有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0003]傳統的有機電致發光器件的電子注入層一般采用氟化鋰，但是由于氟化鋰熔點過高，蒸鍍時必須采用較大電流來蒸鍍，而有機蒸鍍室的蒸鍍室溫度過高，會使其他有機功能層受到破壞，并且氟化鋰的成膜性較差，容易形成電子缺陷，造成電子的淬滅，降低了電子和空穴的復合幾率。
【發明內容】
[0004]基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
[0005]—種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和電子傳輸材料摻雜層組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鈍化材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述鈍化材料層選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中至少一種，所述電子傳輸材料摻雜層包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的銅的化合物，所述電子傳輸材料的玻璃化轉變溫度在50°C?100°C，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種。
[0006]所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與鈍化材料的質量比為10:1?25:1，所述電子傳輸材料摻雜層中所述電子傳輸材料與所述銅的化合物材料的質量比為20:1 ?30:1。
[0007]所述銣的化合物摻雜層厚度為1nm?50nm,所述電子傳輸材料摻雜層厚度為20nm ?80nmo
[0008]所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2-(4’-叔丁苯基)-5_ (4’_聯苯基)-1, 3，4-惡二唑、2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲及2，2’-(I, 3-苯基)二[5- (4-叔丁基苯基)-1, 3，4-惡二唑]中至少一種。
[0009]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層；
[0011]然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和電子傳輸材料摻雜層組成，所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過電子束蒸鍍的方法制備銣的化合物摻雜層，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鈍化材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述鈍化材料層選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中至少一種，然后在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備電子傳輸材料摻雜層，所述電子傳輸材料摻雜層包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的銅的化合物，所述電子傳輸材料的玻璃化轉變溫度在50°C?100°C，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，及，
[0012]在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
[0013]所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與鈍化材料的質量比為10:1?25:1，所述電子傳輸材料摻雜層中所述電子傳輸材料與所述銅的化合物材料的質量比為20:1 ?30:1。
[0014]所述銣的化合物摻雜層厚度為1nm?50nm,所述電子傳輸材料摻雜層厚度為20nm ?80nmo
[0015]所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0016]所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強為2X10—3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0017]上述有機電致發光器件及其制備方法，通過制備電子注入層結構，該電子注入層結構層由銣的化合物摻雜層和電子傳輸材料摻雜層組成組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鈍化材料，銣的化合物熔點較低容易蒸鍍，因為有金屬離子的存在，并且功函數較低，所以有利于電子的注入，能夠降低電子的注入勢壘提高電子注入效率，同時，金屬銣元素的電子濃度較高，可提高電子的傳輸速率，鈍化材料的性質穩定，可隔絕空氣中的水氧擴散到銣的化合物摻雜層中。電子傳輸材料摻雜層為容易結晶的電子傳輸材料與銅的化合物組成，易結晶的電子傳輸材料結晶后鏈段排列規整，可提聞光的散射，從而提聞出光效率，可大大提聞電子的傳輸速率，銅的化合物材料的納米粒徑較大，可提高光散射，使向兩側發射的光散射回到中間底部出射，從而提高發光效率。
【附圖說明】
[0018]圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0019]圖2為一實施方式的有機電致發光器件的電子注入層結構示意圖；
[0020]圖3為實施例1制備的有機電致發光器件的電流密度與電流效率關系圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發光器件及其制備方法進一步闡明。
[0022]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70。
[0023]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優選為ΙΤ0，陽極10的厚度為50nm?300nm，優選為120nmo
[0024]空穴注入層20形成于陽極10表面。空穴注入層20的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優選為Mo03。空穴注入層20的厚度為20nm ?80nm,優選為 27nm。
[0025]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面。空穴傳輸層30的材料選自1，1_ 二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB)中的至少一種，優選為TCTA。空穴傳輸層30的厚度為20nm?60nm，優選為32nm。
[0026]發光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯苯(BCzVBi )及八羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優選為BCzVBi。發光層40的厚度為5nm?40nm,優選為28nm。
[0027]電子傳輸層50形成