晶圓清洗裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶圓制造領域，特別涉及一種晶圓清洗裝置。
【背景技術】
[0002]晶圓(Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓加工過程中，需根據需要去除晶圓表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層、石英、塑料等污染物，且不破壞晶片表面特性。如晶圓電鍍后，需對晶圓進行清洗以去除晶圓表面殘留的電鍍液，避免電鍍液對晶圓產生影響，降低晶圓品質，同時也避免電鍍液對下一道工序產生污染。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種可對晶圓進行清洗的晶圓清洗裝置。
[0004]為實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現:
[0005]晶圓清洗裝置，其特征在于，包括:
[0006]清洗槽；所述清洗槽設有容腔；
[0007]晶圓支撐裝置；所述晶圓支撐裝置設置在所述容腔內，用于夾持晶圓；
[0008]噴頭；所述噴頭可朝向晶圓噴射液體或氣體。
[0009]優選地是，所述噴頭與所述晶圓支撐裝置可相對移動地設置。
[0010]優選地是，還包括第一驅動裝置；所述第一驅動裝置驅動所述晶圓支撐裝置做升降運動或通過第一傳動裝置驅動所述晶圓支撐裝置做升降運動。
[0011]優選地是，所述第一驅動裝置為第一氣缸或第一伺服電機。
[0012]優選地是，還包括第二驅動裝置；所述第二驅動裝置驅動所述晶圓支撐裝置轉動或通過第二傳動裝置驅動所述晶圓支撐裝置轉動。
[0013]優選地是，所述第二驅動裝置為第二氣缸或第二伺服電機；所述第二伺服電機的第二電機主軸與所述晶圓支撐裝置連接。
[0014]優選地是，還包括第二驅動裝置；所述第二驅動裝置為第二氣缸或第二伺服電機；所述第二伺服電機與所述第一氣缸的第一活塞桿連接，隨所述第一活塞桿伸縮做升降運動；所述第二伺服電機的第二電機主軸與所述晶圓支撐裝置連接，驅動所述晶圓支撐裝置轉動。
[0015]優選地是，所述晶圓支撐裝置包括真空吸盤；所述真空吸盤上開設有吸孔；所述吸孔與抽真空裝置連通。
[0016]優選地是，所述第二伺服電機的第二電機主軸為空心軸，沿軸向開設有第一通孔；所述第一通孔與所述吸孔連通。
[0017]優選地是，所述晶圓支撐裝置還包括套筒；所述套筒設有第二通孔；所述套筒與所述真空吸盤連接，且所述第二通孔與所述吸孔連通；所述第二伺服電機安裝在所述容腔的外側；所述套筒貫穿所述清洗槽的槽底套設在所述第二電機主軸上，或所述套筒套設在貫穿清洗槽槽底的第二電機主軸上；所述第二通孔與所述第一通孔連通；銷軸貫穿所述套筒的側壁后插入所述第二電機主軸內，阻止所述套筒和所述第二電機主軸分離，并阻止所述套筒和所述第二電機主軸相對轉動。
[0018]優選地是，所述清洗槽的槽底設有至少一個出液口。
[0019]優選地是，所述清洗槽的槽底傾斜；所述清洗槽的槽底的高度自所述套筒或所述第二電機主軸的貫穿處向所述出液口方向逐漸降低。
[0020]優選地是，還包括擋板；所述擋板設置在所述清洗槽的槽底且高出所述槽底；所述擋板環繞所述套筒或第二電機主軸；晶圓的下表面可蓋住所述擋板；所述擋板上還開設有至少一個導流孔；所述導流孔將所述擋板兩側區域導通地設置。
[0021]優選地是，還包括至少一個支架；所述支架設置在所述清洗槽的一側，且可相對所述晶圓支撐裝置轉動、升降；所述支架上設有至少一個所述噴頭。
[0022]優選地是，還包括至少一個第三驅動裝置；每個所述第三驅動裝置驅動一個所述支架做升降運動或通過一個第三傳動裝置驅動一個所述支撐臂做升降運動。
[0023]優選地是，所述第三驅動裝置為第三氣缸或第三伺服電機；所述第三氣缸的第三活塞桿與支架可轉動連接。
[0024]優選地是，還包括至少一個第四驅動裝置；每個所述第四驅動裝置驅動一個所述支架轉動或通過一個第四傳動裝置驅動一個所述支架轉動。
[0025]優選地是，所述第四驅動裝置為第四氣缸或第四伺服電機；所述第四傳動裝置包括傳動帶；所述傳動帶環繞所述第四伺服電機的第四電機主軸和所述支架上；每個所述第四伺服電機與一個所述第三氣缸的第三活塞桿連接，隨所述第三活塞桿伸縮做升降運動。
[0026]優選地是，還包括至少一個接液槽；所述接液槽設置在所述清洗槽的一側，用于收集所述噴頭噴射在所述容腔以外區域的液體。
[0027]優選地是，還包括控制主機和至少一個位置檢測裝置；每個所述位置檢測裝置用于檢測一個所述支架的位置，并向所述控制主機發送信號；所述控制主機控制所述第四驅動裝置工作，并根據所述位置檢測裝置的信號決定所述第四驅動裝置啟動或停止。
[0028]優選地是，所述位置檢測裝置包括接近開關和凸片；所述凸片與所述支撐桿同步轉動；所述接近開關位于所述凸片的行進路線上；所述接近開關根據所述凸片是否位于所述接近開關的檢測范圍內，向所述控制主機發出不同的信號；所述控制主機根據所述接近開關的信號，決定所述第四驅動裝置的工作。
[0029]優選地是，所述支撐臂的數量為兩個；每個所述支撐臂上均設有所述噴頭。
[0030]優選地是，所述清洗槽的槽底設有至少一個抽氣口 ；所述抽氣口與抽氣裝置連通；所述抽氣裝置用于對所述容腔抽氣，使所述容腔內形成負壓。
[0031]本發明提供晶圓清洗裝置，可對晶圓進行清洗處理，自動化程度大，生產效率高，對晶圓的清洗效果好、清洗良品率高。
【附圖說明】
[0032]圖1為本發明中的晶圓清洗裝置的使用示意圖；
[0033]圖2為本發明中的晶圓清洗裝置的結構示意圖；
[0034]圖3為本發明中的晶圓清洗裝置的局部示意圖；
[0035]圖4為本發明中的槽底的結構示意圖；
[0036]圖5為本發明中的晶圓清洗裝置的結構主視圖；
[0037]圖6為圖5中的晶圓清洗裝置的另一角度結構示意圖；
[0038]圖7為圖5中的晶圓清洗裝置的另一角度結構示意圖；
[0039]圖8為本發明中的晶圓支撐裝置的結構示意圖；
[0040]圖9為圖8所示結構的剖視圖；
[0041]圖10為本發明中的晶圓清洗裝置的局部示意圖。
【具體實施方式】
[0042]下面結合附圖對本發明進行詳細的描述:
[0043]如圖1和2所示，晶圓清洗裝置，包括底座1，底座I上設有清洗槽11，清洗槽11設有容腔110。還包括晶圓支撐裝置2，晶圓支撐裝置2設置在容腔110內，用于支撐晶圓Olo還包括三個噴頭，分別為兩個第一噴頭3和第二噴頭8。噴頭可朝向晶圓01噴射液體或氣體。噴頭與晶圓支撐裝置2可相對移動地設置。清洗槽11的兩側分別設置有一個接液槽9，接液槽9用于收集第一噴頭3滴在或泄漏在容腔110以外區域的液體，防止液體對其他部件造成污染。
[0044]如圖3所示，晶圓支撐裝置2包括真空吸盤21和套筒22。真空吸盤21上設有吸孔210，吸孔在真空吸盤21的上表面開設有開口 211。套筒22設有第二通孔221。套筒22與真空吸盤21連接，第二通孔221和吸孔210連通。套筒22貫穿清洗槽11的槽底121，可相對清洗槽11做升降運動，且可繞套筒22的中心軸線轉動。
[0045]如圖3和4所示，清洗槽11的槽底設有出液口 112。槽底121的高度自套筒22的貫穿處向出液口 112的方向逐漸降低。晶圓清洗裝置還包括擋板122，擋板122設置在槽底121且高出槽底121。擋板122環繞套筒22，真空吸盤21下降后，其下表面可蓋住擋板122。擋板122上還開設有四個導流孔123，導流孔123將擋板122兩側區域導通地設置。
[0046]如圖5-9所示，晶圓清洗裝置還包括第一驅動裝置和第二驅動裝置。第一驅動裝置選用第一氣缸41，第一氣缸41設置在底座I的下方，位于容腔110的外部。第二驅動裝置選用第二伺服電機42。第二伺服電機42與第一氣缸41的第一活塞桿(圖中未不出)連接，位于容腔110的外部。第二伺服電機42隨第一活塞桿的伸縮做升降運動。套筒22貫穿清洗槽11的槽底121后套設在第二伺服電機42的第一電機主軸421上，通過第二伺服電機42驅動套筒22轉動，進一步帶動真空吸盤21轉動。銷軸23貫穿套筒22的側壁后插入第二電機主軸421內，阻止套筒22和第二電機主軸421分離，并阻止套筒22和第二電機主軸421相對轉動，確保套筒22在第二電機主軸421的驅動下同步轉動。
[0047]第二伺服電機42的第二電機主軸421為空心軸，沿軸向開設有第一通孔422。第一通孔422與第二通孔221連通。第一通孔422與抽真空裝置(圖中未示出)連通，通過抽真空裝置對第一通孔422抽真空，從而使吸孔210內形成負壓，通過負壓將晶圓01吸附在真空吸盤21的上表面。
[0048]清洗槽11的槽底121設有抽氣口 111。抽氣口 111與抽氣裝置(圖中未示出)連通。抽氣裝置用于對容腔110抽氣，使容腔110內形成負壓。
[0049]如圖1和2所示，底座I上設有兩個支架，支架包括支撐桿51。兩個支撐桿51分別位于清洗槽11的兩側。支撐桿51可相對底座I做升降運動地設置，且支撐桿51可繞其中心軸轉動。每個支撐桿51上均設有一個支撐臂52，支撐臂52與支撐桿51同步轉動。每個支撐臂52上均設有一個第一噴頭3。第二噴頭8固定安裝在清洗槽11的一側。
[0050]如圖5-7所示，晶圓清洗裝置還包括兩個第三驅動裝置和兩個第四驅動裝置。第三驅動裝置選用第三氣缸43。第三氣缸43設置在底座I的下方。每個第三氣缸43的第三活塞桿(圖中未示出)均與一個支撐桿51可轉動連接，第三活塞桿伸縮即可帶動支撐桿51做升降運動，從而帶動支撐臂52支撐臂52上的第一噴頭3做升降運動。第四驅動裝置選用第四伺服電機44。每個第四伺服電機44與一個第三氣缸43的第三活塞桿連接，隨第三氣缸43的第三活