具有堆疊元件的封裝模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種具有堆疊元件的封裝模塊，特別是有關(guān)于一種使用立體的載具進(jìn)行多個(gè)芯片的堆疊式封裝技術(shù)所形成的封裝模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代人的生活已離不開大量的電子產(chǎn)品，因此對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求也越來越多，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也就不斷的發(fā)展以滿足市場對(duì)于各種不同產(chǎn)品的需求，其中最普遍的需求便是希望能用更小的空間制造出相同甚至功能更好的產(chǎn)品。
[0003]其中，堆疊式芯片封裝(Stacked Die Package)是一種能減少產(chǎn)品空間的封裝方式，這是一種把多個(gè)不同功能的芯片配置在同一封裝模塊內(nèi)的技術(shù)，除了可以達(dá)到功能整合的目之外，更可有效節(jié)省電路板的面積，且能減少芯片所占據(jù)的空間，進(jìn)一步能夠降低整體制造成本。另外，堆疊式芯片封裝可將封裝內(nèi)多顆芯片之間的電路距離變短，以便提供較佳的電性效能，并能有效減少信號(hào)在電路傳導(dǎo)中被干擾的問題。
[0004]目前，采用堆疊式芯片封裝較多的是存儲(chǔ)器的封裝，例如閃存與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之間的堆疊；還有部分的通訊芯片也是采用堆疊式芯片級(jí)封裝，例如將基頻、閃存與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器等不同的芯片配置到同一個(gè)封裝模塊之內(nèi)。
[0005]但是，目前在使用的堆疊式芯片封裝有一些缺點(diǎn)，例如芯片在彼此互相堆疊的工藝中，由于芯片上的焊墊(pad)較多，使得芯片與基板(substrate)上的電性接點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)不易，容易產(chǎn)生良率下降的問題；此外，為增加芯片間的連接效果，最普遍的手段便是在各個(gè)芯片之間增加封膠工藝，但過多的封膠，除了會(huì)增加整個(gè)封裝成品的厚度，也會(huì)產(chǎn)生溢膠的情形，不但會(huì)增加封裝的成本，也降低了封裝成品的可靠度；另外，要在彼此堆疊的芯片上，各自打上金屬導(dǎo)線也是很麻煩的工藝；并且，芯片封裝完成以后的成品需要在安裝到其他電子產(chǎn)品上，需要經(jīng)過對(duì)準(zhǔn)校正使接點(diǎn)和墊片對(duì)齊，這也會(huì)使封裝的成本增加；對(duì)于上述缺點(diǎn)，本發(fā)明認(rèn)為有改善的必要。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]為了解決上述所提到的問題，本發(fā)明的一主要目的在于提供一種具有堆疊元件的封裝模塊，通過立體的載具設(shè)計(jì)，使封裝堆疊元件的流程得以簡化，并且也能提高封裝成品的可靠度。
[0007]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供了一種具有堆疊元件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對(duì)的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽配置有一晶粒配置區(qū)，且于凹槽底部上相對(duì)的二側(cè)邊配置多個(gè)第一金屬接點(diǎn)，兩平臺(tái)部，分別配置于晶粒配置區(qū)相對(duì)的二側(cè)邊上，使得兩平臺(tái)部與晶粒配置區(qū)之間形成一對(duì)第一凹槽壁，邊緣部與兩平臺(tái)部之間形成一對(duì)第二凹槽壁，且曝露第一金屬接點(diǎn)，兩平臺(tái)部的高度相等且高于晶粒配置區(qū)，兩平臺(tái)部上分別配置多個(gè)第二金屬接點(diǎn)，其中，每一第一金屬接點(diǎn)皆和第二金屬接點(diǎn)的其中之一相對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的第一金屬接點(diǎn)和第二金屬接點(diǎn)之間以一第一金屬材料電性連接；一第一晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第一焊墊，第一晶粒以覆晶配置于晶粒配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點(diǎn)電性連接；一第二晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第二焊墊，第二晶粒以覆晶配置于第一晶粒的上端，使第二焊墊與平臺(tái)部上的第二金屬接點(diǎn)電性連接；其中，每一第二金屬接點(diǎn)進(jìn)一步和多個(gè)第二金屬材料電性連接，第二金屬材料自載具的平臺(tái)部經(jīng)由第一面延伸配置到載具的第二面，并于每一第二金屬材料位于第二面的一端上，形成多個(gè)相應(yīng)金屬端點(diǎn)。
[0008]上述的具有堆疊元件的封裝模塊能進(jìn)一步具有一基板，基板具有一第三面及與第三面相對(duì)的一第四面，基板并有多個(gè)基板貫穿孔自第三面貫穿至第四面，第三面具有多個(gè)電性接點(diǎn)，第四面具有多個(gè)外接點(diǎn)，每一電性接點(diǎn)皆經(jīng)由基板貫穿孔中的金屬延伸到第四面并分別與外接點(diǎn)的其中之一電性連接；其中，基板的第三面與載具的第二面相疊合，使得電性接點(diǎn)皆分別和第二面上的金屬端點(diǎn)電性連接。
[0009]本發(fā)明又提供了一種具有堆疊元件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對(duì)的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽配置有一晶粒配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個(gè)第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部，分別配置于晶粒配置區(qū)的二側(cè)邊上，使得兩平臺(tái)部與晶粒配置區(qū)之間形成一對(duì)第一凹槽壁，邊緣部與兩平臺(tái)部之間形成一對(duì)第二凹槽壁，并相鄰且曝露第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部的高度相等且高于晶粒配置區(qū)，平臺(tái)部上配置多個(gè)第二金屬接點(diǎn)，多個(gè)貫穿孔配置于晶粒配置區(qū)及二平臺(tái)部上，每一貫穿孔貫穿至載具第二面，且于每一貫穿孔中配置金屬柱；一第一晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第一焊墊，第一晶粒以覆晶配置于晶粒配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點(diǎn)電性連接；一第二晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第二焊墊，第二晶粒以覆晶配置于第一晶粒的上端，使第二焊墊與平臺(tái)部上的第二金屬接點(diǎn)電性連接，并曝露出部份第一晶粒的上端；其中，第一金屬接點(diǎn)及第二金屬接點(diǎn)皆經(jīng)由貫穿孔中的金屬柱電性連接，使得第一金屬接點(diǎn)及第二金屬接點(diǎn)分別延伸至載具的第二面，進(jìn)而使得每一第一金屬接點(diǎn)及每一第二金屬接點(diǎn)位于第二面的一端各自形成多個(gè)相應(yīng)金屬端點(diǎn)。
[0010]上述的具有堆疊元件的封裝模塊能進(jìn)一步具有一基板，基板具有一第三面及與第三面相對(duì)的一第四面，基板并有多個(gè)基板貫穿孔自第三面貫穿至第四面，第三面具有多個(gè)電性接點(diǎn)，第四面具有多個(gè)外接點(diǎn)，每一電性接點(diǎn)皆經(jīng)由基板貫穿孔中的金屬延伸到第四面并分別與外接點(diǎn)的其中之一電性連接；其中，基板的第三面與載具的第二面相疊合，使得電性接點(diǎn)皆分別和第二面上的金屬端點(diǎn)電性連接。
[0011]本發(fā)明又提供了一種具有堆疊元件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對(duì)的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽配置有一晶粒配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個(gè)第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部，分別配置于晶粒配置區(qū)相對(duì)的二側(cè)邊上，使得兩平臺(tái)部與晶粒配置區(qū)之間形成一對(duì)第一凹槽壁，邊緣部與兩平臺(tái)部之間形成一對(duì)第二凹槽壁，并相鄰且曝露第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部的高度相等且高于晶粒配置區(qū)，二平臺(tái)部上分別配置多個(gè)第二金屬接點(diǎn)，其中，每一第一金屬接點(diǎn)皆和第二金屬接點(diǎn)的其中之一相對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的第一金屬接點(diǎn)和第二金屬接點(diǎn)之間以一第金屬材料電性連接；一第一晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第一焊墊，第一晶粒以覆晶配置于晶粒配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點(diǎn)電性連接；一第二晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第二焊墊，第二晶粒以覆晶配置于第一晶粒的上端，使第二焊墊與平臺(tái)部上的第二金屬接點(diǎn)電性連接；其中，每一第二金屬接點(diǎn)進(jìn)一步和多個(gè)第二金屬材料電性連接，且每一第二金屬材料自載具的二平臺(tái)部延伸配置到載具的邊緣部并形成一金屬端點(diǎn)。
[0012]上述的具有堆疊元件的封裝模塊能進(jìn)一步具有一基板，基板具有一第三面及與第三面相對(duì)的一第四面，基板并有多個(gè)基板貫穿孔自第三面貫穿至第四面，第三面具有多個(gè)電性接點(diǎn)，第四面具有多個(gè)外接點(diǎn)，每一電性接點(diǎn)皆經(jīng)由基板貫穿孔中的金屬延伸到第四面并分別與外接點(diǎn)的其中之一電性連接；其中，基板的第三面與載具的第一面相疊合，且電性接點(diǎn)皆分別和邊緣部上的金屬端點(diǎn)電性連接。
[0013]本發(fā)明又提出了一種具有堆疊元件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對(duì)的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽配置有一晶粒配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個(gè)第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部，分別配置于晶粒配置區(qū)相對(duì)的二側(cè)邊上，使得二平臺(tái)部與晶粒配置區(qū)之間形成一對(duì)第一凹槽壁，邊緣部與二平臺(tái)部之間形成一對(duì)第二凹槽壁，并相鄰且曝露第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部的高度相等且高于晶粒配置區(qū)，二平臺(tái)部上分別配置多個(gè)第二金屬接點(diǎn)，其中，每一第一金屬接點(diǎn)皆和第二金屬接點(diǎn)的其中之一相對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的第一金屬接點(diǎn)和第二金屬接點(diǎn)之間以一第一金屬材料電性連接，多個(gè)貫穿孔配置于晶粒配置區(qū)，每一貫穿孔貫穿至載具第二面，且于每一貫穿孔中配置金屬柱；一第一晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第一焊墊，第一晶粒以覆晶配置于晶粒配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點(diǎn)電性連接；一第二晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第二焊墊，第二晶粒以覆晶配置于第一晶粒的上端，使第二焊墊與平臺(tái)部上的第二金屬接點(diǎn)電性連接；其中，第一金屬接點(diǎn)經(jīng)由貫穿孔中的金屬柱電性連接，使得第一金屬接點(diǎn)延伸至載具的第二面，進(jìn)而使得每一第一金屬接點(diǎn)位于第二面的一端各自形成多個(gè)相應(yīng)金屬端點(diǎn)。
[0014]上述的具有堆疊元件的封裝模塊能進(jìn)一步具有一基板，基板具有一第三面及與第三面相對(duì)的一第四面，基板并有多個(gè)基板貫穿孔自第三面貫穿至第四面，第三面具有多個(gè)電性接點(diǎn)，第四面具有多個(gè)外接點(diǎn)，每一電性接點(diǎn)皆經(jīng)由基板貫穿孔中的金屬延伸到第四面并分別與外接點(diǎn)的其中之一電性連接；其中，基板的第三面與載具的第二面相疊合，使得電性接點(diǎn)皆分別和第二面上的金屬端點(diǎn)電性連接。
[0015]本發(fā)明又提出了一種具有堆疊元件的封裝模塊，包括:一第一封裝模塊，第一封裝模塊進(jìn)一步具有:一載具，具有一第一面及與第一面相對(duì)的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽配置有一晶粒配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個(gè)第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部，分別配置于晶粒配置區(qū)相對(duì)的二側(cè)邊上，使得二平臺(tái)部與晶粒配置區(qū)之間形成一對(duì)第一凹槽壁，邊緣部與二平臺(tái)部之間形成一對(duì)第二凹槽壁，并相鄰且曝露第一金屬接點(diǎn)，二平臺(tái)部的高度相等且高于晶粒配置區(qū)，二平臺(tái)部上分別配置多個(gè)第二金屬接點(diǎn)，其中，每一第一金屬接點(diǎn)皆和第二金屬接點(diǎn)的其中之一相對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的第一金屬接點(diǎn)和第二金屬接點(diǎn)之間以一金屬材料電性連接，多個(gè)貫穿孔配置于晶粒配置區(qū)，每一貫穿孔貫穿至載具的第二面，且于每一貫穿孔中配置一金屬柱；一第一晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第一焊墊，第一晶粒以覆晶配置于晶粒配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點(diǎn)電性連接；一第二晶粒，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個(gè)第二焊墊，第二晶粒以覆晶配置于第一晶粒的上端，使第二焊墊與平臺(tái)部上的第二金屬接點(diǎn)電性連接；其中，第一金屬接點(diǎn)經(jīng)由貫穿孔中的金屬柱電性連接，使得第一金屬接點(diǎn)延伸至載具的第