一體式干蝕刻清潔設備的制作方法

本新型為涉及一種清潔設備，尤指一種一體式干蝕刻清潔設備。

背景技術：

干蝕刻通常是一種電漿蝕刻，電漿蝕刻中的蝕刻作用，可能是電漿中離子撞擊芯片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基與芯片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者之間的復合作用。

而隨著半導體封裝產業的發展，會將多種材料整合在一起使用，進而得到多種材料的特性，目前常見的材料如環氧封裝材料(Epoxy Molding Compounds，簡稱EMC)，其組成物包含有環氧樹脂、充填物、硬化劑、促進劑、觸媒及其它添加劑等，將此材料導入了干蝕刻工藝中，會因蝕刻材料的選擇比差異大，而于蝕刻后留下大量的充填物。

于目前的工藝中，完成蝕刻工藝后，即會進行包裝而運送至下一個下游廠商進行后續工藝，但因蝕刻而產生的充填物會對其他相關工藝造成污染，而導致產品良率下降，因此，如何防止充填物污染其他工藝實為一大課題。

技術實現要素：

本新型的主要目的，在于解決充填物污染其他工藝的問題。

為達上述目的，本新型提供一種一體式干蝕刻清潔設備，是用以對一基材進行蝕刻，并清潔去除該基材進行蝕刻后產生的一充填物，該一體式干蝕刻清潔設備包含有一傳輸模塊、一蝕刻模塊以及一濕式清潔模塊，該傳輸模塊加載、載出該基材，該蝕刻模塊連接于該傳輸模塊并對該基材進行蝕刻，該濕式清潔模塊連接該蝕刻模塊與該傳輸模塊并清潔去除該充填物。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，其特征在于更包含有一與該蝕刻模塊連接的壓力控制單元。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，更包含有一與該蝕刻模塊連接的氣體供應單元。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，更包含有一設備前端模塊，該設備前端模塊連接于該傳輸模塊、該蝕刻模塊以及該濕式清潔模塊，該蝕刻模塊、該濕式清潔模塊設置于相對該傳輸模塊的一側。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，更包含有一設置于該設備前端模塊以輸送該基材的機械手臂。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，該傳輸模塊與該設備前端模塊之間設有一第一閘門，該設備前端模塊與該蝕刻模塊之間設有一第二閘門，該蝕刻模塊與該濕式清潔模塊之間設有一第三閘門，該濕式清潔模塊與該設備前端模塊之間設有一第四閘門。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，更包含有一連接于該濕式清潔模塊的清洗液供應單元。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，該蝕刻模塊與該濕式清潔模塊之間設有一第三閘門。

所述的一體式干蝕刻清潔設備，該傳輸模塊包含有一加載該基材的加載單元以及一載出該基材的載出單元。

綜上所述，本新型于該蝕刻模塊對該基材蝕刻后，直接送入該濕式清潔模塊中清洗，而可以直接于同一設備中完成蝕刻與清潔工藝，以防止產生的該充填物對其他相關工藝造成污染。

附圖說明

圖1，為本新型一較佳實施例的結構示意圖。

圖2A～2D，為本新型一較佳實施例的運作流程示意圖。

具體實施方式

涉及本新型的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：

請參閱圖1及圖2A至圖2D所示，本新型為一種一體式干蝕刻清潔設備，是用以對一基材1進行蝕刻，并清潔去除該基材1進行蝕刻后產生的一充填物，其中，該基材1的材質可以為環氧封裝材料、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile Butadiene Styrene，簡稱ABF)及聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)等，該充填物于本實施例中，是為進行該環氧封裝材料等材質進行蝕刻后而產生的粉塵，而該一體式干蝕刻清潔設備包含有一傳輸模塊10、一蝕刻模塊20以及一濕式清潔模塊30，該傳輸模塊10用以加載、載出該基材1，該蝕刻模塊20連接于該傳輸模塊10并對該基材1進行蝕刻，該濕式清潔模塊30連接該蝕刻模塊20與該傳輸模塊10并清潔去除該充填物。如此一來，可以直接在同一個工藝設備中，清潔去除因蝕刻工藝所產生的該充填物，而可以防止該充填物對其他工藝造成污染。

于本實施例中，更包含有一設備前端模塊50(the equipment front-end module,EFFM)，該設備前端模塊50連接于該傳輸模塊10、該蝕刻模塊20以及該濕式清潔模塊30，且該蝕刻模塊20、該濕式清潔模塊30則設置于相對該傳輸模塊10的一側，即為分設于該設備前端模塊50的相對兩側，而該設備前端模塊50內還設置有一機械手臂51，以輸送該基材1進出于各模塊。

此實施例中，該傳輸模塊10包含有一加載該基材1的加載單元11以及一載出該基材1的載出單元12，是為分別用以加載與載出該基材1，但亦可以利用同一單元即可進行該基材1的加載與載出。

此外，本實施例還設置有閘門，該傳輸模塊10與該設備前端模塊50之間設有一第一閘門91，該設備前端模塊50與該蝕刻模塊20之間設有一第二閘門92，該蝕刻模塊20與該濕式清潔模塊30之間設有一第三閘門93，該濕式清潔模塊30與該設備前端模塊50之間設有一第四閘門94，由于該傳輸模塊10包含有該加載單元11與該載出單元12，因此，本實施例中，該加載單元11與該設備前端模塊50之間設有該第一閘門91，而該載出單元12與該設備前端模塊50之間設有一第五閘門95，如此一來，可以確保各個模塊獨立，以防止交互污染的問題。

而為了維持該蝕刻模塊20的壓力，還具有一與該蝕刻模塊20連接的壓力控制單元60，并通過一氣體供應單元70提供蝕刻工藝所需的氣體進入該蝕刻模塊20之中，以符合工藝所需，而該濕式清潔模塊30室通過一清洗液供應單元80提供一清洗液，而對該基材1進行清潔，以去除該充填物，其中，該清洗液可以為一般純水，或者在特殊需求下使用超純水(去離子水)。

續搭配參閱圖2A至圖2D所示，為其運作流程示意圖，如圖2A所示，該傳輸模塊10的該加載單元11加載該基材1，而后如圖2B所示，通過該機械手臂51將該基材1輸送至該蝕刻模塊20，該壓力控制單元60與該氣體供應單元70會控制該蝕刻模塊20至適當的壓力并提供工藝所需的氣體，以進行蝕刻，當蝕刻完成，如圖2C所示，再經由該第三閘門93將該基材1輸送至該濕式清潔模塊30之中，該清洗液供應單元80提供該清洗液，以清洗掉該充填物，最后，如圖2D所示，利用該機械手臂51將該基材1輸送至該載出單元12，而可將蝕刻完成并進行清潔后的該基材1輸出，以防止該充填物對其他工藝造成污染。而該第一閘門91、該第二閘門92、該第三閘門93、該第四閘門94與該第五閘門95只有在輸送該基材1進出時才會開啟，其余時間則為關閉的狀態。

綜上所述，本新型具有以下特點：

一、于該蝕刻模塊完成蝕刻后，直接將該基材輸送至該濕式清潔模塊清洗以去除該充填物，可以直接在同一個工藝設備中，清潔去除因蝕刻工藝所產生的該充填物，而可以防止該充填物對其他工藝造成污染。

二、藉由該壓力控制單元與該氣體供應單元的設置，可以控制該蝕刻模塊至適當的壓力并提供工藝所需的氣體，以符合工藝所需。