形成一間 隔S1。經由控制第一間隔件111的突出量hi及第二間隔件131的突出量h2,可控制間隔 Sl的尺寸。第一間隔件111的突出量hi、第二間隔件131的突出量h2、第一小柱122的高 度T1、第二小柱142的高度T2與間隔Sl之間距Hl的關系式如下式（3)。
[0086] (hl+h2)-(Tl+T2)=Hl................................................(3)
[0087] 式（3)中，hi表示第一間隔件111突出超過第一子包覆體161的上表面161u的 突出量、h2表示第二間隔件131突出超過第二子包覆體162的下表面162b的突出量、Tl表 示第一小柱122的高度，而T2表示第二小柱142的高度。經由突出量hi與h2的設計，可 控制間隔Sl的間距Hl的值。突出量h2例如是介于1至3微米之間，且突出量h2與hi可 相同或相異。
[0088] 可采用無電電鍍技術，形成電性連接元件150連接第一導電柱120與第二導電柱 140。在無電電鍍工藝中，電性連接元件150的第一部分151從第一大柱121的端面121e 與第一小柱122的外表面（第一端面122e及外側面122s)往外均勻地成長，同時，電性連 接元件150的第二部分152從第二大柱141的端面141e與第二小柱142的外表面（第二 端面142e及外側面142s)往外均勻地成長。
[0089] 如圖51所示，繼續進行無電電鍍工藝中，直到第一部分與第二部分在間隔Sl內接 觸，如此，使得第一導電柱120與第二導電柱140通過電性連接元件150電性連接。當第一 部分151與第二部分152在間隔Sl內一接觸，電性連接元件150位于間隔Sl (第一端面 122e與第二端面142e之間的空間）左右二側的部分不及往外成長而形成一頸縮部153。
[0090] 如圖5J所示，加熱對接后的第一基板110與第二基板130,使第一子包覆體 161 (圖51)與第二子包覆體162 (圖51)形成第一包覆體160,其中第一包覆體160包覆 第一導電柱120的第一大柱121的外側面121s、第二導電柱140的第二大柱142的外側 面142s與電性連接元件150的外側面150s。在加熱前，由于第一子包覆體161與第二子 包覆體162仍呈B階段特性，故第一子包覆體161與第二子包覆體162在加熱后軟化而暫 時轉變至A階段（A-stage)，亦即呈現熱固性樹脂反應的早期階段，該材料仍可以熔融和溶 解于溶劑或流體中，其外觀呈現液態。轉變至A階段的第一子包覆體161與第二子包覆體 162具有優良可塑性，其可流動地重新分布而包覆第一導電柱120、第二導電柱140與電性 連接元件150。之后持續加熱讓第一子包覆體161與第二子包覆體162完全熟化至C階段 (C-stage)，亦即是熱固性樹脂反應的最終階段，該材料不能熔融和溶解，其外觀呈現固態。
[0091] 由于加熱工藝，可使第一導電柱120、第二導電柱140與電性連接元件150熔合成 單一導電柱，即，第一導電柱120、第二導電柱140與電性連接元件150之間的明顯界面消 失、變得不明顯或淡化。然第一導電柱120、第二導電柱140與電性連接元件150之間是否 具有明顯或不明顯界面并非用以限制本發明實施例。
[0092] 如圖5K所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一切割道Pl經過第二基板130、 第一包覆體160與第一基板110,以形成至少一如圖1所示的半導體結構100,其中第一間 隔件111及第二間隔件131是被切除。
[0093] 請參照圖6,其繪示圖2的半導體結構200的制造過程圖。形成呈B階段的第二包 覆體260于第一子包覆體161與第二子包覆體162之間且包覆電性連接元件150的外側面 150s。由于第一子包覆體161及第二子包覆體162于第二包覆體260形成前就已通過加熱 工藝轉變成C階段（固化），因此在第二包覆體260形成后，第二包覆體260與第一子包覆 體161之間形成明顯的第一界面260Π ，且第二包覆體260與第二子包覆體162之間形成明 顯的第二界面260f2。通過加熱工藝可將第二包覆體260由B階段轉換成C階段（固化）。 第二包覆體260固化過程相似于第一包覆體160,容此不再贅述。
[0094] 半導體結構200的其余制造步驟相似于圖1的半導體結構200的對應步驟，容此 不再贅述。
[0095] 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明。本發 明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動 與潤飾。因此，本發明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
【主權項】
1. 一種半導體結構，其特征在于，包括： 一第一基板； 一第一導電柱，形成于該第一基板上； 一第二基板，與該第一基板相對配置； 一第二導電柱，形成于該第二基板上； 一電性連接元件，連接該第一導電柱的一第一端面與該第二導電柱的一第二端面，該 第一端面與該第二端面之間形成一間隔；W及 一第一包覆體，形成于該第一基板與該第二基板之間并包覆該第一導電柱、該第二導 電柱與該電性連接元件； 其中，該第一導電柱、該第二導電柱與該電性連接元件構成單一導電柱。
2. 如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電柱包括一第一大柱及一 第一小柱，該第一小柱形成于該第一大柱的一端面上，該第一小柱具有該第一端面。
3. 如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，該第二導電柱包括一第二大柱及一 第二小柱，該第二小柱形成于該第二大柱的一端面上，該第二小柱具有該第二端面。
4. 如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，該電性連接元件包覆該第一大柱的 該端面、該第一小柱的該第一端面、該第一小柱的外側面、該第二大柱的該端面、該第二小 柱的該第二端面與該第二小柱的外側面。
5. 如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，該電性連接元件包覆該第一大柱的 該端面與該第二大柱的該端面，而未包覆該第一大柱的外側面與該第二大柱的外側面。
6. 如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一包覆體包覆該第一導電柱的 外側面、該第二導電柱的外側面與該電性連接元件的外側面。
7. 如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一包覆體包括： 一第一子包覆體，包覆該第一導電柱的外側面； 一第二子包覆體，包覆該第二導電柱的外側面； 該半導體結構更包括： 一第二包覆體，包覆該電性連接元件的外側面，且該第二包覆體與該第一子包覆體之 間W及與該第二子包覆體之間各形成一界面。
8. 如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一端面與該第二端面的間距等 于該第一小柱的外側面與該第一大柱的外側面的距離的二倍。
9. 如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該電性連接元件、該第一導電柱與該 第二導電柱是由相同材料形成。
10. -種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供一第一基板，該第一基板上形成有一第一導電柱； 提供一第二基板，該第二基板上形成有一第二導電柱； 形成一第一子包覆體包覆該第一導電柱； 形成一第二子包覆體包覆該第二導電柱； 形成數個第一間隔件； 形成數個第二間隔件； 對接該第一基板與該第二基板，其中該些第一間隔件與該些第二間隔件接觸，且該第 一導電柱的一第一端面與該第二導電柱的一第二端面之間形成一間隔； 形成一電性連接元件通過該間隔連接該第一導電柱的該第一端面與該第二導電柱的 該第二端面；W及 加熱對接后的該第一基板與該第二基板，使該第一導電柱、該第二導電柱與該電性連 接元件構成單一導電柱，且該第一子包覆體與該第二子包覆體形成一第一包覆體，其中該 第一包覆體包覆該第一導電柱、該第二導電柱與該電性連接元件。
【專利摘要】一種半導體結構及其制造方法。半導體結構包括第一基板、第一導電柱、第二基板、第二導電柱、電性連接元件及第一包覆體。第一導電柱形成于該第一基板上。第二基板與第一基板相對配置。第二導電柱形成于第二基板上。電性連接元件連接第一導電柱的第一端面與第二導電柱的第二端面，第一端面與第二端面之間形成一間隔。第一包覆體形成于第一基板與第二基板之間并包覆第一導電柱、第二導電柱與電性連接元件。其中，第一導電柱、第二導電柱與電性連接元件構成單一導電柱。
【IPC分類】H01L21-768, H01L23-498
【公開號】CN104681530
【申請號】CN201310610357
【發明人】陳銀發, 邱盈達, 林光隆, 楊秉豐
【申請人】日月光半導體制造股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月26日