感光元件及攝像裝置的制作方法

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種感光元件及攝像裝置。

背景技術：

隨著AR(Augmented Reality，增強現實技術)、VR(Virtual Reality，虛擬現實)、手勢識別等技術的興起，對3D TOF(Time of Flight，飛行時間)攝像裝置中測距傳感器的光信號接收陣列規模要求越來越高。其中，測距傳感器通過計算光線發射和反射相位差，來換算與被拍攝景物之間的距離，以產生深度信息，形成3D成像。

但是，如果僅僅提高光信號接收陣列規模，比如，光信號接收陣列規模為QVGA(Quarter Video Graphics Array，四分之一的視頻圖形陣列)的3D TOF攝像裝置，幀率會被降低，而太低的幀率不能滿足對攝像對象動作的捕捉需求。

技術實現要素：

有鑒于此，本申請實施例提供一種感光元件及攝像裝置，用以提高感光效率，進而提高攝像幀率。

本申請部分實施例提供了一種感光元件，包括：包括襯底以及位于所述襯底上的柵極，所述柵極包括：感光門、與所述感光門相鄰的傳輸門、與所述傳輸門相鄰的收集門以及與所述收集門相鄰的信號讀出點；其中，

所述感光門包括至少兩個依次嵌套的感光區，嵌套在內層的感光區上所施加的電壓大于嵌套在外層的感光區上所施加的電壓；

所述傳輸門上所施加的電壓大于所述感光門中任意感光區上所施加的電壓，所述收集門上所施加的電壓大于所述傳輸門上所施加的電壓。

在本申請的一個實施例中，所述感光門可包括第一感光區與第二感光區；所述第二感光區可包括脈狀部與柄部；所述脈狀部嵌套于所述第一感光區內，所述脈狀部向所述第一感光區外延伸形成所述柄部；所述傳輸門可包括第一傳輸門與第二傳輸門；所述第一傳輸門與所述第二傳輸門分別位于所述柄部兩側；

所述收集門可包括第一收集門與第二收集門；所述第一收集門與所述第一傳輸門相鄰，所述第二收集門與所述第二傳輸門相鄰；所述信號讀出點可包括第一信號讀出點與第二信號讀出點；所述第一信號讀出點與所述第一收集門相鄰；所述第二信號讀出點與所述第二收集門相鄰。

在本申請的一個實施例中，所述脈狀部的脈序可為羽狀脈。

在本申請的一個實施例中，所述脈狀部可包括主脈、側脈與細脈；所述主脈沿所述第一感光區的縱向延伸，所述側脈為所述主脈沿所述第一感光區的橫向延伸而成，所述細脈為所述側脈沿所述第一感光區的縱向延伸而成。

在本申請的一個實施例中，所述第一感光區、所述第二感光區、所述傳輸門、所述收集門可為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低；或者，所述第一感光區、所述第二感光區、所述傳輸門、所述收集門可為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高；或者，所述第一感光區、所述第二感光區、所述傳輸門、所述收集門可依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。

在本申請的一個實施例中，所述感光門可包括第三感光區以及嵌套于所述第三感光區內的第四感光區；其中，所述第四感光區呈脈狀；所述第四感光區可包括主脈與側脈；所述主脈沿所述第三感光區的縱向延伸，所述側脈為所述主脈沿所述第三感光區的橫向延伸而成；所述主脈貫穿所述第三感光區，且所述主脈的第一端的邊界與所述第三感光區的第一邊界齊平，所述主脈的第二端的邊界與所述第三感光區的第二邊界齊平，其中所述第一邊界與所述第二邊界位置相對；所述傳輸門可包括第三傳輸門與第四傳輸門；所述第三傳輸門與所述第一端相鄰，所述第四傳輸門與所述第二端相鄰；所述收集門包括第三收集門與第四收集門；所述第三收集門與所述第三傳輸門相鄰，所述第四收集門與所述第四傳輸門相鄰；所述信號讀出點可包括第三信號讀出點與第四信號讀出點；所述第三信號讀出點與所述第三收集門相鄰；所述第四信號讀出點與所述第四收集門相鄰。

在本申請的一個實施例中，所述第三感光區、所述第四感光區、所述傳輸門、所述收集門可為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低；或者，所述第三感光區、所述第四感光區、所述傳輸門、所述收集門可為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高；或者，所述第三感光區、所述第四感光區、所述傳輸門、所述收集門可依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。

在本申請的一個實施例中，所述感光門可包括第五感光區、嵌套于所述第五感光區內的第六感光區以及第七感光區；所述第七感光區可包括引導部與端部；所述引導部嵌套于所述第六感光區內，所述引導部向所述第六感光區外延伸形成所述端部；所述傳輸門可包括第五傳輸門與第六傳輸門；所述第五傳輸門與所述第六傳輸門分別位于所述端部兩側；所述收集門可包括第五收集門與第六收集門；所述第五收集門與所述第五傳輸門相鄰，所述第六收集門與所述第六傳輸門相鄰；所述信號讀出點可包括第五信號讀出點與第六信號讀出點；所述第五信號讀出點與所述第五收集門相鄰；所述第六信號讀出點與所述第六收集門相鄰。

在本申請的一個實施例中，所述第六感光區可呈脈狀。

在本申請的一個實施例中，所述第六感光區的脈序可為羽狀脈。

在本申請的一個實施例中，所述第六感光區可包括主脈、側脈與細脈；所述主脈沿所述第五感光區的縱向延伸，所述側脈為所述主脈沿所述第五感光區的橫向延伸而成，所述細脈為所述側脈沿所述第五感光區的縱向延伸而成。

在本申請的一個實施例中，所述第五感光區、所述第六感光區、所述第七感光區、所述傳輸門、所述收集門可為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低；或者，所述第五感光區、所述第六感光區、所述第七感光區、所述傳輸門、所述收集門可為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高；或者，所述第五感光區、所述第六感光區、所述第七感光區、所述傳輸門、所述收集門可依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。

本申請部分實施例還提供了一種攝像裝置，包括上述的感光元件。

本申請實施例所達到的主要技術效果是：在柵極上設置至少兩個依次嵌套的感光區，嵌套在內層的感光區上所施加的電壓大于嵌套在外層的感光區上所施加的電壓，這樣，當有光照射到感光區時，感光區下方的襯底中的光生信號電荷可快速地從外層感光區下方的襯底向內層感光區下方的襯底移動，又由于傳輸門上所施加的電壓大于感光門中任意感光區上所施加的電壓，收集門上所施加的電壓大于傳輸門上所施加的電壓，所以，最內層感光區下方襯底中聚集的信號電荷會快速地通過傳輸門下方的襯底移動至收集門下方的襯底，以供在信號讀出點被讀出。本申請的技術方案可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率。

附圖說明

圖1是本申請實施例一示出的一種感光元件的結構示意圖；

圖2是本申請實施例一示例性示出的感光元件的電勢分布示意圖；

圖3是本申請實施例二示出的感光元件的結構示意圖；

圖4是本申請實施例三示出的感光元件的結構示意圖。

具體實施例

這里將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施例并不代表與本申請相一致的所有實施例。相反，它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本申請的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

在本申請使用的術語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本申請。在本申請和所附權利要求書中所使用的單數形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數形式，除非上下文清楚地表示其他含義。還應當理解，本文中使用的術語“和/或”是指并包含一個或多個相關聯的列出項目的任何或所有可能組合。

應當理解，盡管在本申請可能采用術語第一、第二、第三等來描述各種信息，但這些信息不應限于這些術語。這些術語僅用來將同一類型的信息彼此區分開。例如，在不脫離本申請范圍的情況下，第一信息也可以被稱為第二信息，類似地，第二信息也可以被稱為第一信息。取決于語境，如在此所使用的詞語“如果”可以被解釋成為“在……時”或“當……時”或“響應于確定”。

下面結合附圖，對本申請的一些實施例作詳細說明。在不沖突的情況下，下述的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

實施例一

本申請的實施例一提供的感光元件，包括：襯底以及位于襯底上的柵極，該柵極包括：感光門、與感光門相鄰的傳輸門、與傳輸門相鄰的收集門以及與收集門相鄰的信號讀出點；其中，感光門包括至少兩個依次嵌套的感光區，嵌套在內層的感光區上所施加的電壓大于嵌套在外層的感光區上所施加的電壓；傳輸門上所施加的電壓大于感光門中任意感光區上所施加的電壓，收集門上所施加的電壓大于傳輸門上所施加的電壓。

當有光照射到感光區時，能量大于襯底的半導體材料帶隙的光子被半導體材料吸收，在柵極下的半導體體內產生電子空穴對，多子被柵極電壓排斥，通過襯底流走，少子被收集在勢阱中形成信號電荷。由于本申請中的信號電荷是因半導體材料吸收光子而產生的，故而也可稱之為光生信號電荷。

在柵極上設置至少兩個依次嵌套的感光區，嵌套在內層的感光區上所施加的電壓大于嵌套在外層的感光區上所施加的電壓，這樣，當有光照射到感光區時，感光區下方的襯底中的光生信號電荷可快速地從外層感光區下方的襯底向內層感光區下方的襯底移動，又由于傳輸門上所施加的電壓大于感光門中任意感光區上所施加的電壓，收集門上所施加的電壓大于傳輸門上所施加的電壓，所以，最內層感光區下方襯底中聚集的信號電荷會快速地通過傳輸門下方的襯底移動至收集門下方的襯底，以供在信號讀出點被讀出。這樣，可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率，同時，感光效率得以提高還可以使得感光元件可以適用于低壓場景。

請參閱圖1，在本實施例中，感光門可包括第一感光區GM1與第二感光區GM2；第二感光區包括脈狀部GM21與柄部GM22；脈狀部GM21嵌套于第一感光區GM1內，脈狀部GM21向第一感光區GM1外延伸形成柄部GM22；傳輸門包括第一傳輸門G1與第二傳輸門G2；第一傳輸門G1與第二傳輸門G2分別位于柄部GM22兩側；收集門包括第一收集門IG1與第二收集門IG2；第一收集門IG1與第一傳輸門G1相鄰，第二收集門IG2與第二傳輸門G2相鄰；信號讀出點包括第一信號讀出點Read1與第二信號讀出點Read2；第一信號讀出點Read1與第一收集門IG1相鄰；第二信號讀出點Read2與第二收集門IG2相鄰。

在本實施例中，脈狀部GM21的脈序為羽狀脈。具體地，脈狀部GM21包括主脈GM211、側脈GM212與細脈GM213；主脈GM211沿第一感光區GM1的縱向延伸，側脈GM212為主脈沿第一感光區GM1的橫向延伸而成，細脈GM213為側脈沿第一感光區GM1的縱向延伸而成。這樣，脈狀部GM21與第一感光區GM1形成了廣泛且深入的接觸。

當有光照射到感光區時，由于脈狀部GM21與第一感光區GM1接觸廣泛且深入，第一感光區GM1下方的襯底中的光生信號電荷可通過脈狀部GM21更快地移動并聚集在第二感光區GM2下方的襯底中，同時，第二感光區GM2下方的襯底中的光生信號電荷也快速通過柄部GM22移動至傳輸門下方的襯底中，傳輸門下方的襯底中的光生信號電荷也快速移動至收集門下方的襯底中。第二感光區GM2的脈狀部GM21可以使第一感光區GM1下方襯底中的光生信號電荷更快地向第二感光區GM2下方襯底中聚集，有利于進一步提高感光效率。

可選地，第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門可為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低。比如，在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2可為P++型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度大于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為P型gate(門)。在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2也可為P+型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度大于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為P型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為P-型gate(門)。這樣，在第一感光區GM1與第二感光區GM2的交界處、第二感光區GM2與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢,具體請參閱圖2，即使得信號電荷21傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門可為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高。比如，在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2可為N-型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度小于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為N型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N+型gate(門)。比如，在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2可為N型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度小于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為N+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N++型gate(門)。這樣，在第一感光區GM1與第二感光區GM2的交界處、第二感光區GM2與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，具體請參閱圖2，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。比如，在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2可為P++型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度大于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N型gate(門)。比如，在實際應用時，第一感光區GM1、第二感光區GM2還可為P+型gate(門)，第一感光區GM1的摻雜濃度大于第二感光區GM2的摻雜濃度，傳輸門可為N+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N++型gate(門)。這樣，在第一感光區GM1與第二感光區GM2的交界處、第二感光區GM2與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第一感光區GM1、第二感光區GM2、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

本實施例所達到的主要技術效果是：可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率，同時，還可以使得感光元件可以適用于低壓場景。

實施例二

本申請的實施例二提供了一種感光元件。實施例二與實施例一大致相同，主要區別是：感光門的嵌套形式不同，傳輸門、收集門以及信號讀出點的位置分布不同，豐富了本申請的實施例。

請參閱圖3，感光門包括第三感光區GM3以及嵌套于第三感光區GM3內的第四感光區GM4；其中，第四感光區GM4呈脈狀；第四感光區GM4包括主脈GM41與側脈GM42；主脈GM41沿第三感光區GM3的縱向延伸，側脈GM42為主脈GM41沿第三感光區GM3的橫向延伸而成；主脈GM41貫穿第三感光區GM3，且主脈GM41的第一端的邊界與第三感光區GM3的第一邊界齊平，主脈GM41的第二端的邊界與第三感光區GM3的第二邊界齊平，其中第一邊界與第二邊界位置相對；傳輸門包括第三傳輸門G3與第四傳輸門G4；第三傳輸門G3與第一端相鄰，第四傳輸門G4與第二端相鄰；收集門包括第三收集門IG3與第四收集門IG4；第三收集門IG3與第三傳輸門G3相鄰，第四收集門IG4與第四傳輸門G4相鄰；信號讀出點包括第三信號讀出點Read3與第四信號讀出點Read4；第三信號讀出點Read3與第三收集門IG3相鄰；第四信號讀出點Read4與第四收集門IG4相鄰。

可選地，第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低。比如，在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4可為P++型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度大于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為P型gate(門)。在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4也可為P+型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度大于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為P型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為P-型gate(門)。這樣，在第三感光區GM3與第四感光區GM4的交界處、第四感光區GM4與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高。比如，在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4可為N-型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度小于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為N型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N+型gate(門)。比如，在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4可為N型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度小于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為N+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N++型gate(門)。這樣，在第三感光區GM3與第四感光區GM4的交界處、第四感光區GM4與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。比如，在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4可為P++型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度大于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N型gate(門)。比如，在實際應用時，第三感光區GM3、第四感光區GM4還可為P+型gate(門)，第三感光區GM3的摻雜濃度大于第四感光區GM4的摻雜濃度，傳輸門可為N+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N++型gate(門)。這樣，在第三感光區GM3與第四感光區GM4的交界處、第四感光區GM4與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第三感光區GM3、第四感光區GM4、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

本實施例所達到的主要技術效果是：可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率，同時，還可以使得感光元件可以適用于低壓場景。

實施例三

本申請的實施例三提供了一種感光元件。實施例三與實施例一大致相同，主要區別是：在實施例一中，感光門包括兩個感光區；而在實施例三中，感光門包括三個感光區，豐富了本申請的實施例。

請參閱圖4，感光門包括第五感光區G5、嵌套于第五感光區G5內的第六感光區G6以及第七感光區GM7；第七感光區GM7包括引導部GM71與端部GM72；引導部GM71嵌套于第六感光區G6內，引導部GM71向第六感光區G6外延伸形成端部GM72。傳輸門包括第五傳輸門G5與第六傳輸門G6；第五傳輸門G5與第六傳輸門G6分別位于端部GM72兩側；收集門包括第五收集門IG5與第六收集門IG6；第五收集門IG5與第五傳輸門G5相鄰，第六收集門IG6與第六傳輸門G6相鄰；信號讀出點包括第五信號讀出點Read5與第六信號讀出點Read6；第五信號讀出點Read5與第五收集門IG5相鄰；第六信號讀出點Read6與第六收集門IG6相鄰。

在本實施例中，第六感光區G6呈脈狀。具體地，第六感光區G6的脈序為羽狀脈。第六感光區G6包括主脈GM211、側脈GM212與細脈GM213；主脈GM211沿第五感光區G5的縱向延伸，側脈GM212為主脈GM211沿第五感光區G5的橫向延伸而成，細脈GM213為側脈GM212沿第五感光區G5的縱向延伸而成。

可選地，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門為P型摻雜，且摻雜濃度依次降低。比如，在實際應用時，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7可為P++型gate(門)，第五感光區G5的摻雜濃度大于第六感光區G6的摻雜濃度，第六感光區G6的摻雜濃度大于第七感光區GM7的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為P型gate(門)。這樣，在第五感光區G5與第六感光區G6的交界處、第六感光區G6與第七感光區GM7的交界處、第七感光區GM7與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門為N型摻雜，且摻雜濃度依次升高。比如，在實際應用時，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7可為N-型gate(門)，第五感光區G5的摻雜濃度小于第六感光區G6的摻雜濃度，第六感光區G6的摻雜濃度小于第七感光區GM7的摻雜濃度，傳輸門可為N型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N+型gate(門)。這樣，在第五感光區G5與第六感光區G6的交界處、第六感光區G6與第七感光區GM7的交界處、第七感光區GM7與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

可選地，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門依次呈P型摻雜濃度降低、N型摻雜濃度升高的趨勢。比如，在實際應用時，第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7可為P++型gate(門)，第五感光區G5的摻雜濃度大于第六感光區G6的摻雜濃度，第六感光區G6的摻雜濃度大于第七感光區GM7的摻雜濃度，傳輸門可為P+型gate(門)、收集門的摻雜濃度可為N型gate(門)。這樣，在第五感光區G5與第六感光區G6的交界處、第六感光區G6與第七感光區GM7的交界處、第七感光區GM7與傳輸門的交界處、傳輸門與收集門之間的交界處可以產生能帶扭曲，從而使第五感光區G5、第六感光區G6、第七感光區GM7、傳輸門、收集門處的電勢呈平滑漸變的趨勢，即使得信號電荷傳輸路徑上的電勢變化呈平滑漸變的趨勢，進而，可以減小噪聲。

本實施例所達到的主要技術效果是：可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率，同時，還可以使得感光元件可以適用于低壓場景。

實施例四

與前述感光元件的實施例相對應，本申請還提供了攝像裝置的實施例。

本申請的實施例四提供了一種包括實施例一、二或三的感光元件。

本實施例所達到的主要技術效果是：可以在有光照射到感光區時，使感光區下方襯底中的光生信號電荷可快速地移動至收集門下方的襯底，可提高感光效率，進而可以提高攝像幀率，同時，感光效率得以提高還可以使得感光元件可以適用于低壓場景。

在本申請中，以上實施例在不沖突的情況下，可以互為補充。以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，其中作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現本申請方案的目的。本領域普通技術人員在不付出創造性勞動的情況下，即可以理解并實施。

以上僅為本申請的較佳實施例而已，并不用以限制本申請，凡在本申請的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請保護的范圍之內。