透明導體、制備其的方法以及包括其的光學顯示器的制造方法
【專利說明】透明導體、制備其的方法從及包括其的光學顯示器
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 在2013年12月04日于韓國知識產權局申請的韓國專利申請第10-2013-0150230 號W全文引用的方式并入本文中。
技術領域
[0003] 本發明設及一種透明導體、用于制備所述透明導體的方法及包含所述透明導體的 光學顯示器。
【背景技術】
[0004] 透明導體用于各種領域，例如包含在顯示器、柔性顯示器等等中的觸摸屏面板。透 明導體應展現優選特性，例如透明度、薄層電阻等等，并且還需要彎曲特性，因為其應用范 圍近年來已延伸到柔性顯示器。盡管包含含有銀納米線的透明導電層的透明導體展現極好 的彎曲特性，但所述透明導電層進一步包含用于改良耐久性和到基層的粘著力的基質。然 而，由于基質增加透明導電層的透射b*值（在色差系數中），因此透明導體可能遭受色彩失 真和例如透射比、霧度等等的光學特性的退化。此外，由于銀納米線，含有銀納米線的透明 導電層可能看上去呈黃色。在該點上，韓國專利公開第2012-0053724A號公開一種透明導 電薄膜和用于制備所述透明導電薄膜的方法。
【發明內容】
[0005] 本發明提供了透明導體、制備其的方法W及包括其的光學顯示器。所述透明導體 可展現良好的光學特性。
[0006] 本發明提供了透明導體、制備其的方法W及包括其的光學顯示器。所述透明導體 可防止色彩失真。
[0007] 本發明的一個實施例設及一種透明導體，其包含；基層W及形成于所述基層上并 且包含金屬納米線和基質的導電層，其中所述基質由包含無機中空粒子、氣單體或其混合 物的基質組合物形成。
[000引在本發明的一個實施例中，所述透明導體具有1. 0或小于1. 0的透射b*值。
[0009] 在本發明的一個實施例中，所述無機中空粒子具有1. 4或小于1. 4的折射率。
[0010] 在本發明的一個實施例中，就固體含量而言，所述無機中空粒子W lOwt%到 70wt%的量存在于所述基質組合物中。
[0011] 在本發明的一個實施例中，所述無機中空粒子由娃、侶、儀、裡、錯W及鋒中的至少 一個的氧化物、碳化物或氮化物形成。
[001引在本發明的一個實施例中，所述基質組合物包括6wt%或小于6wt%的氣。
[0013]在本發明的一個實施例中，就固體含量而言，所述基質組合物包括40wt%到 80wt%的所述無機中空粒子、所述氣單體或其混合物；15wt%到55wt%的粘合劑；W及 0.Iwt%到5wt%的引發劑。
[0014] 在本發明的一個實施例中，所述金屬納米線包括銀納米線。
[0015] 在本發明的一個實施例中，所述透明導體進一步包括防蝕層、防眩光涂層、粘著促 進層W及寡聚物洗提防止層中的至少一個，形成于所述基層的上表面或下表面上。
[0016] 在本發明的一個實施例中，所述基質組合物進一步包括多官能單體，所述多官能 單體包括五官能單體或六官能單體、W及=官能單體。
[0017] 在本發明的一個實施例中，所述S官能單體包括基于（甲基）丙締酸醋的單體。 [001引在本發明的一個實施例中，所述S官能單體包括烷氧基化的基于（甲基）丙締酸 醋的單體。
[0019] 在本發明的一個實施例中，所述基質進一步包括粘著力促進劑、UV吸收劑、增稠劑W及分散劑中的至少一個。
[0020] 本發明的另一實施例設及一種用于制備透明導體的方法，其包含；在基層上形成 金屬納米線網絡層；W及使用包含無機中空粒子、氣單體或其混合物的基質組合物在金屬 納米線網絡層上形成導電層。
[0021] 在本發明的一個實施例中，所述基質組合物進一步包括多官能單體，所述多官能 單體包括五官能單體或六官能單體、W及=官能單體。
[0022] 本發明的另一實施例設及一種光學顯示器，其包含；顯示面板；形成于所述顯示 面板上的透明導體；W及形成于所述透明導體上的窗口，其中所述透明導體是根據如上文 所述的本發明實施例的透明導體。
[0023] 在本發明的一個實施例中，所述顯示面板包括LCD、OLED或LED。
[0024] 本發明提供了透明導體、制備其的方法W及包括其的光學顯示器。所述透明導體 可通過確保低霧度和高透射比展現良好的光學特性。
[0025]本發明提供了透明導體、制備其的方法W及包括其的光學顯示器。所述透明導體 可通過確保低透射b*值防止色彩失真。
【附圖說明】
[0026] 圖1說明根據本發明的一個實施例的透明導體的截面圖。
[0027] 圖2說明根據本發明的另一個實施例的透明導體的截面圖。
[002引圖3說明根據本發明的一個實施例的光學顯示器的截面圖。
[0029] 圖4說明根據本發明的另一個實施例的光學顯示器的截面圖。
[0030] 圖5說明根據本發明的另一實施例的光學顯示器的截面圖。
[0031] 圖6說明根據本發明的又一實施例的光學顯示器的截面圖。
[0032] 圖7說明根據本發明的又一實施例的光學顯示器的截面圖。
[0033] 圖8說明根據本發明的又一實施例的光學顯示器的截面圖。
[0034] 圖9說明根據本發明的又一實施例的光學顯示器的截面圖。
【具體實施方式】
[0035]現將參考附圖詳細描述本發明的實施例。應理解，本發明不限于W下實施例并且 可不同的方式實施。在附圖中，為清楚起見將省去與本說明書無關的部分。在本說明 書通篇中，相似組件將由相似參考數字表示。如本文所用，例如"上側面（表面）"和"下側 面（表面）"的定向術語參考附圖經定義。因此，應理解，"上側面（表面）"可w與"下側面 (表面）"互換使用。術語"（甲基）丙締酸醋"可W指丙締酸醋和/或甲基丙締酸醋。
[0036] 本發明的實施例提供一種透明導體，其可W包含；基層；W及形成于所述基層的 上表面上并且包含金屬納米線和基質的透明導電層，其中所述基質可W由包含無機中空粒 子、氣單體或其混合物的組合物形成。透明導體可W增加總透射比，同時通過允許反射自基 質的光被反射自透明導電層的光偏移來減小霧度，由此增強光學特性。
[0037] 基質可W由包含無機中空粒子、氣單體或其混合物的基質組合物形成。無機中空 粒子、氣單體或其混合物具有低折射率并且因此可W減小基質的折射率。因此，可W校正透 明導電層的色差，由此防止由透明導體的透射b*值降低所造成的色彩失真。在此情況下， 在通過圖案化透明導體形成透明電極薄膜之后，在經圖案化部分與非圖案化部分之間存在 改良的圖案可見度的效果。此外，無機中空粒子增加透明導電層的表面硬度，由此改良透明 導體的處理特性。
[003引透明導體可W通過減小透射b*值防止色彩失真。舉例來說，透明導體可W具有 1. 0或小于1. 0,確切地說0. 85或小于0. 85,更確切地說0. 1到0. 85,更確切地說0. 4到 0. 85的透射b*值。在此透射b*值范圍內，透明導體可W防止色彩失真。
[0039] 如本文所用，"透射b*值"可W通過使用CM3600D分光光度計（柯巧卡美能達有 限公司化onicaMinoltaCo.，Ltd.))在400納米到700納米的可見光波長下于透明導體 上測量，所述透明導體包含聚碳酸醋基底薄膜和堆疊在所述基底薄膜上并且包含金屬納米 線和基質的導電層。在該里，應理解，通過改變基底薄膜的材料和厚度、導電層的厚度和測 量波長而測量的透射b*值也屬于本發明的范圍內。
[0040] 接下來，將參考圖1描述根據本發明的一個實施例的透明導體100。圖1說明根據 本發明的一個實施例的透明導體的截面圖。參考圖1，根據該一實施例的透明導體100包含 基層110 ;和形成于基層110的一個表面上并且包含金屬納米線121和基質122的透明導 電層120。基質包含無機中空粒子、氣單體、或其混合物W減小其折射率同時校正透明導電 層的色差。因此，可W通過減小透明導體的透射b*值來防止透明導體的色彩失真。因此， 透明導體具有包含透射比、霧度等等的改良光學特性。
[0041] 基層110是透明薄膜并且可W在550納米的波長下具有85%到100%，確切地說 88%到99%的透射比。另外，基層可W具有1.5到1.65的折射率。在此范圍內，透明導體 可W展現改良的光學特性。
[0042] 基層110可W是柔性絕緣薄膜。舉例來說，基層110可W包含但不限于至少一種 選自由W下各種組成的群組的材料；包含聚對苯二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲酸己二 醇醋等等的聚醋樹脂；聚碳酸醋；環締姪聚合物；聚締姪樹脂；聚諷樹脂、聚酷亞胺樹脂、娃 酬樹脂、聚苯己締樹脂、聚丙締樹脂、聚氯己締樹脂，W及其混合物。另外，基層110可W由 單個層或至少兩個通過粘合劑彼此結合的樹脂薄膜所組成的堆疊結構構成。
[0043] 基層110可W具有10微米到200微米、確切地說30微米到150微米，或40微米 至IJ125微米、更確切地說50微米到125微米的厚度。在此范圍內，基層可W有利地用于顯 示器，例如柔性顯示器。
[0044] 透明導電層120可W形成于基層110的上表面上。
[0045] 透明導電層120包含金屬納米線121和基質122。透明導電層120包含由金屬納 米線121構成的導電網絡，由此確保導電性、良好的柔性和彎曲性。所述透明導電層可W通 過例如蝕刻等等的圖案化方法形成電極，并且可W用于柔性裝置W便確保柔性。在一些實 施例中，電極可W在第一方向和第二方向中W多條線形成。
[0046] 由于納米線的形狀，金屬納米線121與金屬納米粒子相比展現更好的分散性。另 夕F，由于粒子形狀與納米線形狀之間的不同，金屬納米線121可W大大減小透明導電薄膜 的薄層電阻。金屬納米線121具有具特定橫截面的超細線形狀。在一些實施例中，金屬納 米線121的長度（L)與橫截面直徑（d)的比率（L/d，縱橫比）可W在10到2, 000的范圍 內。舉例來說，金屬納米線可W具有500到1，000的縱橫比，例如500到700。在此范圍內， 透明導體即使在低密度納米線下仍可W實現高導電網絡，并且展現減少的薄層電阻。