一種太陽能電池柵線電極的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池制備領域，特別是涉及一種太陽能電池柵線電極的制備。
【背景技術】
[0002]太陽能電池包括起支撐作用的太陽能電池片以及連接于電池片的表面電極，電池片產生的電流通過電極導出。為了減少電流導出的功率損耗，提高太陽能轉化率，使用的太陽能電池的電極多為呈柵網圖案的柵線電極，柵線電極包括橫向設置的子柵線(finger)和縱向設置的母柵線(busbar)，子柵線與母柵線交叉連接為一體；電池片通過光電效應產生的電流匯集到子柵線上，子柵線再將電流匯集到母柵線上最終流出。
[0003]以往柵線電極的制作是在電池硅基片表面上印刷銀漿，然后高溫燒結形成低電阻接觸。為了降低電極電阻，高導電材料，如銅已經開始使用，采用電鍍法在柵線網格上鍍上作為柵線電極的導電材料實現柵線電極的制備是最經濟實用的一種方法。使用銀漿印刷都需要在電池片硅基片上裝上模板，因此通過這種方法所制備的柵線電極，往往因為模版本身存在的經緯節點，在印刷的過程中，其對印刷漿料的作用會導致印刷后的細柵線線徑不均勻；而且印刷模版的厚度不易控制，難以實現精細的薄膜印刷，這些因素都最終影響到太陽能電池的光轉化率。采用在電池硅基片上貼覆干膜然后曝光顯影電鍍，可以消除上述制備工藝的缺陷，但是這種工藝通常所用的干膜面積都會大于硅基片的面積，由于干膜是不透明的，所以對干膜下方硅基片的位置也不好確定。現有的工藝是先剪除硅基片周圍多余干膜再在其上裝上掩膜板，該工藝費時費力還可能會破壞到硅基片增加了生產成本。
【發明內容】
[0004]本發明目的在于克服現有技術中存在的問題，提供一種太陽能電池柵線電極的制備方法。
[0005]本發明提供以下技術方案，本發明提供了一種太陽能電池柵線電極的制備方法，所述方法包括以下步驟:在硅基片兩面分別貼覆一層感光干膜；確定出干膜下硅基片的具體位置，在干膜上裝上掩模板，該掩膜板上具有所需的柵線網格圖形；根據確定的硅基片位置使所述掩模板與硅基片完全重合；對硅基片上的干膜進行曝光，將掩模版的柵格圖形轉移到干膜表面；對曝光過后的硅基片進行顯影，使硅基片表面形成柵線網格圖形；在硅基片表面的柵線網格圖形上電鍍上導電材料，形成太陽能電池的柵線電極。
[0006]較佳的，所述確定出干膜下硅基片的具體位置為采用高度測量法確定出干膜下硅基片的具體位置:采用高度測量儀在干膜表面任一方向上掃描，在高度變化處確定一個點，該點就位于硅基片邊緣處，用同樣的方法確定出硅基片至少三個方向上的點的硅基片邊緣位置，確定出干膜下硅基片的位置。
[0007]較佳的，所述確定出干膜下硅基片的具體位置為采用CXD拍照法確定干膜下硅基片的位置:根據CCD像素強度不同輸出值不同，該輸出值反應干膜表面高度的變化特征，確定出干膜下硅基片的位置。
[0008]較佳的，在硅基片表面的柵線網格圖形上電鍍上導電材料之后移除多余干膜。
[0009]較佳的，在移除多余干膜后采用腐蝕液腐蝕去除硅基片表面的種子金屬薄膜。
[0010]較佳的，所述用于曝光的敏感光為強紫外光。
[0011]較佳的，所述的干膜為正膠，顯影處理后曝光部分干膜被去除，未曝光部分保留。
[0012]較佳的，所述的干膜為負膠，顯影處理后曝光部分干膜保留，未曝光部分被去除。
[0013]較佳的，所述在柵線網格圖形上鍍上的導電材料為金屬銅。
[0014]本發明的有益效果在于:本發明的方法能準確得到干膜下硅基片的位置，不用剪除硅基片周圍干膜，避免破壞硅片，生產良率高，直接在硅基片表面電鍍，柵線電極質量好。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發明實施例一工藝流程圖；
[0016]圖2是本發明實施例二工藝流程圖；
[0017]圖3是本發明定位原理橫切示意圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0019]參閱圖1-2，本發明太陽能電池柵線電極的制備方法包括如下步驟:在太陽能電池的硅基片I的兩面都貼覆上一層感光干膜2，具體的，所述干膜2的厚度為10-100 μ m,貼膜完成后壓平整干膜2，使得干膜2與硅基片I緊密貼接。所述硅基片I可為經過PVD沉積了透明導電氧化薄膜及種子金屬薄膜的硅基片。
[0020]在干膜2上裝上具有所需網格線的掩模板3，掩膜板3上具有所需的柵線網格圖形。為了保證之后的曝光、顯影以及電鍍工序的質量，必須將掩膜板3與硅基片I精確對位，使得掩膜板3與硅基片I完全重合。由于干膜2的表面積大于其所覆蓋的硅基片I的表面積，需確定硅基片I在干膜2下的具體位置。為了達到此目的，本發明測量確定出干膜2下硅基片I的具體位置可以是在干膜2表面借助高度測量儀測量干膜2高度的變化以確定干膜2下硅基片I的邊緣位置。由于部分干膜2下沒有硅基片I的支撐，有硅基片I支撐的干膜2高度會高于沒有硅基片支撐的干膜高度，因此在硅基片I的邊緣位置處會出現干膜2高度的降低，當借助高度測量儀在干膜2表面某一方向上測量高度時，高度出現變化的地方就是硅基片的邊緣位置，高度差別為硅片的厚度，如此通過重復上述步驟就可以確定硅基片I的三個邊的位置就可以實現讓掩膜板與硅基片的重合。具體做法是采用高度測量儀測量任一方向上硅基片干膜的高度變化，根據該高度在某一方向上的變化來確定一個點見圖3箭頭A，該確定的點就位于干膜下硅基片的邊緣位置，然后確定出該點的坐標B (x, y)參見圖3。重復上