電子元器件的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子元器件的制造方法，尤其涉及由從母塊切出的多個芯片中的各個芯片形成的電子元器件的制造方法。
【背景技術】
[0002]作為公開將母塊切斷來形成多個芯片的切斷方法的現有文獻，存在日本專利特開2005-88161號公報。在日本專利特開2005-88161號公報記載的切斷方法中，相對配置CCD (charge-coupled device:電荷稱合元件)攝像頭，以能拍攝母塊的相對的兩個端面。通過CCD攝像頭對形成于母塊的端面的切斷痕跡進行拍攝，從而校正因母塊的變形所引起的內部導體的位置偏移來進行切斷。
[0004]在將成為芯片的部分配置成矩陣狀的母塊的內部，在設計上，將內部導體等間隔地配置成矩陣狀。實際上，因制作母塊時的陶瓷生片的層疊工序及內部導體的印刷工序中的各位置精度的影響，會產生母塊的變形引起的內部導體的位置偏移。而且，在將母塊進行壓接的沖壓工序中的陶瓷生片的流動成為產生母塊的變形引起的內部導體的位置偏移的較大的因素。
[0005]對于母塊，在基于對母塊的兩個端面進行拍攝的結果來切斷母塊的情況下，根據母塊的變形狀態的不同，有時在從遠離上述兩個端面的母塊的中央部切出的芯片中無法降低內部導體的位置偏移。
【發明內容】
[0006]本發明的主要目的在于提供一種能在從母塊切出的多個芯片的各芯片中降低內部導體的位置偏移的電子元器件的制造方法。
[0007]基于本發明的電子元器件的制造方法是用于制造電子元器件的方法，該電子元器件包括:基體，該基體埋設有內部導體；以及外部電極，該外部電極設置在基體的表面上，并與內部導體進行電連接。電子元器件的制造方法包括:準備由成為基體的多個陶瓷生片進行層疊而構成的第I塊的工序；在第I方向上切斷第I塊來分割成多個第2塊、以使內部導體中與外部電極相連接的部分露出至切斷面的工序；以及在與第I方向交叉的第2方向上對多個第2塊分別進行切斷、以使露出至兩個切斷面的內部導體在第I方向上位于成為各基體的部分的中央、并使內部導體不露出至切斷面的工序。
[0008]在本發明的一個實施方式中，切斷第I塊而分割成多個第2塊的工序包含以在第I方向上使成為基體的部分在第2塊上排成一列的方式將第I塊進行切斷的工序，在第2方向上將多個第2塊分別進行切斷的工序包含使成為基體的部分單片化的工序。
[0009]在本發明的一個實施方式中，切斷第I塊而分割成多個第2塊的工序包含以在第I方向上使成為基體的部分在第2塊上排成多列的方式將第I塊進行切斷的工序，在第2方向上將多個第2塊分別進行切斷的工序包含在第I及第2方向上將多個第2塊分別進行切斷、從而使成為基體的部分單片化的工序。
[0010]根據本發明，能在從母塊切出的多個芯片的各個芯片中降低內部導體的位置偏移。
本發明的這些及其它目的、特征、形態及優點將會通過下面結合附圖能很好理解的有關本發明的的詳細的說明而得以清晰。
【附圖說明】
[0011]圖1是表示本發明的一個實施方式所涉及的電子元器件的外觀的立體圖。
圖2是從I1-1I線箭頭標記方向觀察圖1的電子元器件所得到的剖視圖。
圖3是從II1-1II線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。
圖4是從IV-1V線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。
圖5是從V-V線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。
圖6是表示形成有成為內部電極及切斷標記的導電圖案的陶瓷生片的外觀的俯視圖。 圖7是表示將形成有第I及第2導電圖案的陶瓷生片進行層疊的狀態的俯視圖。
圖8是表示發生了第I導電圖案的位置偏移的母塊的俯視圖。
圖9是表示在比較例中將粘貼在粘接片材上的母塊在第I方向上進行了切斷的狀態的俯視圖。
圖10是表示在比較例中將在第I方向上進行了切斷的母塊在第2方向上進行了切斷的狀態的俯視圖。
圖11是表示在比較例中利用圖像處理裝置進行了檢測的沿著第I切斷線的各切斷面中的第I導電圖案與第3切斷線的位置關系的側視圖。
圖12是表示在比較例中位于母塊的Y方向的中央的芯片中的第I導電圖案與第3切斷線的位置關系的側視圖。
圖13是表示在本發明的一個實施方式中對將母塊在第I方向上進行切斷而分割成的中間塊在第2方向上進行了切斷的狀態的俯視圖。
圖14是表示在本發明的一個實施方式中利用圖像處理裝置進行了檢測的沿著第I切斷線的各切斷面中的導電圖案與第3切斷線的位置關系的側視圖。
圖15是表示將在第2方向上進行了切斷的中間塊在第I方向上進行切斷而單片化的狀態的俯視圖。
圖16是表示在本發明的一個實施方式的變形例中對將母塊在第I方向上進行切斷而分割成的中間塊在第2方向上進行了切斷的狀態的俯視圖。
圖17是表示在本發明的一個實施方式的變形例中利用圖像處理裝置進行了檢測的第I切斷線的各切斷面中的導電圖案與第3切斷線的位置關系的側視圖。
圖18是表示在第I切斷線的切斷面中沿層疊方向進行排列的導電圖案彼此產生位置偏移的狀態的剖視圖。
圖19是表示本發明的一個實施方式及變形例所涉及的電子元器件的制造方法的結構的流程圖。
圖20是對塊的變形量進行比較的曲線圖。
圖21是表示位于母塊的Y方向的中央的芯片的第I間隙及第2間隙的測定值的曲線圖。 圖22是表示位于將母塊一分為二所制成的中間塊的Y方向的中央的芯片的第I間隙及第2間隙的測定值的曲線圖。
圖23是表示以在第I方向上使芯片排成一列的方式分割母塊所制成的中間塊的芯片的第I間隙及第2間隙的測定值的曲線圖。
【具體實施方式】
[0012]以下，參照附圖對本發明的一個實施方式所涉及的電子元器件的制造方法進行說明。在以下的實施方式的說明中，對圖中的相同或相當的部分標注相同的標號，并不再重復其說明。此外，作為電子元器件對層疊陶瓷電容器進行說明，但電子元器件并不限于電容器，也可以是壓電元器件、熱敏電阻或電感器等。
[0013]首先，對本發明的一個實施方式所涉及的電子元器件即層疊陶瓷電容器的結構的一個示例進行說明。圖1是表示本發明的一個實施方式所涉及的電子元器件的外觀的立體圖。圖2是從I1-1I線箭頭標記方向觀察圖1的電子元器件所得到的剖視圖。圖3是從II1-1II線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。圖4是從IV-1V線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。圖5是從V-V線箭頭標記方向觀察圖2的電子元器件所得到的剖視圖。在圖1中，將下述的基體的長邊方向用L來表示，將基體的寬度方向用W來表示，將基體的厚度方向用T來表示。
[0014]如圖1?圖5所示，本發明的一個實施方式所涉及的電子元器件100包括:基體110，該基體110埋設有內部導體；以及外部電極，該外部電極設置在基體110的表面上，并與內部導體進行電連接。
[0015]基體110具有近似長方體狀的外形。在基體110中，作為電介質層的陶瓷層150與作為內部導體的平板狀的內部電極140交替地進行層疊。在本實施方式所涉及的電子元器件100中，在基體110的兩個端部設有外部電極。
[0016]外部電極包含設置在基體110的長邊方向一側的端部上的第I外部電極120、以及設置在基體110的長邊方向另一側的端部上的第2外部電極130。
[0017]在本實施方式所涉及的基體110中，陶瓷層150與內部電極140的層疊方向與基體I1的長邊方向L及基體110的寬度方向W正交。即，陶瓷層150與內部電極140的層疊方向與基體110的厚度方向T平行。
[0018]基體110具有與厚度方向T正交的一對主面、與長邊方向L正交的一對端面、以及與寬度方向W正交的一對側面。如上所述，基體110具有近似長方體狀的外形，但角部也可以具有圓弧。此外，在一對主面、一對端面及一對側面中的任一個面上也可以形成有凹凸。
[0019]下面詳細說明各結構。
作為構成陶瓷層150的材料，能使用以BaTi03、CaTi03、SrT13或CaZrO3等為主要成分的電介質陶瓷。此外，也可以使用在上述材料的任一個主要成分中作為副成分而添加了 Mn化合物、Co化合物、Si化合物或稀土類化合物等的材料。
[0020]另外，在電子元器件為壓電元器件的情況下，能用壓