一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構的制作方法

本實用新型涉及LED封裝技術領域，具體涉及一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構。

背景技術：

隨著室內顯示應用技術不斷提高，傳統顯示產品技術逐漸登頂，室內小間距產品成為未來主要的技術拓展空間；為取代LCD、DLP室內高清顯示產品，用于小間距顯示屏的LED封裝結構的尺寸要做的更小來縮小顯示屏的像素點距離，實現高清顯示功能。傳統小間距LED封裝結構采用表面雙電極的芯片設計，在LED封裝過程需通過兩條鍵合線分別將兩個電極與BT板焊盤相連接達到導通的作用。焊鍵合線對芯片的電極和BT板焊盤的距離有要求，距離太小，會造成無法焊接或者焊接可靠性低的問題，因而制約了小間距LED的封裝尺寸的縮小。

技術實現要素：

為解決上述技術問題，我們提出了一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構，該LED封裝結構的長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm，實現超高密顯示的LED全彩應用。

為達到上述目的，本實用新型的技術方案如下：

一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構，包括基板、藍光LED芯片、綠光LED芯片、紅光LED芯片、鍵合線、A獨立負極焊盤、B獨立負極焊盤、公共正極焊盤和三角形結構綠漆；所述藍光LED芯片和綠光LED芯片為倒裝結構芯片，所述紅光LED芯片為垂直結構芯片，所述基板的正面和背面分別設置有正面電路線路和背面電路線路，并在所述基板上設置有用于連接所述正面電路線路和所述背面電路線路的導電孔，所述導電孔從所述正面電路線路延伸到所述背面電路線路，并通過導電金屬物質或非導電物質將其塞滿密封填平，所述基板的正面電路線路上設置有一個公共正極焊盤并于放置所述藍光LED芯片和綠光LED芯片的區域分別設置有所述A獨立負極焊盤和B獨立負極焊盤，所述藍光LED芯片通過導電底膠分別與所述A獨立負極焊盤和公共正極焊盤連接，所述綠光LED芯片通過導電底膠分別與所述B獨立負極焊盤和公共正極焊盤連接，所述紅光LED芯片通過導電底膠連接固定在所述公共正極焊盤上，所述紅光LED芯片表面電極通過一根所述鍵合線連接到所述正面電路線路上，所述基板背面中部設置有三角形結構綠漆。

優選的，所述基板的厚度為0.1mm-0.5mm，顏色為黑色或者白色，材質為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板和陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

優選的，所述基板正面電路線路銅層上是鎳，鎳厚度在100-300u"之間；鎳層上可鍍銀或金，也可鍍銀后再鍍一層金，銀厚在20-80u"之間，金厚在2-10u"之間。

優選的，所述導電孔的直徑為0.05-0.5mm，所述導電孔內金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成，或用塞非金屬物質的方式來完成。

通過上述技術方案，本實用新型通過采用導電底膠把所述倒裝結構藍光LED芯片分別與A獨立負極焊盤和公共正極焊盤連接，把所述倒裝結構綠光LED芯片分別與所述B獨立負極焊盤和公共正極焊盤連接，以及把所述垂直結構紅光LED芯片連接固定在所述公共正極焊盤上，所述藍光LED芯片和綠光LED芯片可直接與所述基板上的電路進行導通，所述紅光LED芯片只需要通過一根所述鍵合線即可與所述基板上的電路進行導通。該封裝結構大大縮小了LED封裝結構的尺寸，其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大縮小顯示屏的像素點距離，實現超高密顯示的LED全彩應用，應用效果極佳。該封裝結構使室內顯示應用技術的水平又提高了一個臺階。為室內小間距顯示應用技術做出了巨大的貢獻。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例所公開的一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構正面結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例所公開的一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構背面結構示意圖。

圖中數字和字母所表示的相應部件名稱：

1、基板 2、藍光LED芯片 3、綠光LED芯片 4、紅光LED芯片 5、鍵合線 6、A獨立負極焊盤 7、B獨立負極焊盤 8、公共正極焊盤 9、三角形結構綠漆 10、導電孔 11、正面電路線路

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

下面結合實施例和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

實施例.

如圖1和圖2所示，一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構，包括基板1、藍光LED芯片2、綠光LED芯片3、紅光LED芯片4、鍵合線5、A獨立負極焊盤6、B獨立負極焊盤7、公共正極焊盤8和三角形結構綠漆9；所述藍光LED芯片2和綠光LED芯片3為倒裝結構芯片，所述紅光LED芯片4為垂直結構芯片，所述基板1的正面和背面分別設置有正面電路線路11和背面電路線路，并在所述基板1上設置有用于連接所述正面電路線路11和所述背面電路線路的導電孔10，所述導電孔10從所述正面電路線路11延伸到所述背面電路線路，并通過導電金屬物質或非導電物質將其塞滿密封填平，所述基板1的正面電路線路11上設置有一個公共正極焊盤8并于放置所述藍光LED芯片2和綠光LED芯片3的區域分別設置有所述A獨立負極焊盤6和B獨立負極焊盤7，所述藍光LED芯片2通過導電底膠分別與所述A獨立負極焊盤6和公共正極焊盤8連接，所述綠光LED芯片3通過導電底膠分別與所述B獨立負極焊盤7和公共正極焊盤8連接，所述紅光LED芯片4通過導電底膠連接固定在所述公共正極焊盤8上，所述紅光LED芯片4表面電極通過一根所述鍵合線5連接到所述正面電路線路11上，所述基板1背面中部設置有三角形結構綠漆9。

所述基板1的厚度為0.1mm-0.5mm，顏色為黑色或者白色，材質為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板和陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

所述基板1正面電路線路銅層上是鎳，鎳厚度在100-300u"之間；鎳層上可鍍銀或金，也可鍍銀后再鍍一層金，銀厚在20-80u"之間，金厚在2-10u"之間。

所述導電孔10的直徑為0.05-0.5mm，所述導電孔10內金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成，或用塞非金屬物質的方式來完成。

通過上述技術方案，本實用新型通過采用導電底膠把所述倒裝結構藍光LED芯片2分別與A獨立負極焊盤6和公共正極焊盤8連接，把所述倒裝結構綠光LED芯片3分別與所述B獨立負極焊盤7和公共正極焊盤8連接，以及把所述垂直結構紅光LED芯片4連接固定在所述公共正極焊盤8上，所述藍光LED芯片2和綠光LED芯片3可直接與所述基板1上的電路進行導通，所述紅光LED芯片4只需要通過一根所述鍵合線5即可與所述基板1上的電路進行導通。該封裝結構大大縮小了LED封裝結構的尺寸，其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大縮小顯示屏的像素點距離，實現超高密顯示的LED全彩應用，應用效果極佳。該封裝結構使室內顯示應用技術的水平又提高了一個臺階。為室內小間距顯示應用技術做出了巨大的貢獻。

以上所述的僅是本實用新型的一種實現超高密顯示的倒裝結構LED芯片封裝結構優選實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型創造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。