一種soi橫向恒流二極管及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于半導體功率器件技術領域，具體涉及一種SOI橫向恒流二極管及其制造方法。
【背景技術】
[0002]恒流源是一種常用的電子設備和裝置，在電子線路中使用相當廣泛。恒流源用于保護整個電路，即使出現電壓不穩定或負載電阻變化很大的情況，都能確保供電電流的穩定。恒流二極管(CRD，Current Regulative D1de)是一種半導體恒流器件，S卩用二極管作為恒流源代替普通的由晶體管、穩壓管和電阻等多個元件組成的恒流源，目前恒流二極管的輸出電流在幾毫安到幾十毫安之間，可直接驅動負載，實現了電路結構簡單、器件體積小、器件可靠性高等目的。另外恒流二極管的外圍電路非常簡單，使用方便，已廣泛應用于自動控制、儀表儀器、保護電路等領域。但是，目前恒流二極管的擊穿電壓高位普遍為30?100V，因此存在擊穿電壓較低的問題，同時能提供的恒定電流也較低。
【發明內容】
[0003]本發明針對恒流二極管夾斷電壓高、擊穿電壓低、恒流能力差的問題，提出了一種SOI橫向恒流二極管及其制造方法。本發明采用SOI (Silicon-On-1nsulator，絕緣襯底上的硅)技術，即在襯底上設置埋氧層，可有效防止集成系統中襯底漏電流帶來的不利影響；同時本發明采用雙載流子導電，大大增加了器件的電流密度，使器件的線性區更陡峭，夾斷電壓在5V以內。
[0004]本發明的技術方案如下:
[0005]一種SOI橫向恒流二極管，由多個結構相同的元胞叉指連接形成，所述元胞包括襯底2、埋氧層3、絕緣層上N型輕摻雜硅4、P型重摻雜區5、N型重摻雜區6、氧化介質層7、金屬陰極8、金屬陽極9、P型摻雜區10 ;所述埋氧層3位于襯底2之上，所述N型輕摻雜硅4位于埋氧層3之上，所述P型重摻雜區5、N型重摻雜區6、P型摻雜區10位于N型輕摻雜硅4之中，所述P型重摻雜區5位于N型重摻雜區6和P型摻雜區10之間，所述P型重摻雜區5和N型重摻雜區6與金屬陰極8歐姆接觸，所述P型摻雜區10與金屬陽極9形成歐姆接觸，所述P型重摻雜區5和N型重摻雜區6之間的N型輕摻雜硅4與金屬陰極8之間通過氧化介質層7隔開。
[0006]進一步地，所述元胞中金屬陰極8和金屬陽極9可沿氧化介質層7上表面延伸形成場板，場板的長度可調節，以使器件達到更好的恒流能力和更高的耐壓值。
[0007]進一步地，所述SOI橫向恒流二極管由多個元胞叉指連接形成，其中，SOI橫向恒流二極管中相鄰的N型重摻雜區6和金屬陰極8共用，相鄰的P型摻雜區10和金屬陽極9共用。
[0008]進一步地，所述SOI橫向恒流二極管所采用的半導體材料為硅材料或碳化硅材料等。
[0009]進一步地，所述SOI橫向恒流二極管中各摻雜類型可相應變為相反的摻雜，即P型摻雜變為N型摻雜的同時，N型摻雜變為P型摻雜。
[0010]進一步地，所述SOI橫向恒流二極管P型重摻雜區5與埋氧層3之間形成導電溝道，溝道的寬度可以通過調整P型重摻雜區5的結深進行調節，以便得到不同大小的恒流值和不同的夾斷電壓；所述P型重摻雜區5的長度可以調節，以使器件的恒流能力和夾斷電壓得到優化；所述P型重摻雜區5與P型摻雜區10之間的距離可以調節，以便得到不同耐壓值。
[0011]上述SOI橫向恒流二極管的制造方法，包括以下步驟:
[0012]步驟1:采用SOI硅片作為襯底，進行P型重摻雜區5注入前預氧，進行窗口刻蝕；
[0013]步驟2:進行P型重摻雜區5注入，然后進行P型重摻雜區5推結，刻蝕多余的氧化層；
[0014]步驟3:進行N型重摻雜區6注入前預氧，進行窗口刻蝕；
[0015]步驟4:進行N型重摻雜區6注入，刻蝕多余的氧化層；
[0016]步驟5:進行P型摻雜區10注入前預氧，進行窗口刻蝕；
[0017]步驟6:進行P型摻雜區10注入，刻蝕多余的氧化層，所述P型重摻雜區5位于N型重摻雜區6和P型摻雜區10之間；
[0018]步驟7:淀積前預氧，淀積氧化物，致密；
[0019]步驟8:光刻歐姆孔；
[0020]步驟9:淀積金屬層，刻蝕，形成金屬陰極8和金屬陽極9。
[0021]對于淺結P型重摻雜區5，上述SOI橫向恒流二極管的制造方法，包括以下步驟:
[0022]步驟1:采用SOI硅片作為襯底，進行P型重摻雜區5和P型摻雜區10注入前預氧，進行窗口刻蝕；
[0023]步驟2:進行P型重摻雜區5和P型摻雜區10注入，刻蝕多余的氧化層；
[0024]步驟3:進行N型重摻雜區6注入前預氧，進行窗口刻蝕；
[0025]步驟4:進行N型重摻雜區6注入，刻蝕多余的氧化層，所述P型重摻雜區5位于N型重摻雜區6和P型摻雜區10之間；
[0026]步驟5:淀積前預氧，淀積氧化物，致密，同時激活雜質原子；
[0027]步驟6:光刻歐姆孔；
[0028]步驟7:淀積金屬層，刻蝕，形成金屬陰極8和金屬陽極9。
[0029]對于淺結P型重摻雜區5并且P型重摻雜區5和P型摻雜區10距離較長的器件，可以省略P型重摻雜區5的推結過程，但是采取較大的注入能量，即便對于同樣的注入能量，注入硼的結深也要比注入磷的結深要深，P型雜質原子的激活可以在步驟5致密的過程中和N型重摻雜區的N型雜質原子一起進行激活，從而減少工序，節省芯片制造時間。
[0030]本發明的有益效果為:
[0031]1、本發明采用SOI (Silicon-On-1nsulator，絕緣襯底上的娃)技術，在襯底上設置埋氧層，可有效防止集成系統中襯底漏電流帶來的不利影響。
[0032]2、本發明SOI橫向恒流二極管采用兩種載流子導電，增大了器件的電流密度，提高了器件的恒流能力；使器件的線性區更加陡峭，夾斷電壓在5V以下。
[0033]3、本發明SOI橫向恒流二極管中的P型重摻雜區5可以不推結，和P型摻雜區10一起形成，簡化了芯片制造的工藝；采用的工藝與B⑶工藝相一致，有利于器件的集成，可用于大規模集成電路中。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發明提供的SOI橫向恒流二極管的結構示意圖；
[0035]圖2為本發明提供的SOI橫向恒流二極管的元胞的結構示意圖；(a)為不含場板的元胞；(b)為含金屬場板的元胞。
[0036]圖3為本發明實施例的元胞的工藝仿真示意圖；
[0037]圖4為本發明實施例提供的SOI橫向恒流二極管的電流電壓特性曲線圖；
[0038]圖5為本發明實施例提供的SOI橫向恒流二極管的制造方法的工藝流程示意圖；
[0039]圖6為本發明實施例提供的SOI橫向恒流二極管制造過程中對應的工藝仿真圖。
【具體實施方式】
[0040]下面結合附圖和實施例，詳述本發明的技術方案。
[0041]如圖1所示，本發明的SOI橫向恒流二極管，包括i個結構相同并叉指連接的元胞KDU (2)、I (3)…I (i)，所述元胞包括襯底2、埋氧層3、絕緣層上N型輕摻雜硅4、P型重摻雜區5、N型重摻雜區6、氧化介質層7、金屬陰極8、金屬陽極9、P型摻雜區10 ;所述埋氧層3位于襯底2之上，所述N型輕摻雜硅4位于埋氧層3之上，所述P型重摻雜區5、N型重摻雜區6、P型摻雜區10并排位于N型輕摻雜硅4之中，所述氧化介質層7、金屬陰極8和金屬陽極9覆蓋所述元胞表面，所述P型重摻雜區5位于N型重摻雜區6和P型摻雜區10之間，所述P型重摻雜區5和N型重摻雜區6與金屬陰極8歐姆接觸，所述P型摻雜區10與金屬陽極9歐姆接觸，所述P型重摻雜區5和N型重摻雜區6之間的N型輕摻雜硅4與金屬陰極8之間通過氧化介質層7隔開。
[0042]進一步地，所述元胞中金屬陰極8和金屬陽極9可沿氧化介質層7上表面延伸形成場板，場板的長度可調節，以使器件達到更好的恒流能力和更高的耐壓值。
[0043]進一步地，所述SOI橫向恒流二極管由多個元胞叉指連接形成，其中，SOI橫向恒流二極管中相鄰的N型重摻雜區6和金屬陰極8共用，相鄰的P型摻雜區10和金屬陽極9共用。
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