一種陣列基板及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及平板顯示器技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術】
[0002]目前，在利用氧化物薄膜場效應晶體管驅動液晶顯示器的技術中，金屬鋁會經常作為配線材料，但是鋁的活性較強，會發生原子滲透，改變相鄰材料的固有特性。一般會使用隔絕層來阻擋金屬鋁的滲透，隔絕層通常采用金屬鈦或者金屬鉬。所以陣列基板上的配線往往是三層結構，即鈦/鋁/鈦或者鉬/鋁/鉬。為了節約成本，源漏金屬配線采用鈦/鋁或者鉬/鋁疊層，即去除鋁上面的隔絕層。現有技術陣列基板的制備過程包括如下步驟:
[0003]第一步、在透明基板上，沉積金屬薄膜，在該金屬薄膜上刻蝕出柵極。
[0004]第二步、形成柵極絕緣層。
[0005]第三步、沉積非晶硅薄膜，在該薄膜上刻蝕出圖案，形成非晶硅半導體層。
[0006]第四步、沉積金屬薄膜，在該金屬薄膜上形成金屬層，所述金屬層包括數據線和源漏極。
[0007]第五步、形成鈍化層。
[0008]第六步、在以上陣列基板上涂布有機絕緣層。
[0009]第七步、對有機絕緣層進行曝光；并進行顯影，剝離接觸孔位置的有機絕緣層，刻上接觸孔。
[0010]第八步、對接觸孔位置的鈍化層進行干刻，去除接觸孔位置的鈍化層。
[0011]第九步、對接觸孔區域暴露出來的金屬鋁進行濕刻。
[0012]第十步、沉積ITO圖形，并形成像素電極通過接觸孔與漏電極連接。
[0013]現有技術制備出的陣列基板像素區域的結構示意圖如I所示，其中，鈍化層(圖中未示)是透明的，并覆蓋了透明基板的絕大部分，ITO電極層通過接觸孔與漏電極連接。如圖2所示為圖1中AA’位置的截面示意圖，包括在透明基板00上依次形成柵極01、柵極絕緣層02、非晶硅半導體層03、漏極金屬層04、鈍化層05、有機絕緣層06、接觸孔07以及ITO層08。其中，漏極金屬層04包括漏上金屬Al層41和漏下金屬層42，下金屬層為鈦或鉬。漏上金屬Al暴露部分會被濕刻掉，所以會出現鈍化層與漏下金屬之間的斷層，沿著AA’剖面方向的像素電極層會發生斷線，但是像素電極層可以成功與源漏下金屬連接上。半導體非晶硅層03設置在柵極絕緣層和漏極金屬層之間是為了防止鈍化層過刻，導致像素電極層與下方的柵金屬層連接導通。
[0014]在金屬氧化物陣列基板的制造過程中，使用金屬氧化物半導體層代替非晶硅層擔任接觸孔阻擋層03，如下圖3所示，在接觸孔07干刻過程中，由于金屬氧化物無法被干刻，導致等離子體大量向側向刻蝕，使得鈍化層05的刻蝕速度遠遠大于有機絕緣層06的刻蝕速度，導致接觸孔位置出現了有機絕緣層與鈍化層之間的逆向倒角09，這會導致像素電極層的斷線，無法給像素電極充電。
【發明內容】
[0015]為了解決現有技術的問題，本發明揭示一種陣列基板，包括:一基板，以及在所述基板上依次形成的柵極，柵極絕緣層，金屬氧化物半導體層，源漏電極層，鈍化層，有機絕緣層和像素電極層；
[0016]在位于所述源漏電極層的漏電極上方的所述鈍化層和所述有機絕緣層上形成有第一接觸孔，所述的源漏電極層的漏電極通過該第一接觸孔與所述的像素電極層相連接；其中，所述的第一接觸孔包括同心的鈍化層第一接觸孔和有機絕緣層第一接觸孔；所述鈍化層第一接觸孔的孔徑大于所述有機絕緣層第一接觸孔的孔徑。
[0017]進一步，所述的鈍化層第一接觸孔和有機絕緣層第一接觸孔的形狀為圓形或正方形。
[0018]進一步，所述的漏電極包括漏上金屬層和漏下金屬層；其中，所述的漏上金屬層為Al金屬，所述的漏下金屬層為鈦或鉬金屬。
[0019]本發明還給出了一種陣列基板的制造方法，包括如下步驟:
[0020]第一步、在透明基板上，沉積金屬薄膜，在該金屬薄膜上刻蝕出柵極；
[0021]第二步、形成柵極絕緣層；
[0022]第三步、沉積金屬氧化物薄膜，形成氧化物半導體層；
[0023]第四步、在以上步驟基礎上形成金屬層，該金屬層包括數據線、源電極和漏電極；
[0024]第五步、在步驟四上形成鈍化層；
[0025]第六步、在以上陣列基板上涂布光刻膠并對光刻膠進行曝光，并對光刻膠進行顯影，使第一接觸孔位置處的鈍化層暴露。
[0026]第七步、形成鈍化層第一接觸孔；
[0027]第八步、對暴露出第一接觸孔位置對應的漏電極的漏上金屬層刻蝕掉；
[0028]第九步、對以上陣列基板涂布有機絕緣層；
[0029]第十步、形成有機絕緣層第一接觸孔；
[0030]第十一步、形成像素電極層，像素電極層通過鈍化層和有機絕緣層上形成的第一接觸孔與漏電極連接。
[0031]進一步，步驟十中的有機絕緣層第一接觸孔的孔徑小于所述鈍化層第一接觸孔的孔徑。
[0032]進一步，在步驟八中對金屬氧化物半導體層刻蝕掉。
[0033]有益效果:根據本發明的技術方案，由于鈍化層的第一接觸孔大于有機絕緣層的第一接觸孔，所以有機絕緣層可以覆蓋鈍化層與漏下金屬鈦之間的斷層，后續像素電極覆蓋時不會發生斷線現象，解決了接觸孔位置出現了有機絕緣層與鈍化層之間的逆向倒角，而導致像素電極層的斷線，無法給像素電極充電的問題。
【附圖說明】
[0034]圖1為現有陣列基板像素區域的結構示意圖；
[0035]圖2為圖1中AA’位置的截面示意圖；
[0036]圖3為圖1中BB’位置的截面示意圖；
[0037]圖4為本發明的陣列基板像素區域的結構示意圖；
[0038]圖5為圖4中AA’位置的截面示意圖；
[0039]圖6a為本發明第二實施例步驟I至步驟4的陣列基板的截面示意圖；
[0040]圖6b為本發明第二實施例步驟5的陣列基板的截面示意圖；
[0041]圖6c為本發明第二實施例步驟7的陣列基板的截面示意圖；
[0042]圖6d為本發明第二實施例步驟8的陣列基板的截面示意圖；
[0043]圖6e為本發明第二實施例步驟9的陣列基板的截面示意圖；
[0044]圖6f為本發明第二實施例步驟10的陣列基板的截面示意圖。
【具體實施方式】
[0045]下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于