芯片213向M0SFET211的方向略微偏移，以便使控制芯片213稍微遠離連接在焊墊212b與引腳205之間導電結構206，而不要觸及到該導電結構206，因為此處的導電結構206除了是引線還可以是非引線類的金屬片或導電帶，可以這樣理解，芯片213交疊在非引線類的導電結構上方的部分相對于芯片213其他余下的部分更容易因導電結構的支撐作用而被抬高，相當于芯片213最終的狀態并不是處于水平位置，這會給后續的工序帶來一系列麻煩。當然，如果連接在焊墊212b與引腳205之間導電結構206是引線，只要粘合膠217足夠厚，可使芯片213的底面不會接觸到連接于焊墊212b與引腳205間的導電結構206的最高點，芯片213是否交疊在連接于焊墊212b與引腳205間的導電結構206之上的這一限制條件變得不再十分苛刻，兩種情況都是允許的，前提是M0SFET212正面的焊墊212a、212b各自至少有一部分區域未被芯片213覆蓋住。
[0067]在另一些實施例中，可以在完成控制芯片213的粘貼之后，才利用導電結構206將M0SFET212正面的焊墊212b電性連接至第二基座205附近的對應引腳205上，因為這樣就無需擔心控制芯片213會交疊在連接于焊墊212b與引腳205間的導電結構206之上，至于導電結構206是否是引線或是何種形狀就變得不再重要。
[0068]除了圖4A?4B揭示的方案以為，在一些實施例中，圖4A?4B也可以替換成圖3A?3D的方案，即完成M0SFET211的粘貼之后，先利用導電結構206將M0SFET211正面的焊墊211b電性連接至第二基座203頂面的靠近第一基座201的區域上，再在第二基座203的頂面上粘貼M0SFET212，M0SFET212可以無限靠近甚至交疊在導電結構206鍵合在第二基座203頂面上的端部2060上，其他后續步驟則與4C?4E完全相同。所以在另一些實施例中，與圖5A中的多芯片器件有所不同，調整MOSFET212及其下方的粘合材料207向端部2060的方向偏移的程度，直至端部2060延伸嵌入在MOSFET212下方的粘合材料207鄰近端部2060 —側的周邊部分內。
[0069]在圖6A?6E的方法中，高端M0SFET211、低端M0SFET212與控制芯片213不再是以層疊的方式出現，替代的是控制芯片213介于高端M0SFET211和低端M0SFET212之間，大體上可以認為它們共面，但是與【背景技術】圖1D不同，控制芯片213和M0SFET212共用一個第二基座203，而非單獨的兩個分隔開的基座。將M0SFET211、212分別粘附至第一基座201、第二基座202各自的頂面，但注意的是，要使M0SFET212粘附在第二基座203頂面的遠離第一基座201的區域上，相當于M0SFET212被粘附在基座203頂面的靠近縱向邊緣203d的區域上，以便將基座203頂面的靠近縱向邊緣203c的區域預留出來。如圖6B，利用導電結構206，將M0SFET211正面的焊墊211b電性連接至第二基座203頂面的靠近第一基座201的區域上，該連接至第二基座203的導電結構206具有被鍵合在第二基座203頂面上的端部2060，并利用導電結構206將M0SFET212正面的一個焊墊212b相對應的電性連接至第二基座203附近的一個引腳205上，圖7A可以視為圖6B的俯視圖。然后如圖6C所示，通過非導電的粘合膠217，將控制芯片213粘附至第二基座203頂面的靠近第一基座201的區域上，相當于被粘附在基座203頂面的靠近縱向邊緣203c的區域上，即粘貼到前述預留的區域位置。在一種實施例中，在粘貼控制芯片213的步驟中，使控制芯片213向端部2060(或說向縱向邊緣203c)偏移，直至控制芯片213背面的粘合膠217鄰近端部2060 —側的邊界靠近或剛好接觸端部2060，盡管這一方案在圖中未示意出，但類似于圖3D-1中所描述的M0SFET112靠近端部1060那樣。在一種實施例中，在粘貼控制芯片213的步驟中，使控制芯片213向端部2060偏移，直至其背面的粘合膠217位于端部2060 —側的周邊部分直接將端部2060覆蓋住(如圖6C的虛線框206B所示)，并且端部2060直接被嵌入在粘合膠217的該周邊部分內。圖6C是控制芯片213向第一基座201、第二基座203之間的分割線的方向偏移的一種相對極端情況，但鑒于粘合膠217是非導電膠，所以只要滿足鍵合在第二基座203頂面的導電結構206不接觸到芯片213的底面即可。
[0070]成比例放大的圖8B詳細展示了虛線框206B (圖6C)所截取的導電結構206的那部分的形貌，主要描述了用于將焊墊211b連接至第二基座203頂面的導電結構206嵌入在粘合膠217內的那部分，我們要求，導電結構206的這部分相對于第二基座203的頂面而處于最高點的部位2061’至第二基座203的頂面的距離H2，比粘合膠217的厚度值T要小。其實，導電結構206與粘合膠217的鄰近第一、第二基座之間的分割線的側壁的相交點即是該作為最高點的部位2061’。可以通過兩方面的參數調節來配置，其一是調節控制芯片213向第一、第二基座之間的分割線的偏移程度，相當于調節控制芯片213鄰近第一、第二基座之間分割線的一個邊緣與縱向邊緣203c之間的距離，也即實現了調節H2的大小，其二是調節粘合膠217的厚度值T。
[0071]如圖6D，將控制芯片213正面的一些焊墊213a分別對應連接到M0SFET211的焊墊211a,211b上，和連接到M0SFET212的焊墊212a、212b上，為了詳細的理解，可參見作為圖6D的俯視圖的圖7B。圖6D的步驟中，同時也需要利用導電結構206 (此處一般是引線)將控制芯片213正面的另外一些焊墊213a分別對應連接到第二基座203附近的由多個引腳208構成的一組引腳上和由多個引腳209構成的另一組引腳上。之后進行塑封工藝形成一個塑封體250，將芯片安裝單元與MOSFET211、212和控制芯片213以及各導電結構206予以塑封包覆，其包覆方式為至少使第一基座201 (連同各外引腳201a)、第二基座203及引腳205 (連同外引腳205a)、208、209的底面均從塑封體250的底面外露出來，如圖6E所示，由于塑封及切割工序在前文內容已經詳細描述，所以不再贅述
[0072]在另一些不同于圖6B的實施方式中，是在完成控制芯片213的粘貼之后，才利用導電結構206將M0SFET212正面的焊墊212b電性連接至第二基座203附近的一個引腳205上。
[0073]圖7B的多芯片器件中，M0SFET212位于第二基座203頂面的遠離第一基座201的區域上，一些導電結構206將M0SFET211正面的一個焊墊211b電性連接至第二基座203頂面的靠近第一基座201的區域上，其中連接至第二基座203的導電結構206具有被鍵合在第二基座203頂面上的端部2060，一些導電結構206將M0SFET212正面的焊墊212b電性連接至第二基座203附近的一個引腳205上。控制芯片213粘附在第二基座203頂面的靠近第一基座201的區域上，位于M0SFET211、212之間。通過一些導電結構206，將控制芯片213正面的一部分焊墊213a分別連接至M0SFET211的焊墊211a、211b上，和連接到M0SFET212的焊墊212a、212b上，控制芯片213正面的另一部分焊墊213a通過導電結構206電性連接至第二基座203附近的一部分引腳208、209上。在一些實施方式中，控制芯片213以向端部2060偏移的方式直至粘合膠217鄰近端部2060 —側的邊界靠近或剛好接觸端部2060。在一些實施方式中，控制芯片213以向端部2060偏移的方式至粘合膠217位于端部2060一側的周邊部分直接將端部2060覆蓋住，該端部2060同時也被嵌入在該周邊部分內。
[0074]對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本發明的意圖和范圍內。
【主權項】
1.一種多芯片器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一芯片安裝單元，具有彼此分割開的第一、第二基座及多個引腳； 將一第一芯片粘附至第一基座的頂面； 利用導電結構將第一芯片正面的一部分焊墊電性連接至第二基座頂面的靠近第一基座的區域上，其中連接至第二基座的導電結構具有被鍵合在第二基座頂面上的端部； 在第二基座的頂面涂覆粘合材料以將一第二芯片粘附至第二基座的頂面。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在第二基座頂面涂覆粘合材料的步驟中，使粘合材料向所述端部偏移至其鄰近所述端部的邊界靠近或剛好接觸所述端部。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在第二基座頂面涂覆粘合材料的步驟中，使粘合材料向所述端部偏移至其位于所述端部一側的周邊部分直接將所述端部覆蓋住并包覆在內。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將第一芯片的一部分焊墊連接至第二基座頂面的步驟中，同時還利用導電結構將第一芯片正面的另一部分焊墊電性連接至第一基座附近的引腳上；以及 完成第二芯片的粘貼步驟之后，利用導電結構將第二芯片正面的各焊墊相對應的電性連接至第二基座附近的多個引腳上。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，完成第二芯片的粘貼步驟之后，利用導電結構將第二芯片正面的各焊墊相對應的電性連接至第二基座附近的多個引腳上，以及同時利用導電結構將第一芯片正面的另一部分焊墊電性連接至第一基座附近的引腳上。
6.如權利要求4或5所述的方法，其特征在于，還包括形成一塑封體的步驟，將所述芯片安裝單元和第一、第二芯片以及各導電結構予以塑封包覆，其包覆方式為至少使第一、第二基座及各引腳的底面從塑封體中外露。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括將背面帶有非導電粘合膠的一第三芯片粘附至第一、第二芯片上的步驟； 其中，用于將第一芯片的一部分焊墊連接至第二基座頂面的所述導電結構位于第一芯片正面所在平面上方的部分被嵌入在所述粘合膠之中；并且 第一、第二芯片各自正面的每個焊墊至少有一部分區域未被第三芯片覆蓋住。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，進行第三芯片的粘貼之前，先利用導電結構將第二芯片正面的一部分焊墊相對應的電性連接至第二基座附近的部分引腳上；及 在第三芯片的粘貼步驟中，使第三芯片遠離鍵合在第二芯片的焊墊與第二基座附近的引腳之間導電結構。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，完成第三芯片的粘貼之后，再利用導電結構將第二芯片正面的一部分焊墊相對應的電性連接至第二基座附近的部分引腳上。
10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在第三芯片的粘合步驟中，同時對金屬材質的所述芯片安裝單元進行加熱以傳遞熱量至粘合膠，以固化所述粘合膠。
11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，用于將第一芯片的一部分焊墊連接至第二基座頂面的所述導電結構位于第一芯片正面所在平面上方的部分，其相對于第一芯片的正面處于最高點的部位至第一芯片正面的距離，比所述粘合膠的厚度值小。
12.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，完成第三芯片的粘貼之后，利用導電結構將第三芯片正面的一部分焊墊電性連接至第一、第二芯片各自正面的相對應的焊墊上；并且 同時還利用導電結構將第三芯片正面的另一部分焊墊電性連接至第二基座附近的另一部分引腳上。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括形成一塑封體的步驟，將所述芯片安裝單元與第一、第二和第三芯片