像素結構、顯示裝置以及像素結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明的實施例涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種像素結構、具有這種像素結構的顯示裝置、以及像素結構的制作方法。
【背景技術】
[0002]目前，作為一種有機薄膜電致發光器件，有機發光二極管(OrganicLightEmitting D1de, OLED)單元以及有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix OrganicLight Emitting D1de,AMOLED)單元，由于具有抗震性好、視角廣、操作溫度寬、對比度高、可實現柔性顯示等特點，已廣泛應用于顯示裝置中。一般地，一個像素結構包括用于限定像素開口的像素界定層(PDL)、以及設置在像素開口中的OLED單元。OLED單元包括第一電極層、第二電極層以及封裝在第一電極層和第二電極層之間的有機發光層，通過在第一電極層和第二電極層之間施加電壓激發有機發光層發光，所發出的光從像素開口射出。
[0003]在OLED單元中，從有機發光層發出的光在一定入射角度范圍內在有機發光層的表面發生全反射，之后在有機發光層內部傳播，由此在有機發光層內部產生光波導模式。在有機發光層的邊緣與像素界定層的界面處，由于有機發光層與像素界定層的折射率接近，在一定入射角范圍內，光束可能脫離有機發光層內部的波導模式進入像素界定層。這部分光束基本上橫向傳播，與像素結構有效顯示所需的出光方向大致垂直。在不受控制的條件下，這部分基本上橫向傳輸的光束在像素界定層中最終耗散。
【發明內容】
[0004]本發明的實施例提供一種像素結構、具有這種像素結構的顯示裝置、以及像素結構的制作方法，以提高顯示效果，降低光消耗。
[0005]根據本發明一個發明的實施例，提供一種像素結構，包括:
[0006]第一絕緣層；
[0007]發光單元，設置在所述第一絕緣層上，并包括第一電極層、發光層和第二電極層；
[0008]像素界定層，被構造成用于限定像素開口，所述發光單元設置在所述像素開口中；以及
[0009]反射組件，環繞所述像素界定層設置，以將從所述發光層入射到所述像素界定層中的光反射成從所述像素結構的出射面射出。
[0010]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述反射組件包括:
[0011]第二絕緣層，位于所述像素界定層的外圍且設置在所述第一絕緣層上；
[0012]溝槽，形成在所述第二絕緣層和所述像素界定層之間；以及；
[0013]反射層，設置在所述溝槽的位于所述第二絕緣層的一側，以反射穿過所述像素界定層的所述光。
[0014]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述溝槽的底部延伸到所述第一絕緣層的至少一部分厚度中。
[0015]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述像素界定層覆蓋所述第一電極層的外邊緣。
[0016]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述第二絕緣層和所述像素界定層形成在同一層并且由相同的材料制成，且所述第二絕緣層與所述像素界定層的高度相同。
[0017]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述第二絕緣層和所述像素界定層形成在同一層并且由相同的材料制成，并且所述第二絕緣層的高度大于所述像素界定層的高度。
[0018]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述反射層和所述第一電極層形成在同一層并且由相同的材料制成。
[0019]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述第二絕緣層的高度大于所述像素界定層的高度。
[0020]根據本發明的一種實施例的像素結構，所述反射組件包括:
[0021]第二絕緣層，位于所述像素界定層的外圍且設置在所述第一絕緣層上；以及
[0022]反射層，設置在所述第二絕緣層的面對所述像素界定層的一側的內壁上，以反射從所述像素界定層射出的所述光，
[0023]其中，所述像素界定層的外側表面與所述反射層接觸。
[0024]根據本發明另一方面的實施例，提供一種顯示裝置，包括上述任一實施例所述的像素結構。
[0025]根據本發明進一步方面的實施例，提供一種像素結構的制作方法，每個所述像素結構包括像素界定層和設置在所述像素界定層的像素開口中的發光單元，所述方法包括如下步驟:
[0026]在基板上形成第一絕緣層；
[0027]在所述第一絕緣層上形成發光單元的第一電極層；
[0028]在所述第一絕緣層上形成環繞所述第一電極層的絕緣薄膜；
[0029]在所述絕緣薄膜上形成反射組件；以及
[0030]在所述反射組件的內側的所述第一電極層上形成發光層和第二電極層，使得反射組件將從所述發光層入射到所述像素界定層中的光反射成從所述像素結構的出射面射出。
[0031]根據本發明一種實施例的方法，在所述絕緣薄膜上形成反射組件的步驟包括:
[0032]采用構圖工藝在所述絕緣薄膜上形成環形溝槽，以將所述絕緣薄膜分隔成位于外側的第二絕緣層和位于內側的像素界定層；
[0033]在所述溝槽的位于外側的壁上形成反射層。
[0034]根據本發明一種實施例的方法，所述溝槽的底部延伸到所述第一絕緣層的至少一部分厚度中。
[0035]根據本發明一種實施例的方法，在所述第一絕緣層上形成環繞所述第一電極層的絕緣薄膜的步驟中，將所述絕緣薄膜形成為覆蓋所述第一電極層的外邊緣。
[0036]根據本發明一種實施例的方法，在所述第一絕緣層上形成環繞所述第一電極層的絕緣薄膜的步驟中，在所述絕緣薄膜上形成有臺階部，并且位于內側部分的高度小于位于外側部分的高度。
[0037]根據本發明再進一步方面的實施例，提供一種像素結構的制作方法，包括如下步驟:
[0038]在基板上形成第一絕緣層；
[0039]在所述第一絕緣層上形成環形的第二絕緣層；
[0040]采用一次構圖工藝形成第一電極層和反射層，其中所述第一電極層形成在所述第一絕緣層上，所述反射層從所述第一絕緣層延伸到所述第二絕緣層的內側表面上，并且所述第一電極層和所述反射層斷開；
[0041]在所述第一電極層的外邊緣上形成像素界定層；以及
[0042]在所述第一電極層上形成發光層和第二電極層，使得反射層將從所述發光層入射到所述像素界定層中的光反射成從所述像素結構的出射面射出。
[0043]根據本發明一種實施例的方法，在所述第一電極層的外邊緣上形成像素界定層的步驟中，所述像素界定層的外側表面與所述第二絕緣層的內側表面形成溝槽。
[0044]根據本發明一種實施例的方法，在所述第一電極層的外邊緣上形成像素界定層的步驟中，將所述像素界定層的高度形成為小于所述第二絕緣層的高度。
[0045]根據本發明一種實施例的方法，在所述第一電極層的外邊緣上形成像素界定層的步驟中，所述像素界定層的外側表面與所述第二絕緣層的內側表面上的反射層接觸。
[0046]根據本發明上述實施例的像素結構、具有這種像素結構的顯示裝置、以及像素結構的制作方法，通過設置反射組件，使得從所述發光層入射到所述像素界定層中的光反射成從所述像素結構的出射面射出，這樣入射到像素界定層中的光束可以轉換成像素結構的有效光束，提高顯示效果，降低光消耗。
【附圖說明】
[0047]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發明作進一步的詳細說明，其中:
[0048]圖1是根據本發明的第一種示例性實施例的像素結構的截面示意圖，圖中示出了反射層反射從像素界定層入射的光的原理；
[0049]圖2a_2d是示出制作本發明第一示例性實施例的像素結構的操作過程的剖視圖；
[0050]圖3是根據本發明的第二種示例性實施例的像素結構的截面示意圖，圖中示出了反射層反射從像素界定層入射的光的原理；
[0051]圖4a_4c是示出制作本發明第二示例性實施例的像素結構的操作過程的剖視圖；
[0052]圖5是根據本發明的第三種示例性實施例的像素結構的截面示意圖，圖中示出了反射層反射從像素界定層入射的光的原理；
[0053]圖6a_6d是示出制作本發明第三示例性實施例的像素結構的操作過程的剖視圖；
[0054]圖7是根據本發明的第四種示例性實施例的像素結構的截面示意圖，圖中示出了反射層反射從像素界定層入射的光的原理；以及
[0055]圖8a_8b是示出制作本發明第四示例性實施例的像素結構的部分操作過程的剖視圖。
【具體實施方式】
[0056]下面通過實施例，并結合附圖，對本發明的技術方案作進一步具體的說明。在說明書中，相同或相似的附圖標號指示相同或相似的部件。下述參照附圖對本發明實施方式的說明旨在對本發明的總體發明構