本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域,尤其是一種改進型QFN封裝體。
背景技術:
隨著信息技術的快速發(fā)展,電子器件的工作頻段越來越高,封裝引起的寄生效應顯著增強,人們對芯片封裝的研究也更加深入。
QFN封裝憑借其尺寸小、重量輕、散熱好以及電性能優(yōu)越等優(yōu)勢成為半導體封裝中重要的部分。QFN是一種無引腳封裝,呈方形或矩形,封裝底部中央位置有一個大面積裸露的焊盤,便于焊接到PCB板上,具有導熱作用,稱為導熱焊盤。圍繞大焊盤的封裝外圍有實現(xiàn)電氣連接的導電焊盤。由于QFN封裝不像傳統(tǒng)的SOIC封裝那樣具有鷗翼狀引線,內(nèi)部引腳與焊盤之間的導電路徑短,自感系數(shù)以及封裝體內(nèi)布線電阻很低,所以它能提供卓越的電性能。外露的引線框架焊盤為其提供直接散熱的通道,用于釋放封裝內(nèi)的熱量,因此它具有良好的散熱性能。
但現(xiàn)有的QFN引線框架結構存在一個缺點,高頻寄生效應明顯,信號易于積存在四個邊角產(chǎn)生諧振,整體性能變差。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術問題在于,提供一種改進型QFN封裝體,能夠改善其高頻特性,擴展QFN封裝工作帶寬。
為解決上述技術問題,本發(fā)明提供一種改進型QFN封裝體,包括塑封體、導熱焊盤、導電焊盤、引線框架;塑封體的底部設置有導熱焊盤,導熱焊盤的外圍設置有導電焊盤,將QFN封裝內(nèi)部四角接地。
優(yōu)選的,QFN四角添加金屬塊將四角接地。
優(yōu)選的,金屬塊的大小盡可能的覆蓋四角Y字形結構,不超過引線框架的四周外邊界。
優(yōu)選的,金屬塊的厚度為100um。
優(yōu)選的,QFN四角添加交叉鍵合線將四角接地。
優(yōu)選的,交叉鍵合線數(shù)量大于3根,盡可能的覆蓋四角Y字形結構。
本發(fā)明的有益效果為:能夠不改變封裝外觀,不影響封裝的使用方法,不影響封裝的散熱能力,有效改善封裝高頻處電性能,擴展QFN工作帶寬。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有的QFN封裝框架結構的示意圖。
圖2是本發(fā)明的四角添加規(guī)則金屬塊的QFN封裝框架結構的示意圖。
圖3是本發(fā)明的四角添加不規(guī)則金屬塊的QFN封裝框架結構的示意圖。
圖4是本發(fā)明的四角添加交叉鍵合線的QFN封裝框架結構的示意圖。
圖5是本發(fā)明制作的引線框架示意圖;
圖6是本發(fā)明在引線框架四角粘貼金屬塊的示意圖;
圖7是本發(fā)明在引線框架四角添加交叉鍵合線的示意圖;
圖8是本發(fā)明四角添加金屬塊時粘貼芯片、進行銀膠烘烤和電漿清洗、并鍵合的示意圖;
圖9是本發(fā)明四角添加交叉鍵合線時粘貼芯片、進行銀膠烘烤和電漿清洗、并鍵合的示意圖;
圖10是本發(fā)明在引線框架的表面進行注模,塑封芯片、金線和金屬塊的示意圖;
圖11是本發(fā)明的切割成獨立器件的產(chǎn)品底部示意圖。
具體實施方式
如圖1、2、3和4所示,一種改進型QFN封裝體,包括塑封體、導熱焊盤、導電焊盤、引線框架;塑封體的底部設置有導熱焊盤,導熱焊盤的外圍設置有導電焊盤,將QFN封裝內(nèi)部四角接地。QFN四角添加金屬塊或交叉鍵合線將四角接地,改變封裝內(nèi)部結構,消除高頻信號諧振,從而改善QFN封裝整體電性能。
QFN引線框架上方四角添加金屬塊將四角接地。QFN引線框架四角Y字形結構,是諧振能量堆積最大的地方。金屬塊形狀可為規(guī)則矩形或圓形,也可為不規(guī)則圖形。在不影響芯片鍵合的基礎上,添加的金屬塊尺寸應盡可能的覆蓋四角Y字形結構。為確保后期注模塑封不受影響,應確保金屬塊覆蓋范圍不超過引線框架的四周外邊界。位于QFN中間大焊盤上方的金屬塊面積不易過大,避免影響封裝可容納的最大芯片尺寸。金屬塊厚度隨著具體封裝尺寸有所變化,通過仿真對比,本例所選的QFN5×5封裝結構,金屬塊厚度最佳約為100um。
QFN引線框架上方四角添加交叉鍵合線將四角接地。在確保不影響芯片鍵合的基礎上,鍵合線數(shù)量應大于3根,使得封裝內(nèi)部四角充分接地。鍵合線應盡可能多的覆蓋四角Y字形結構。位于QFN中間大焊盤上方的鍵合線不應過多,避免影響封裝可容納的最大芯片尺寸。
如圖5~11所示,一種改進型QFN封裝體的制造方法,包括如下步驟:
a、沖壓金屬薄板,制作引線框架;
b、在引線框架四角粘貼金屬塊或添加交叉鍵合線;
c、粘貼芯片,進行銀膠烘烤和電漿清洗,并鍵合;
d、在引線框架的表面進行注模,塑封芯片、金線和金屬塊;
e、塑封后烘烤,剝離固定引線框架的金屬薄膜;
f、將封裝好的產(chǎn)品,進行激光打?。?/p>
g、切割分成獨立器件,測試并包裝成品。
盡管本發(fā)明就優(yōu)選實施方式進行了示意和描述,但本領域的技術人員應當理解,只要不超出本發(fā)明的權利要求所限定的范圍,可以對本發(fā)明進行各種變化和修改。