集成系統、集成系統操作方法以及膜處理方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及集成系統、集成系統操作方法和膜處理方法。
【背景技術】
[0002]隨著科學和技術的發展，存在用于施加連續處理的不同種類的工藝設備以制造諸如TFT器件、LED器件和晶圓襯底的半導體產品。
[0003]為了控制半導體產品的質量，需要用于測量襯底的沉積膜的計量設備。例如，濕蝕刻設備可以蝕刻形成在襯底上的膜。蝕刻膜之后，可以通過載體將襯底移動至檢驗臺，諸如可以測量襯底的膜厚度的橢圓偏振計。如果膜的厚度太厚，需要設定用于干蝕刻設備或濕蝕刻設備的蝕刻配方以來降低膜的厚度。如果膜的厚度太薄，可以將襯底刮掉或需要通過膜沉積工具升高襯底。
[0004]然而，檢驗臺可以遠離上述的工藝設備，檢查、沉積和蝕刻襯底的膜的循環時間難以減小。而且，需要根據從橢圓偏振計測得的膜信息手動地計算沉積時間或蝕刻時間。因此，由于不同的使用者的經驗，不能改進襯底的工藝控制。
【發明內容】
[0005]為了解決現有技術中存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種集成系統，包括:工藝裝置，用于對襯底施加膜處理；計量裝置，直接鄰近所述工藝裝置以測量所述襯底的膜；以及轉移裝置，用于在所述工藝裝置和所述計量裝置之間移動所述襯底。
[0006]在上述集成系統中，所述計量裝置包括:發送器，用于將光發射至所述襯底的膜；以及接收器，電連接至所述發送器并且接收由所述襯底的膜反射的光以獲得膜信息。
[0007]在上述集成系統中，還包括:膜分析單元，電連接至所述接收器以根據所述膜信息自動地選擇用于所述工藝裝置的配方。
[0008]在上述集成系統中，所述膜分析單元位于所述計量裝置或所述工藝裝置內。
[0009]在上述集成系統中，所述計量裝置包括:工作臺，用于支撐所述襯底；以及電動機，連接至所述工作臺以使所述工作臺旋轉。
[0010]在上述集成系統中，所述轉移裝置電連接至所述工藝裝置和所述計量裝置。
[0011]在上述集成系統中，所述工藝裝置是化學汽相沉積室、物理汽相沉積室、干蝕刻室或濕蝕刻室。
[0012]在上述集成系統中，所述計量裝置包括橢圓偏振計或自動光學檢查裝置。
[0013]根據本發明的另一方面，還提供了一種集成系統操作方法，包括:通過計量裝置測量襯底的膜以獲得膜信息；將所述襯底從所述計量裝置移動至鄰近轉移裝置的工藝裝置；將所述膜信息發送至所述工藝裝置；以及根據所述膜信息對所述襯底施加膜處理。
[0014]在上述集成系統操作方法中，測量所述襯底的膜還包括:驅動發送器和接收器以獲得所述膜?目息。
[0015]在上述集成系統操作方法中，測量所述襯底的膜還包括:使支撐所述襯底的工作臺旋轉。
[0016]在上述集成系統操作方法中，還包括:根據所述膜信息自動地選擇用于所述工藝裝置的配方。
[0017]在上述集成系統操作方法中，將所述膜信息發送至所述工藝裝置還包括:將所述膜信息發送至與所述工藝裝置和所述計量裝置電連接的控制系統。
[0018]根據本發明的又一方面，還提供了一種膜處理方法，包括:將襯底載入包括計量裝置和工藝裝置的集成系統中；通過所述集成系統的計量裝置測量所述襯底的膜以獲得第一膜信息；以及根據所述第一膜信息自動地選擇用于所述集成系統的工藝裝置的第一配方。
[0019]在上述膜處理方法中，還包括:根據所述第一配方通過所述工藝裝置對所述襯底施加第一膜處理，從而改進所述膜的厚度。
[0020]在上述膜處理方法中，還包括:通過所述計量裝置測量所述襯底的改進的膜以獲得第二膜信息。
[0021]在上述膜處理方法中，還包括:確定所述第二膜信息是否達到目標值。
[0022]在上述膜處理方法中，當所述改進的膜達到所述目標值時，所述膜處理方法還包括:卸載所述襯底并且將所述襯底發送至下一個工藝步驟。
[0023]在上述膜處理方法中，當所述改進的膜未達到所述目標值時，所述膜處理方法還包括:根據所述第二膜信息自動地選擇用于所述工藝裝置的第二配方。
[0024]在上述膜處理方法中，還包括:根據所述第二配方通過所述工藝裝置對所述襯底的改進的膜施加第二膜處理，從而再次改進所述改進的膜以達到所述目標值。
【附圖說明】
[0025]通過閱讀下面的各個實施例的詳細描述、參照如下附圖，可以更充分地理解本發明。附圖如下:
[0026]圖1是根據本發明的一些實施例的集成系統的頂部示意圖；
[0027]圖1A是根據本發明的一些實施例的工藝裝置、計量裝置、轉移裝置的位置布置的頂部示意圖；
[0028]圖1B是根據本發明的一些實施例的工藝裝置、計量裝置、轉移裝置的位置布置的頂部示意圖；
[0029]圖2是圖1中所示的計量裝置在測量襯底時的側視圖；
[0030]圖3是電連接至控制系統的圖1中所示的集成系統的框圖；
[0031]圖4是傳輸信息時的圖3中所示的框圖；
[0032]圖5是根據本發明的一些實施例的集成系統操作方法的流程圖；
[0033]圖6是根據本發明的一些實施例的膜處理方法的流程圖；
[0034]圖7是根據本發明的一些實施例的膜處理方法的流程圖；
[0035]圖8是根據本發明的一些實施例的膜處理方法的流程圖；
[0036]圖9是根據本發明的一些實施例的膜處理方法的流程圖；以及
[0037]圖10是根據本發明的一些實施例的膜處理方法的流程圖；
【具體實施方式】
[0038]在以下描述中，呈現具體細節以提供對本發明的實施例的深入的理解。然而，本領域普通技術人員應意識到，在沒有一個或多個具體細節或與其他組件結合的情況下可以實行本發明。未詳細示出或描述公知的實施方式和操作以避免模糊本發明的各個實施例的各方面。
[0039]本說明書中所使用的術語通常具有本領域的普通含義并且每個術語用于特定的環境中。在本說明書中實例的使用，包括本文所討論的任何術語的實例，并且使用的實例僅是說明性的，并且絕不限制本發明或任何示例性術語的范圍和含義。同樣地，本發明并不限于本說明書給定的各個實施例。
[0040]應當理解，盡管本文可以使用術語“第一”、“第二”等以描述各個元件，但是這些元件不應當被這些術語所限制。這些術語用于區分一個元件與其他元件。例如，在不背離實施例的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。如本文所使用，術語“和/或”包括所列舉的一個或多個相關部件的任何一個和所有組合。
[0041]如本文所使用的，術語“由…組成”、“包括”、“具有”、“包含” “涉及”等要理解為開放式的，意思是包括但不限于。
[0042]參考整個說明書，“一個實施例”或“實施例”意思是結合實施例所描述的特定部件、結構、實施方式或特性包括在本發明的至少一個實施例中。在整個說明書的各個位置處使用的短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的不必全部指的是相同的實施例。而且，可以在一個或多個實施例中以任何合適的方式對特定的部件、結構、實施方式或特性進行組合。
[0043]圖1是根據本發明的一些實施例的集成系統100的頂部示意圖；如圖1所示，集成系統100包括工藝裝置110、計量裝置120和轉移裝置130。計量裝置120直接鄰近工藝裝置110。此外，轉移裝置130電連接至工藝裝置110和計量裝置120。
[0044]當集成系統100處于操作狀態時，可以將襯底210移動至集成系統100的端口220。隨后，轉移裝置130可以將襯底210從端口 220移動至計量裝置120，從而使得計量裝置120可以測量襯底210的膜(例如，測量襯底210的膜厚度)。接下來，轉移裝置130將襯底210從計量裝置120移動至工藝裝置110，從而使得工藝裝置110可以對襯底210施加膜處理(例如，沉積