陣列基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種陣列基板、顯示裝置和一種陣列基板制作方法。
【背景技術】
[0002]在制備大尺寸倒置型OLED (有機發光二極管器件)顯示面板的穿透式結構和上發光組件結構中，需要光從陰極發出，因此將陰極做薄，就可以不用考慮功函數，但是當陰極很薄的時候，會產生斷路或者金屬容易氧化的問題，使得陰極導電度難以滿足導電需求。另外因為OLED結構為電流驅動，當外部線路過長或者過細時，OLED結構與外部電路將會形成較大的電壓梯度，使用于OLED組件的電壓下降，導致面板發光強度降低，同時因為ITO電阻過大，容易造成外部功率消耗。因此現有技術中通過增加輔助電極的方式來降低電壓梯度，增加發光線路，減少驅動電壓，具體材料可以采用Cr，Al，Cr/Al/Cr, Mo/Al/Mo等。
[0003]但是在制備輔助電極時，需要增加一道濺射金屬的工藝，同時還需要進行刻蝕，增加了 OLED制備的成本。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是，如何簡化倒置式OLED器件中輔助電極的制作，以簡化OLED器件的制作工藝，降低制作成本。
[0005]為此目的，本發明提出了一種陣列基板，包括:薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管的有源層同層設置的輔助電極，以及與所述輔助電極電連接的透明陰極，其中所述有源層為氧化物半導體，所述輔助電極為經等離子體處理過的氧化物半導體。
[0006]還包括:基底，設置于所述基底之上的柵極，設置于所述柵極之上的柵極絕緣層，其中，所述有源層設置在所述柵極絕緣層上。
[0007]優選地，還包括:
[0008]設置在所述輔助電極上的第一刻蝕阻擋層，其中，所述第一刻蝕阻擋層中設置有過孔，
[0009]則所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔與所述輔助電極電連接。
[0010]優選地，還包括:
[0011]設置在所述有源層上的第二刻蝕阻擋層，以及設置在所述第二刻蝕阻擋層上的源極和漏極，其中，所述源極和漏極分別通過所述第二刻蝕阻擋層中的過孔與所述有源層電連接。
[0012]優選地，還包括:
[0013]設置在所述柵極絕緣層上，且覆蓋所述源極、漏極和第一刻蝕阻擋層的鈍化層，其中，所述鈍化層中設置有過孔，
[0014]則所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔和所述鈍化層中的過孔與所述輔助電極電連接。
[0015]優選地，還包括:在所述透明陰極上依次設置的電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和反射陽極。
[0016]本發明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0017]本發明還提出了一種陣列基板制作方法，包括:
[0018]形成氧化物半導體層；
[0019]對氧化物半導體層進行構圖工藝，以形成薄膜晶體管的有源層，并在預設區域形成輔助電極圖形；
[0020]對所述輔助電極圖形進行等離子體處理以形成輔助電極；
[0021]形成與所述輔助電極電連接的透明陰極。
[0022]優選地，在形成氧化物半導體層之前還包括:
[0023]在基底上形成柵極；
[0024]在所述柵極上形成柵極絕緣層；
[0025]所述氧化物半導體層形成在所述柵極絕緣層上。
[0026]優選地，在對氧化物半導體層進行構圖工藝之后還包括:
[0027]在所述輔助電極圖形上形成第一刻蝕阻擋層，則對所述輔助電極圖形進行等離子體處理包括:
[0028]隔著所述第一刻蝕阻擋層對所述輔助電極圖形進行等離子體處理，或在形成所述輔助電極圖形之后和形成所述第一刻蝕阻擋層之前對所述輔助電極圖形進行等離子體處理。
[0029]優選地，還包括:在形成第一刻蝕阻擋層時，在所述有源層上形成第二刻蝕阻擋層，
[0030]則在形成所述透明陰極之前還包括:
[0031]在所述第二刻蝕阻擋層中形成過孔，在所述第二刻蝕阻擋層上形成源極和漏極，將所述源極和漏極分別通過所述第二刻蝕阻擋層中的過孔與所述有源層電連接。
[0032]優選地，還包括:在所述柵極絕緣層上形成鈍化層，使所述鈍化層覆蓋所述源極、漏極和第一刻蝕阻擋層，在所述鈍化層中形成過孔，
[0033]則在形成所述透明陰極時，將所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔和鈍化層中的過孔與所述輔助電極電連接。
[0034]優選地，在形成所述透明陰極之前還包括:對所述輔助電極進行退火處理。
[0035]優選地，還包括:在所述透明陰極上依次形成電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和反射陽極。
[0036]根據上述技術方案，通過將有源層和輔助電極設置于同一層，因此可通過同一道刻蝕工藝形成有源層和輔助電極，無需單獨設置形成輔助電極的工藝，從而減少陣列基板的整體工藝時間，節約了制作成本。
【附圖說明】
[0037]通過參考附圖會更加清楚的理解本發明的特征和優點，附圖是示意性的而不應理解為對本發明進行任何限制，在附圖中:
[0038]圖1示出了根據本發明一個實施例的陣列基板的結構示意圖；
[0039]圖2示出了根據本發明一個實施例的陣列基板制作方法的示意圖；
[0040]圖3示出了根據本發明一個實施例的形成第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層的示意圖；
[0041]圖4示出了根據本發明一個實施例的在第一刻蝕阻擋層和第二刻蝕阻擋層中形成過孔的示意圖；
[0042]圖5示出了根據本發明一個實施例的在第二刻蝕阻擋層上形成源極和漏極的示意圖；
[0043]圖6示出了根據本發明一個實施例的形成鈍化層的示意圖。
[0044]附圖標號說明:
[0045]1-基底；2-柵極；3_柵極絕緣層；4_有源層；5_輔助電極；6_透明陰極；7-發光層；8_空穴傳輸層；9_空穴注入層；10_反射陽極；11_源極；12_漏極；13-第二刻蝕阻擋層；14_鈍化層；15-第一刻蝕阻擋層。
【具體實施方式】
[0046]為了能夠更清楚地理解本發明的上述目的、特征和優點，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0047]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是，本發明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0048]需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區域的尺寸。而且可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“下”時，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間惟一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。
[0049]除非另作定義，本文使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發明專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。在本發明中，術語“多個”指兩個或兩個以上，除非另有明確的限定。
[0050]如圖1所示，根據本發明一個實施例的陣列基板包括:薄膜晶體管(位于圖1中左下)，與薄膜晶體管的有源層4同層設置的輔助電極5，以及與輔助電極5電連接的透明陰極6，其中有源層4為氧化物半導體，輔助電極5為經等離子體處理過的氧化物半導體。
[0051]優選地，還包括:基底1，設置于基底I之上的柵極2，設置于柵極2之上的柵極絕緣層3，其中，有源層4設置在柵極絕緣層3上。
[0052]具體地，通過一道刻蝕工藝對位于柵極絕緣層之上的一層氧化物半導體層進行刻蝕，形成有源層和輔助電極圖案，然后對輔助電極圖案進行等離子體處理，提高氧化物半導體層載流子的濃度，使得輔助電極圖案具有導電特性，從而形成輔助電極。
[0053]在上述實施例的陣列基板中，由于有源層和輔助電極同層設置，即可通過一道刻蝕工藝對氧化物半導體層進行加工，從而同時形成有源層和輔助電極，無需單獨設置工藝來形成輔助電極，簡化了陣列基板的制作工藝，節約了制作成本。
[0054]一般地，為了防止輔助電極在形成源漏極時受到損傷，陣列基板還可以包括:設置在輔助電極5上的第一刻蝕阻擋層15，其中，第一刻蝕阻擋層15中設置有過孔，則透明陰極6通過第一刻蝕阻擋層15中的過孔與輔助電極5電連接。由于在輔助電極上設置有刻蝕阻擋層，那么在制作陣列基板時需要隔著輔助電極圖形上的刻蝕阻擋層對輔助電極的圖形進行等離子體處理，使其具有導電性，以作為輔助電極。
[0055]一般地，陣列基板還可以包括設置在有源層上的第二刻蝕阻擋層13，以及設置在第二刻蝕阻擋層13上的源極11和漏極12，其中，源極11和漏極12分別通過第二刻蝕阻擋層13中的過孔與有源層4電連接。第二刻蝕阻擋層可以防止輔助電極在形成源漏極時受到損傷。
[0056]一般地，陣列基板還可以包括:設置在柵極絕緣層3上，且覆蓋第一刻蝕阻擋層15的鈍化層14，其中，鈍化層14中設置有過孔，則透明陰極6通過第一刻蝕阻擋層15中的過孔和鈍化層14中的過孔與輔助電極5電連接。
[0057]一般地，陣列基板還可以包括:設置在柵極絕緣層3上，且覆蓋源極11、漏極12和第一刻蝕阻擋層15的鈍化層14，其中，鈍化層14中設置有過孔。
[0058]一般地，在制作完成輔助電極5后，還可以在柵極絕緣層3上形成鈍化層14，鈍化層14