Sram芯片引腳焊接不良的檢測方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及SRAM芯片檢測技術領域，尤其涉及一種SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法及系統。
【背景技術】
[0002]SRAM芯片具有高速和不用刷新等優點，被廣泛用于高性能計算機系統。由于半導體工藝技術的提高及存儲系統多方面的需要，存儲器件日益向高速、高集成度方向發展，在使系統功能更強大的同時，也增加了系統的復雜性，給電路的故障診斷帶來了不小困難。存儲器的低功耗、小型化、高度集成使得存儲器芯片越來越小，導致存儲器的管腳間距也越密集，對制造工藝的要求也越來越高，因此，良好的焊接是保證存儲器正常、穩定工作的前提。
[0003]常見的SRAM芯片檢測程序包括March算法、Walking算法、GalloPINg算法等，這些算法主要是檢測SRAM芯片內部是否有壞塊或數據反轉的情況，主要用于SRAM芯片廠商自行測試，并非應用于生產階段，并且不能夠解決生產時芯片引腳的焊接情況。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是，針對傳統的SRAM芯片檢測程序不能檢測芯片引腳焊接情況，提供一種SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法及系統。本發明是這樣實現的:
[0005]一種SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法，包括如下步驟:
[0006]分別通過SRAM芯片的各引腳對該SRAM芯片進行數據讀寫；如果各引腳讀寫都正確，則判定該SRAM芯片各引腳焊接良好，如果某一引腳讀寫錯誤，則判定該引腳焊接不良。
[0007]進一步地，所述SRAM芯片的各引腳按其功能被分為控制組、高低位組、數據組及地址組；
[0008]所述控制組包括使能芯片引腳、輸出使能引腳、寫入使能引腳和電源引腳；
[0009]所述高低位組包括高字節引腳及低字節引腳；
[0010]所述數據組包括各I/O引腳；
[0011 ] 所述地址組包括各地址引腳；
[0012]檢測時，依次按照控制組、高低位組、數據組、地址組的順序進行數據讀寫。
[0013]進一步地，所述檢測方法包括如下步驟:
[0014]步驟A:對SRAM芯片的任意地址寫入除低字節或高字節為全O或全I之外的任何數據并讀取該數據，并判斷通過各地址讀取的數據與寫入的數據是否都相同；如果是，則判定控制組、高低位組、數據組均焊接良好，并跳轉到步驟D，否則跳轉到步驟B ;
[0015]步驟B:判斷讀取的數據是否為全O或全1，如果是，則判定控制組焊接不良，否則跳轉到步驟C ；
[0016]步驟C:將讀取的數據的高字節及低字節分別與寫入的數據的高字節及低字節比較，如果讀取的數據的高字節為全O或全1，則判定高字節引腳焊接不良，如果讀取的數據的低字節為全O或全1，則判定低字節引腳焊接不良，如果都不是，則跳轉到步驟D ;
[0017]步驟D:通過數據組中各I/O引腳分別寫入并讀取該數據，并判斷讀取的數據與寫入的數據是否相同，如果通過某一 I/o引腳讀取的數據與寫入的數據不相同，則判定該I/O引腳焊接不良，如果通過各I/o引腳讀取的數據與寫入的數據都相同，則跳轉到步驟E ;
[0018]步驟E:通過地址組中各地址引腳及固定地址O分別寫入并讀取該數據，并判斷讀取的數據與寫入的數據是否相同，如果通過某一地址引腳讀取的數據與寫入的數據不相同，則判定該地址引腳焊接不良，如果通過各地址引腳讀取的數據與寫入的數據都相同，則判定該SRAM芯片各引腳焊接良好。
[0019]一種SRAM芯片引腳焊接不良的檢測系統，所述檢測系統用于分別通過SRAM芯片的各引腳對該SRAM芯片進行數據讀寫；如果各引腳讀寫都正確，則判定該SRAM芯片各引腳焊接良好，如果某一引腳讀寫錯誤，則判定該引腳焊接不良。
[0020]進一步地，所述SRAM芯片的各引腳按其功能被分為控制組、高低位組、數據組及地址組；
[0021]所述控制組包括使能芯片引腳、輸出使能引腳、寫入使能引腳和電源引腳；
[0022]所述高低位組包括高字節引腳及低字節引腳；
[0023]所述數據組包括各I/O引腳；
[0024]所述地址組包括各地址引腳；
[0025]檢測時，所述檢測系統依次按照控制組、高低位組、數據組、地址組的順序進行數據讀寫。
[0026]進一步地，所述檢測系統包括綜合檢測子系統、控制組檢測子系統、高低位組檢測子系統、數據組檢測子系統、地址組檢測子系統；
[0027]所述綜合檢測子系統用于對SRAM芯片的任意地址寫入除低字節或高字節為全O或全I之外的任何數據并讀取該數據，并判斷通過各地址讀取的數據與寫入的數據是否都相同；如果是，則判定控制組、高低位組、數據組均焊接良好，并跳轉到所述數據組檢測子系統，否則跳轉到所述控制組檢測子系統；
[0028]所述控制組檢測子系統用于判斷讀取的數據是否為全O或全1，如果是，則判定控制組焊接不良，否則跳轉到所述高低位組檢測子系統；
[0029]所述高低位組檢測子系統用于將讀取的數據的高字節及低字節分別與寫入的數據的高字節及低字節比較，如果讀取的數據的高字節為全O或全1，則判定高字節引腳焊接不良，如果讀取的數據的低字節為全O或全1，則判定低字節引腳焊接不良，如果都不是，則跳轉到所述數據組檢測子系統；
[0030]所述數據組檢測子系統用于通過數據組中各I/O引腳分別寫入并讀取該數據，并判斷讀取的數據與寫入的數據是否相同，如果通過某一 I/o引腳讀取的數據與寫入的數據不相同，則判定該I/o引腳焊接不良，如果通過各I/O引腳讀取的數據與寫入的數據都相同，則跳轉到所述地址組檢測子系統；
[0031]所述地址組檢測子系統用于通過地址組中各地址引腳及固定地址O分別寫入并讀取該數據，并判斷讀取的數據與寫入的數據是否相同，如果通過某一地址引腳讀取的數據與寫入的數據不相同，則判定該地址引腳焊接不良，如果通過各地址引腳讀取的數據與寫入的數據都相同，則判定該SRAM芯片各引腳焊接良好。
[0032]與現有技術相比，本發明所采用的技術方案通過SRAM芯片的各引腳對該SRAM芯片進行數據讀寫，并通過檢測各引腳的數據讀寫是否正常來判斷該SRAM芯片各引腳的焊接是否良好，可快速判斷SRAM芯片各引腳的焊接是否正常，從而在芯片投入使用之前排除引腳焊接問題，這比在芯片使用中檢測出問題有更高的效益。
【附圖說明】
[0033]圖1:本發明提供的SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法流程示意圖；
[0034]圖2:本發明提供的SRAM芯片引腳焊接不良的檢測系統結構示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。
[0036]本發明所提供的SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法是，分別通過SRAM芯片的各引腳對該SRAM芯片進行數據讀寫，如果各引腳讀寫都正確，則判定該SRAM芯片各引腳焊接良好，如果某一引腳讀寫錯誤，則判定該引腳焊接不良。具體檢測時，可通過與該SRAM芯片連接的處理器對SRAM芯片的各引腳進行數據讀寫，并檢測各引腳的數據讀寫情況。由于本發明是用于檢測SRAM芯片各引腳是否焊接良好，因此，檢測時，需保證SRAM芯片是良好的芯片。
[0037]SRAM芯片的各引腳按其功能可分為控制組、高低位組、數據組及地址組，其中，控制組包括CE引腳(使能芯片引腳)、OE引腳(輸出使能引腳)、WE引腳(寫入使能引腳)和POWER引腳(電源引腳)，高低位組包括UB引腳(高字節引腳)及LB引腳(低字節引腳)，數據組包括各I/O引腳(數據輸入輸出引腳)，地址組包括各地址引腳。根據SRAM芯片的工作原理，在檢測時，可依次按照控制組、高低位組、數據組、地址組的順序進行數據讀與O
[0038]基于上述對SRAM芯片各引腳的分組，結合圖1對SRAM芯片引腳焊接不良的檢測方法進行具體描述。步驟A:對SRAM芯片的任意地址寫入除低字節或高字節為全O或全I之外的任何數據并讀取該數據，并判斷通過各地址讀取的數據與寫入的數據是否都相同；如果是，則判定控制組、高低位組、數據組均焊接良好，并跳轉到步驟D，否則跳轉到步驟B。
[0039]步驟B:判斷讀取的數據是否為全O或全1，如果是，則判定控制組焊接不良，否則跳轉到步驟C。
[0040]步驟C:將讀取的數據的高字節及低字節分別與寫入的數據的高字節及低字節比較，如果讀取的數據的高字節為全O或全1，則判定高字節引腳焊接不良，如果讀取的數據的低字節為全O或全1，則判定低字節引腳焊接不良，如果都不是，則跳轉到步驟D。
[0041]步