一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)和有機電致發光器件(Organic Electroluminescent Device，簡稱0LED)等顯示器件已成為人們生活中的必需品，隨著人們需求的提高，為了提高顯示器件的顯示品質，避免出現陣列基板和彩膜基板對盒時的偏差影響顯示器件開口率或者出現漏光的問題，通過集成技術(Color Filter onArray，簡稱COA)將彩色濾光片集成在陣列基板上。
[0003]現有的陣列基板中，設置在所述陣列基板的最上方的第一電極對外部入射光發生反射，導致外部能見度減弱，從而減少了光利用率，降低了顯示畫面的辨識度。
【發明內容】
[0004]為解決上述問題，本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于解決現有技術中的第一電極對外部入射光發生反射，導致外部能見度減弱，從而減少光利用率，降低顯示畫面的辨識度的問題。
[0005]為此，本發明提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管、彩膜層和第一鈍化層，所述第一鈍化層上設置有第一電極，所述第一電極包括面狀子電極，所述面狀子電極與所述薄膜晶體管的區域以及像素單元之間的區域對應設置，所述第一電極為不透明金屬電極，所述第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構用于分散外部入射光。
[0006]可選的，所述彩膜層設置在所述薄膜晶體管上，所述彩膜層上設置有平坦層，所述平坦層上設置有第二電極，所述第二電極為透明電極，所述第一鈍化層設置在所述第二電極上。
[0007]可選的，所述第一電極還包括多個相互平行分布的條狀子電極，所述面狀子電極與所述條狀子電極同層設置，所述條狀子電極與所述第二電極對應設置。
[0008]可選的，還包括第一過孔、第二過孔和公共電極線，所述公共電極線與柵極同層設置，所述第一電極通過所述第一過孔與所述公共電極線連接，所述第二電極通過所述第二過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
[0009]可選的，所述第一電極的構成材料包括鉬、鋁、釹化鋁或者銅。
[0010]本發明還提供一種顯示裝置，包括上述任一陣列基板。
[0011]本發明還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0012]在襯底基板上形成薄膜晶體管、彩膜層和第一鈍化層；
[0013]在所述第一鈍化層上形成第一電極，所述第一電極包括面狀子電極，所述面狀子電極與所述薄膜晶體管的區域以及像素單元之間的區域對應設置，所述第一電極為不透明金屬電極，所述第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構用于分散外部入射光。
[0014]可選的，所述在所述第一鈍化層上形成第一電極的步驟包括:
[0015]在所述第一鈍化層上形成金屬薄膜；
[0016]在所述金屬薄膜上形成光刻膠；
[0017]采用半色調掩模板或灰色調掩模板對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠完全保留區域、光刻膠部分保留區域以及光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域和所述光刻膠部分保留區域對應于形成第一電極的圖形，所述光刻膠完全去除區域對應于形成其它圖形；
[0018]對所述金屬薄膜進行第一次刻蝕，形成第一電極；
[0019]對所述光刻膠進行灰化處理，去除所述光刻膠部分保留區域的光刻膠；
[0020]對所述第一電極進行第二次刻蝕，形成凹凸結構；
[0021]剝離剩余的光刻膠。
[0022]可選的，所述第一次刻蝕為濕法刻蝕，所述第二次刻蝕為干法刻蝕。
[0023]可選的，所述在襯底基板上形成薄膜晶體管、彩膜層和第一鈍化層的步驟包括:
[0024]在襯底基板上形成薄膜晶體管；
[0025]在所述薄膜晶體管上形成彩膜層；
[0026]在所述彩膜層的上方形成第一鈍化層；
[0027]所述在所述彩膜層的上方形成第一鈍化層的步驟之前包括:
[0028]在所述彩膜層上形成平坦層；
[0029]在所述平坦層上形成第二電極，所述第一鈍化層位于所述第二電極上，所述第二電極為透明電極。
[0030]本發明具有下述有益效果:
[0031]本發明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置中，所述陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管、彩膜層和第一鈍化層，所述第一鈍化層上設置有第一電極，所述第一電極包括面狀子電極，所述面狀子電極與所述薄膜晶體管的區域以及像素單元之間的區域對應設置，所述第一電極為不透明金屬電極，所述第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構用于分散外部入射光。本發明提供的第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構能夠分散外部入射光，使得外部射入的光線發生漫反射，從而避免光線過度集中，提高外部能見度和顯示畫面的辨識度。
【附圖說明】
[0032]圖1為本發明實施例一提供的一種陣列基板的截面圖；
[0033]圖2為本發明實施例三提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；
[0034]圖3?圖7為制備圖1所示的陣列基板的中間結構的截面圖。
【具體實施方式】
[0035]為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置進行詳細描述。
[0036]實施例一
[0037]圖1為本發明實施例一提供的一種陣列基板的截面圖。如圖1所示，所述陣列基板包括:襯底基板101、柵極102、公共電極線103、柵絕緣層104、有源層105、源極106、漏極107、第二鈍化層108、彩膜層109、平坦層201、第二電極202、第一鈍化層203、第一電極204。所述柵極102與所述公共電極線103同層設置在所述襯底基板101上，所述柵絕緣層104設置在所述柵極102與所述公共電極線103上，所述有源層105設置在所述柵絕緣層104上，所述源極106與所述漏極107設置在所述有源層105上，所述第二鈍化層108設置在所述源極106和所述漏極107上，所述彩膜層109設置在所述第二鈍化層108上，所述平坦層201設置在所述第二鈍化層108上，所述第二電極202設置在所述平坦層201上，而且所述第二電極202通過第二過孔205與所述漏極107連接，所述第一鈍化層203設置在所述第二電極202上，所述第一電極204設置在所述第一鈍化層203上，所述第一電極204通過第一過孔206與所述公共電極線103連接。
[0038]本實施例中，所述第一電極204為不透明金屬電極，所述第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構用于分散外部入射光，使得外部射入的光線發生漫反射，從而避免光線過度集中，提高外部能見度和顯示畫面的辨識度。另外，所述第一電極204包括面狀子電極和多個相互平行分布的條狀子電極，所述面狀子電極與所述條狀子電極同層設置。所述面狀子電極與所述薄膜晶體管的區域以及像素單元之間的區域對應設置，也就是說，所述面狀子電極設置在現有技術中黑矩陣的位置，實現了黑矩陣的功能，從而減少了黑矩陣的使用。所述條狀子電極與所述第二電極對應設置，也就是說，所述條狀子電極設置在現有技術中公共電極的位置，實現了公共電極的功能。
[0039]本實施例中，所述襯底基板101可以是玻璃基板或石英基板。所述柵極102、源極106和漏極107可以是米用金屬材料形成的。所述柵絕緣層104可以是米用氣化娃，也可以是使用氧化硅和氮氧化硅形成的。所述有源層105可以是采用金屬氧化物半導體材料形成的。所述第二層鈍化層108和所述第一鈍化層203可以是采用氮化硅，也可以是有機樹脂材料形成的。所述平坦層201可以是采用樹脂材料形成的。所述第二電極202可以是采用氧化銦錫(Indium tin oxide，簡稱 ITO)或者慘銦氧化鋅(indium-doped zinc oxide，簡稱IZO)形成的。所述第一電極204可以是采用鉬、鋁、釹化鋁或者銅等金屬材料形成的。
[0040]本實施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管、彩膜層和第一鈍化層，所述第一鈍化層上設置有第一電極，所述第一電極包括面狀子電極，所述面狀子電極與所述薄膜晶體管的區域以及像素單元之間的區域對應設置，所述第一電極為不透明金屬電極，所述第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構用于分散外部入射光。本實施例提供的第一電極的表面設置有凹凸結構，所述凹凸結構能夠分散外部入射光，使得外部射入的光線發生漫反射，從而避免光線過度集中，提高外部能見度和顯示畫面的辨識度。
[0041]實施例二
[0042]本實施例提供一種顯示裝置，包括實施例一提供的陣列基板，詳情請參見上述實施例一關于所述陣列基板的具體描述，此處不再贅述。
[0043]本實施例提供的顯示裝置中，所述陣列