電子器件的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電子器件和用于制造電子器件的方法。
【背景技術】
[0002]對于面向應用的電子器件的不斷增長的需求導致半導體元件在殼體中的日益復雜的布局。這樣的元件可以按照不同的配置來布置，如“芯片并排(chip by chip)”、“芯片在芯片上(chip on chip) ”“芯片在夾片上(chip on clip) ”等。用語“系統級封裝”(SIP)是指在單個殼體中包括多芯片模塊的器件。SIP可以用于簡化模塊組件并且減小在板上的所需空間。此外，對于利用除了常規器件中采用的那些半導體材料之外的半導體材料，存在日益增長的需求，以便從它們的電子特性中受益。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于提供一種電子器件，滿足現有技術中的上述需求。
[0004]根據本發明一個方面的實施例，提供一種電子器件，包括:襯底；第一半導體元件，包括一個或多個第一接觸元件，所述第一半導體元件布置在所述襯底上；第二半導體元件，包括一個或多個第二接觸元件，所述第二半導體元件布置在所述襯底上；以及鍵合夾片，將所述第一半導體元件和所述第二半導體元件上的所述第一接觸元件和所述第二接觸元件中的一個或多個電連接到所述襯底。
[0005]根據本發明另一方面的實施例，提供一種電子器件，包括:第一半導體元件，包括第一接觸元件；第二半導體元件，包括第二接觸元件；以及第一襯底元件和與所述第一襯底元件不同的第二襯底元件，其中所述第一半導體元件和所述第二半導體元件布置在所述第一襯底兀件上。
[0006]根據本發明又一方面的實施例，提供一種電子器件，包括:第一半導體元件，包括第一接觸元件；第二半導體元件，包括第二接觸元件；以及第一襯底元件和與所述第一襯底元件不同的第二襯底元件，其中所述第一半導體元件和所述第二半導體元件布置在所述第一襯底元件上，其中所述電子器件包括共源共柵電路。
[0007]根據本發明的電子器件的實施例，可以提供若干優勢，諸如允許在一個殼體中的更高度集成、提供更好的導熱性和導電性。
【附圖說明】
[0008]附圖被包括在內以提供對實施例的進一步理解，并且附圖被結合到本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖圖示了實施例并且與本描述一起用于說明實施例的原理。將容易認識到其它實施例和實施例的許多預期優勢，因為通過參考以下的詳細描述，它們變得更好理解。附圖的元件不一定相對彼此成比例。相同的參考標號標示對應的類似部分。
[0009]圖1包括圖1A-圖1E，示意性地示出電子器件及其組件的各種階段的實施例。
[0010]圖2包括圖2A-圖2D，示意性地示出電子器件的進一步實施例。
[0011]圖3包括圖3A和圖3B，示出了使用電子器件的一些實施例實現的電路的電路圖。
[0012]圖4示出了用于制造電子器件的方法的實施例的流程圖。
【具體實施方式】
[0013]現在參照附圖描述各方面和實施例，其中貫穿所有附圖，類似的參考標號通常用于指代類似的元件。在以下的描述中，為說明的目的，闡述很多特定細節，以便提供對實施例的一個或多個方面的透徹理解。然而，本領域技術人員可以明白的是，實施例的一個或多個方面可以在更少程度的特定細節的情況下實施。在其它情形中，將已知結構和元件以示意形式示出，以便于描述實施例的一個或多個方面。將理解的是，可以利用其它實施例，并且可以進行結構或邏輯的改變，而不脫離本發明的范圍。應進一步注意的是，附圖并未按比例或者不一定按比例。
[0014]此外，盡管實施例的具體特征或方面可能關于若干實現中的僅一種實現而公開，但如對于任何給定或具體應用可能期望和有利的那樣，可以將這種特征或方面與其它實現的一個或多個其它特征或方面結合。而且，在詳細描述或權利要求中使用用語“包含”、“含有”、“具有”或其其它變體的程度上，這種用語旨在以類似于用語“包括”的方式為包含性的。可以使用用語“耦合”和“連接”以及派生詞。應理解的是，這些用語可以用于指示兩個元件彼此合作或交互，而不管它們是直接物理接觸或電接觸，還是它們沒有彼此直接接觸。而且，用語“示例性”僅旨在作為示例，而非最佳或最優。因此，以下的詳細描述并不是在限制意義上作出的，并且本發明的范圍由所附權利要求限定。
[0015]電子器件的實施例可以使用各種類型的晶體管器件。實施例可以使用在半導體裸片或半導體芯片中實施的晶體管器件，其中半導體裸片或半導體芯片可以提供為從半導體晶片制造并從半導體晶片切割出來的半導體材料塊的形式，或者提供為其中已經執行進一步的工藝步驟的另一形式，例如，對該半導體裸片或半導體芯片施加封裝層。實施例也可以使用包括MOS晶體管結構或IGBT (絕緣柵雙極晶體管)結構的晶體管器件，其中這些結構可以提供為其中晶體管器件的接觸元件設置在半導體裸片的主面之一上的形式(水平晶體管結構)，或者提供為其中至少一個電接觸元件布置在半導體裸片的第一主面上且至少一個其它電接觸元件布置在與半導體裸片的主面相對的第二主面上的形式(垂直晶體管結構)。
[0016]在任何情況下，半導體裸片或半導體芯片都可以包括在其外表面的一個或多個上的接觸元件或接觸焊盤，其中接觸元件用于電接觸半導體裸片。接觸元件可以具有任何期望的形式或形狀。例如它們在半導體裸片的外表面上可以具有連接盤(land)的形式，SP，平坦接觸層。接觸元件或接觸焊盤可以從任何導電材料制成，例如從金屬如鋁、鎳、銀、金或銅，或金屬合金，或導電有機材料，或導電半導體材料。接觸元件也可以形成為上述材料中的一個或多個的層堆疊。
[0017]根據電子器件的實施例，期望的是提供用于嵌入半導體裸片的封裝。根據其實施例，電子器件可以符合單列直插式封裝形式。此外或獨立于此，電子器件可以包括具有外部引線的封裝，該外部引線布置成使得封裝類似T0(晶體管外形)類型封裝，諸如Τ0-220或Τ0-247或Τ0-264封裝。根據電子器件的實施例，提供作為外部引線的多個引線，使得可以將電子器件安裝到如印刷電路板(PCB)的基板。
[0018]電子器件的實施例或晶體管器件的實施例可以包括其中嵌入有半導體裸片或晶體管器件的密封劑或密封材料。密封材料可以是任何電絕緣材料，例如任何種類的模制材料、任何種類的樹脂材料或任何種類的環氧樹脂材料。密封材料也可以是聚合物材料、聚氨酰胺材料、熱塑性材料、有機硅材料、陶瓷材料和玻璃材料。密封材料也可以包括上述材料中的任意材料，并且進一步包括其中嵌入的填充劑材料例如導熱添加物(increments)。這些填充劑添加物可以由例如AlO或A1203、AIN、BN或者SiN制成。
[0019]這里所述的器件可以包括一個或多個半導體芯片。半導體芯片可以為不同類型的，并且可以通過不同的技術制造。例如，半導體芯片可以包括集成電、光電或機電的電路或無源器件。集成電路可以設計為邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、功率集成電路、存儲器電路、集成無源器件或者微機電系統，微機電系統可以包括諸如橋、薄膜或舌結構之類的微機械結構。半導體芯片不是必需由例如S1、SiC、SiGe、GaAs、GaN的特定半導體材料制造，而是可以包含不是半導體的無機和/或有機材料，例如絕緣體、塑料或金屬。此外，半導體芯片可以是封裝的或未封裝的。
[0020]在圖1A-圖1E中示出了電子器件100及其組件的實施例。該電子器件可以包括如圖1A所示那樣的兩個半導體元件101和102。半導體元件101可以包括大量接觸元件(電極)，例如半導體元件101可以包括三個電極103A、103B、103C。根據一個實施例，電極103A可以為漏極電極，103B可以為源極電極，103C可以為柵極電極。
[0021]根據一個實施例