一種平板顯示裝置及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種第一電極結構可有效降低電源線電壓降以及防止電源線斷路的平板顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有源矩陣平板顯示裝置,利用薄膜晶體管(英文全稱Thin Film Transistor,簡稱TFT)，搭配電容存儲信號，來控制像素的亮度和灰階表現，具有可大尺寸化，較省電，高解析度，面板壽命較長等特點，因此在顯示技術領域得到了高度重視。
[0003]有源矩陣平板顯示裝置的每個像素包括開關晶體管、驅動晶體管、電容等，由像素電路中的電源線將公共電源輸送給驅動晶體管和電容器，點亮像素。隨著有源矩陣平板顯示裝置尺寸的增大，像素電路中導線長度增加，從而使得導線中電阻值增大，增加了電源線中的電壓降，這就造成通過電源線流向到各個像素的電流不均勻，嚴重影響了每個像素顯示亮度的均勻性。
[0004]同時，隨時人們對有機發光顯示裝置分辨率要求的提高，單位面積內像素數量(gpPixels per inch,簡稱PPI)的增多,迫使像素電路中導線的截面尺寸越來越小,進一步增加了電源線的電阻值，加劇了像素顯示亮度的不均勻性。
【發明內容】
[0005]為此，本發明所要解決的是現有平板顯示裝置中電源線電壓降嚴重，嚴重影響像素顯示亮度的均勻性的問題，提供一種第一電極結構可有效降低電源線電壓降以及防止電源線斷路的平板顯示裝置。
[0006]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下:
[0007]本發明所述的一種平板顯示裝置，包括:
[0008]基板；
[0009]設置在所述基板上方的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管進一步包括有源層、柵極層、源/漏電極層，以及將所述有源層、所述柵極層及所述源/漏電極層彼此分開的一層或多層絕緣層；
[0010]形成在所述基板上的掃描線、數據線和電源線；
[0011]形成在所述基板上方的顯示單元，所述顯示單元進一步包括第一電極和第二電極，所述第一電極與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接；
[0012]與所述第一電極同層形成有由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形，所述導電圖形與所述第一電極不相連；所述導電圖形與所述電源線并聯。
[0013]所述導電圖形與所述電源線形成在不同的層上。
[0014]所述導電圖形與所述第一電極由相同材料形成。
[0015]所述導電圖形是鋁、鎂、銀、氧化銦錫中的一種或多種形成的堆疊層。
[0016]組成所述導電圖形的所述導線的截面寬度為1-10微米。
[0017]所述有源層為非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物層中的一種。
[0018]所述基板上還直接形成有緩沖層，所述薄膜晶體管設置在所述緩沖層上。
[0019]所述絕緣層上還直接形成有覆蓋所述源/漏電極層的平坦化層。
[0020]本發明所述的一種平板顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0021]S1、在基板上制備薄膜晶體管的有源層、柵極層、源/漏電極層，以及將有源層、柵極層、源/漏電極層彼此分開的一層或多層絕緣層；
[0022]S2、將源/漏電極層圖案化，形成與有源層接觸連接的源極和漏極，以及掃描線、數據線和電源線；
[0023]S3、在基板上形成導電層，并圖案化形成第一電極和由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形，導電圖形與第一電極不相連，導電圖形與電源線并聯，第一電極與漏極或所述源極電連接。
[0024]步驟S3中所述導電層是鋁、鎂、銀、氧化銦錫中的一種或多種形成的堆疊層。
[0025]步驟S3中所述導線的橫截面寬度為1-10微米。
[0026]步驟SI中所述有源層為非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物層中的一種。
[0027]步驟SI還包括在所述基板上直接形成緩沖層的步驟。
[0028]步驟S3之后還包括在所述第一電極上形成顯示單元的步驟。
[0029]步驟S2還包括在所述絕緣層上直接形成覆蓋所述源/漏電極層的平坦化層的步驟，步驟S3中所述的導電層直接形成在所述平坦化層上。
[0030]本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點:
[0031]1、本發明所述的一種平板顯示裝置，與第一電極同層形成有由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形，導電圖形與第一電極不相連；通過導電圖形與電源線并聯，實現電源線電阻的有效降低，減小電源線的電壓降，提高所述平板顯示裝置的顯示均勻性，從而提升使用品質。
[0032]2、本發明所述的一種平板顯示裝置，導電圖形與電源線并聯，且不形成在同一層中，雙層走線降低了電源線斷線風險，提高了所述平板顯示裝置的可修復性。
[0033]3、本發明所述的一種平板顯示裝置的制備方法，導電圖形與第一電極形成在同一層中，不需要增加額外的光刻工序和刻蝕工序，工藝簡單、制作成本低，易于實現規模化生產。
【附圖說明】
[0034]為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中
[0035]圖1是本發明所述平板顯示裝置的剖視圖；
[0036]圖2是本發明中一種所述導電圖形所在導電層的俯視圖；
[0037]圖3是本發明中一種所述導電圖形所在導電層的俯視圖。
[0038]圖中附圖標記表示為:100-基板、210-緩沖層、220-有源層、230-柵極絕緣層、240-柵極層、250-層間絕緣層、260-源/漏電極層、261-電源線、262-源極、263-漏極、270-平坦化層、280-導電層、281-第一電極、282-導電圖形、290-像素限定層、300-顯示單
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【具體實施方式】
[0039]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明的實施方式作進一步地詳細描述。
[0040]本發明可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發明的構思充分傳達給本領域技術人員，本發明將僅由權利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是，當元件例如層、區域或基板被稱作“形成在”或“設置在”另一元件“上”或“上方”時，該元件可以直接設置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接形成在”或“直接設置在”另一元件上時，不存在中間元件。
[0041]本實施例提供一種平板顯示裝置及其制備方法，如圖1所示，所示平板顯示裝置包括基板100、形成在所述基板上的薄膜晶體管、掃描線、數據線、電源線261 (其中掃描線、數據線在附圖1中未示出)以及顯示單元300 ；
[0042]本實施例中所述薄膜晶體管為頂柵結構，自下而上依次包括有源層220、柵極絕緣層230、柵極層240、所述柵極絕緣層230上還直接設置有覆蓋所述柵極層240的層間絕緣層250，所述層間絕緣層250上直接設置有源/漏電極層260，并圖案化形成與所述有源層220接觸連接的源極262和漏極263。
[0043]所述有源層220選自但不限于非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物層中的一種，本實施例優選多晶娃層。
[0044]所述柵極絕緣層230選自但不限于二氧化硅、氮化硅中的一種或兩種的組合，本實施例優選依次形成的二氧化硅層和氮化硅層。
[0045]所述柵極層240選自但不限于鋁、鑰、鎢、鈦等金屬及其合金層，以及所述金屬和合金組成的堆疊膜層，本實施例優選鑰鎢合金層。
[0046]所述層間絕緣層250選自但不限于二氧化硅、氮化硅中的一種或兩種的組合，本實施例優選依次形成的二氧化硅層和氮化硅層。
[0047]所述源/漏電極層260選自但不限于鋁、鑰、鎢、鈦等金屬及其合金層，以及所述金屬和合金組成的堆疊膜層，本實施例優選依次沉積的鋁層和鑰層。
[0048]作為本發明的其他實施例，所述薄膜晶體管選自但不限于頂柵結構、底柵結構或者雙柵結構，均可以實現本發明的目的，屬于本發明的保護范圍。
[0049]在所述薄膜晶體管中所述源/漏電極層260中以相同的材料還形成了掃描線、數據線以及電源線261 (其中掃描線、數據線在附圖1中未示出)。
[0050]在所述層間絕緣層250上還直接形成有覆蓋所述源/漏電極層260的平坦化層270。
[0051]所述顯示單元300直接設置在所述平坦化層270上，所述顯示單元進一步包括第一電極281和第二電極(附圖1中未示出)，所述第一電極281通過設置在所述平坦化層上的通孔與所述薄膜晶體管的源極262或漏極263電連接。
[0052]與所述第一電極281同層形成有導電圖形282，所述導電圖形通過在所述平坦化層270中形成的通孔與所述電源線261并聯。
[0053]如圖2和3所示，所述導電圖形282由若干相連或不相連的導線組成，所述導電圖形282與所述第一電極281不相連。
[0054]本發明中所述導電圖形282與所述電源線261形成在不同的層上。
[0055]所述導電圖形282與所述第一電極281由相同材料形成。
[0056]形成所述導電圖形282的材料選自但不限于鋁、鎂、銀、氧化銦錫中的一種或多種形成的堆疊層中的一種，本實施例優選依次沉積的銀層和氧化銦錫層。
[0057]組成所述導電圖形282的所述導線的截面寬度為1-10微米，本實施例優選3微米。
[0058]本實施例中，所述基板上還直接形成有緩沖層210，所述緩沖層選自但不限于二氧化硅、氮化硅中的一種或兩種的組合，本實施例優選依次形成的二氧化硅層和氮化硅層。
[0059]本發明所述平板顯示裝置選自但不限于有