半導體封裝件及其制法與基板暨封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體封裝件，尤指一種提升可靠度的半導體封裝件及其制法與基板暨封裝結構。
【背景技術】
[0002]隨著近年來可攜式電子產品的蓬勃發展，各類相關產品逐漸朝向高密度、高性能以及輕、薄、短、小的趨勢而走，各式樣的堆棧封裝(package on package, PoP)也因而配合推陳出新，以期能符合輕薄短小與高密度的要求。
[0003]現有堆棧式半導體封裝件系包括兩相疊的第一封裝結構與第二封裝結構、及粘固該第一封裝結構與第二封裝結構的封裝膠體。該第一封裝結構包含第一基板、及電性結合該第一基板的第一半導體組件。該第二封裝結構包含第二基板、及電性結合該第二基板的第二半導體組件。該第二基板藉由焊錫球疊設且電性連接于該第一基板上，且該封裝膠體形成于該第一基板與第二基板之間以包覆該些焊錫球。
[0004]于制作現有堆棧式半導體封裝件的過程中，如圖1A至圖1B所示，通過將一第二基板12以多個焊錫球13覆晶結合至第一封裝結構Ia上，該第一封裝結構Ia包括設有多個半導體組件10的第一基板11，且該些焊錫球13上具有助焊劑(flux)。接著，以去離子水(DI water)進行清理作業以清除助焊劑。之后，電性結合多個第二半導體組件(圖略)于該第二基板12上。
[0005]然而，該第二基板12覆蓋于該第一基板11上，因而于進行清理作業時，會由上方及側方朝第二基板12與該些焊錫球13清洗助焊劑(如圖1B及圖1B’所示的箭頭方向X，Z)，所以于進行清理作業后，助焊劑f會因去離子水的帶動而殘留于該第一封裝結構Ia上方，如圖1B所示,致使當該第一封裝結構Ia進行熱傳導時,會發生爆板(popcorn)情況，因而造成堆棧式半導體封裝件發生分層(delaminat1n),即該第二基板12與該第一封裝結構Ia分離。
[0006]此外，由于第一基板11、第二基板12與焊錫球13之間的熱膨脹系數(Coefficientof thermal expans1n, CTE)不同,所以于覆晶結合及形成封裝膠體時,該第一基板11與第二基板12易產生翹曲現象，使該些焊錫球13與第一基板11或第二基板12間的界面不斷脹縮拉扯而造成斷裂，因而導致短路。
[0007]因此，如何解決現有技術的種種缺失，實為目前各界亟欲解決的技術問題。
【發明內容】
[0008]為解決上述現有技術的種種問題，本發明的主要目的為揭露一種半導體封裝件及其制法與基板暨封裝結構，能減少該些支撐組件與第一基板或第二基板間的界面脹縮拉扯，以避免該些支撐組件發生斷裂而導致短路的問題。
[0009]本發明的半導體封裝件，包括:第一基板；以及第二基板，藉由多個支撐組件設于該第一基板上，且該第二基板的邊緣具有至少一缺口。
[0010]前述的半導體封裝件中，該缺口為彎折形、弧形、直線形或多邊形。
[0011]本發明還揭露一種半導體封裝件的制法，其包括:提供第一基板；藉由多個支撐組件置放第二基板于該第一基板上，且該第二基板具有至少一貫通的清理孔；以及進行清理作業，藉由該清理孔清理該第二基板與該第一基板之間的空間。
[0012]前述的制法中，該清理作業還清理該支撐組件。
[0013]前述的制法中，該清理作業藉由液體進行清理，例如，水。
[0014]前述的制法中，該第二基板包含多個基板單元，且該清理孔位于該基板單元的邊緣。例如，該第二基板還包括間隔部，其位于各該基板單元之間，以連結各該基板單元，致使該清理孔位于該間隔部，其中，該間隔部為切割路徑。
[0015]前述的制法中，該清理孔為十字形、圓形、條狀或多邊形。
[0016]前述的半導體封裝件及其制法中，該第一基板上具有至少一半導體組件。
[0017]前述的半導體封裝件及其制法中，該支撐組件為導電組件，例如含有焊錫材料及助焊劑。
[0018]前述的半導體封裝件及其制法中，還包括設置至少一電子組件于該第二基板上。
[0019]前述的半導體封裝件及其制法中，還包括形成封裝膠體于該第二基板與該第一基板之間，例如，該封裝膠體填充滿該第二基板與該第一基板之間的空間。
[0020]本發明還提供一種基板，如前述的第二基板，其包括:多個基板單元；以及間隔部，其位于各該基板單元之間，以連結各該基板單元，且該間隔部上具有至少一貫通的清理孔。
[0021]前述的基板中，該清理孔為十字形、圓形、條狀或多邊形。
[0022]前述的基板中，該間隔部為切割路徑。
[0023]另外，本發明又提供一種封裝結構，其包括:基板，其包含多個基板單元及位于各該基板單元之間以連結各該基板單元的間隔部，該間隔部上具有至少一貫通的清理孔；以及電子組件，其設于該基板上。
[0024]前述的封裝結構中，該電子組件為半導體組件。
[0025]前述的封裝結構中，該清理孔為十字形、圓形、條狀或多邊形。
[0026]前述的封裝結構中，該間隔部為切割路徑。
[0027]由上可知，本發明的半導體封裝件及其制法與其基板暨封裝結構，藉由該些清理孔的設計，使液體能經由該些清理孔流至該第一與第二基板之間的空間而增加清洗水流的面積，以于進行該清理作業時，液體能由內向外清洗如助焊劑的殘洛，所以相較于現有技術，本發明于清理作業結束后，于該第一封裝結構上方不會有殘留物。因此，當該第一基板或半導體組件進行熱傳導時，不會發生爆板情況，因而該半導體封裝件不會發生分層的問題。
[0028]此外，藉由該些清理孔可分散熱應力，以于覆晶結合及形成封裝膠體時，能避免該第一基板與第二基板發生翹曲現象，所以能減少該些支撐組件與第一基板或第二基板間的界面脹縮拉扯，以避免該些支撐組件發生斷裂而導致短路的問題。
【附圖說明】
[0029]圖1A至圖1B為顯示現有半導體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖1B’為圖1B的上視示意圖；以及
[0030]圖2A至圖2E為本發明的半導體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖2B為圖2C的上視示意圖，圖2B’為圖2B的另一實施例，圖2C’為圖2B的局部放大圖，圖2E’及圖2E”為圖2E的不同實施例的局部上視示意圖。
[0031]符號說明
[0032]la, 2a 第一封裝結構
[0033]10, 20 半導體組件
[0034]11, 21 第一基板
[0035]12，22 第二基板
[0036]13焊錫球
[0037]14第二半導體組件
[0038]2半導體封裝件
[0039]2b第二封裝結構
[0040]22’基板區塊
[0041]22a基板單元
[0042]22b, 22b’ 間隔部
[0043]220,220’ 清理孔
[0044]23支撐組件
[0045]24電子組件
[0046]25封裝膠體
[0047]26,26’ 基板
[0048]260,260，缺口
[0049]29承載件
[0050]f助焊劑
[0051]S空間。
【具體實施方式】
[0052]以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點及功效。
[0053]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如「上」、及「一」等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發明可實施的范疇。
[0054]圖2A至圖2E為本發明的半導體封裝件2的制法的示意圖。
[0055]如圖2A所示，提供一第一封裝結構2a，該第一封裝結構2a包含第一基板21及覆晶結合于該第一基板21上的至少一半導體組件20，且該第一基板21設于承載件29上。接著，藉由多個支撐組件23置放至少一第二基板22于該第一基板21上。
[0056]于本實施例中，該第一基板21為未切單的整版面結構，其上具有多個個半導體組件20，且該第二基板22也為未切單的整版面結構，如圖2B所示，其包含四個基板區塊22’。
[0057]此外，該基板區塊22’包含對應該半導體組件20的多個基板單元22a、及位于各該基板單元22a之間以連結各該基板單元22a的間隔部22b，使每一基板區塊22’覆蓋十六個半導體組件20，如圖2B所示。
[0058]又，該支撐組件23為導電組件，具體地，該導電組件含有焊錫材料與助焊劑。
[0059]另外，該第一基板21及第二基板22均為線路板，且有關線路板的種類繁多，于圖中為簡略繪示，并不限于此。
[0060]如圖2B及圖2B’所示，形成多個貫通的清理孔220，220’于該第二基板22上。
[0061]于本實施例中，該清理孔220，220’對應該半導體組件20的位置而位于該基板單元22a的邊緣,例如,位于該間隔部22b上。
[0062]此外，該清理孔220，220’為十字形(如圖2B所示)、圓形(如圖2B’所示)、條狀或多邊形。
[0063]如圖2C及圖2C’所示，進行清理作業，其由上方及側方朝該第二基板22與該些支撐組件23清洗助焊劑，且利用該些清理孔220清理該第二基板22與該第一基板21之間的空間S。
[0064]于本實施例中，其藉由液體(如圖2C’所示的箭頭方向L)進行該清理作業，該液體為水，例如去離子水。
[0065]本發明的制法藉由該些清理孔220，220’的設計，使液體能經由該些清理孔22