的間隔部分面積和所述調節板上相鄰所述通氣孔的間隔部分面積分別大于或等于一個所述排氣孔的面積和一個所述通氣孔的面積。
[0020]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節板包括至少三個并列排布的調節板組件，所述調節板上的每個所述調節板組件可獨立移動，以調節所述排氣孔的通氣面積。
[0021]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節板包括三個并列排布的所述調節板組件。
[0022]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節板上的所述通氣孔為長孔，所述通氣孔與至少兩個所述排氣孔對應，沿所述長孔的寬度方向調節所述調節板可調節所述排氣孔的通氣面積。
[0023]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節板上的所述通氣孔形狀、大小不一致。
[0024]上述等離子刻蝕裝置中，所述調節機構還包括，
[0025]驅動裝置，與所述調節板或所述調節板組件連接，用于驅動所述調節板或者所述調節板組件運動進而調節所述排氣孔的通氣面積；
[0026]控制器，其信號輸入端與所述主控制臺的信號輸出端電連接，所述控制器的信號輸出端與所述驅動裝置電連接，所述主控制臺的信號輸入端與所述刻蝕終點檢測器電連接。
[0027]上述等離子刻蝕裝置中，所述驅動裝置為馬達。
[0028]上述等離子刻蝕裝置中，通過移動所述調節板或所述調節板組件使得距離所述排氣口較近的所述排氣孔通氣面積小于距離所述排氣口較遠的所述排氣孔通氣面積。
[0029]本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點:
[0030](I)本發明提供的等離子刻蝕裝置，包括反應腔室、上部電極、下部電極、氣體輸入系統、真空獲得系統、刻蝕終點檢測器以及調節機構，調節機構用于根據刻蝕負載進行調節排氣孔的通氣面積。由于排氣孔的通氣面積能夠根據刻蝕負載進行調節，被加工TFT基板的刻蝕均勻性大大提高，加工后的TFT基板產品質量好，而且操作靈活簡便。
[0031](2)本發明提供的等離子刻蝕裝置，其中調節機構包括與排氣板上下疊放的調節板，調節板上成型有若干與排氣孔對應的通氣孔，調節板與排氣板相對移動，以調節通氣孔與排氣孔的相對位置，調節排氣孔的通氣面積。通過調節板與排氣板的相對移動，能夠方便的調節通氣孔與排氣孔的重疊面積(即排氣孔的通氣面積)，設計合理，結構簡單，易于實現。
[0032](3)本發明提供的等離子刻蝕裝置，其中調節板可設計為與排氣板結構相同，排氣板上相鄰排氣孔的間隔部分面積和調節板上相鄰通氣孔的間隔部分面積分別大于或等于一個排氣孔的面積和一個通氣孔的面積。上述設計簡單、易于加工制造、降低成本。
[0033](4)本發明提供的等離子刻蝕裝置，調節板包括至少三個并列排布的調節板組件，調節板上的每個調節板組件可獨立移動，以調節排氣孔的通氣面積。將每個調節板分成若干組件，每個調節板組件可以獨立運動，進一步提高了控制的靈活性，進一步加強被加工TFT基板的刻蝕均勻性。
[0034](4)本發明提供的等離子刻蝕裝置，通過移動調節板或調節板組件使得距離排氣口較近的所述排氣孔通氣面積小于距離排氣口較遠的排氣孔通氣面積，改善排氣口附件氣流明顯不均勻的情況，進一步加強被加工TFT基板的刻蝕均勻性，確保加工出的TFT基板的產品質量。
【附圖說明】
[0035]為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中
[0036]圖1是現有的等離子刻蝕裝置結構示意圖；
[0037]圖2是圖1的俯視圖；
[0038]圖3是本發明等離子刻蝕裝置結構示意圖；
[0039]圖4是圖3的俯視圖。
[0040]圖中附圖標記表示為反應腔室，2、2’_氣體輸入孔，3-馬達，4、4’_上部電極，5、5’ -下部電極，6、6’ -排氣板，61-排氣板組件，7、7’ -排氣口，8-排氣孔，9-控制器，10-調節板。
【具體實施方式】
[0041]如圖3和圖4所示，是本發明等離子刻蝕裝置的