像素陣列及其制造方法與流程

本發明是有關于一種像素陣列，且特別是有關于一種能夠提高解析度的像素陣列及其制造方法，具體的講是一種像素陣列及其制造方法。

背景技術：

傳統上，有機發光二極管的面板制作是利用精細金屬遮罩(finemetalmask；fmm)隔開不同子像素，并透過蒸鍍達成紅光、綠光及藍光的排列方式。然而，精細金屬遮罩(fmm)的尺寸具有一定限制，以目前制作工藝來說，其開口大小最多只能縮小至約30微米。基于遮罩的制作工藝限制，要增加面板的像素密度及解析度的難度也隨的增加。就現有技術而言，一般是透過不同的像素排列方式來達到更高的像素密度及解析度。然而，透過改變像素排列的方式來提高像素密度的程度有限，且每一子像素仍然是維持相同大小。基于上述，如何在符合現有精細金屬遮罩的限制下制作出更高像素密度及解析度的像素陣列為目前積極研究的重要課題之一。

技術實現要素：

本發明提供一種像素陣列及其制造方法，可用以提高面板的像素密度及解析度。

本發明的像素陣列包括多個像素單元。各像素單元至少包括第一顏色子像素、第二顏色子像素以及第n顏色子像素，其中n為整數且n≧3。第一顏色子像素包括第一堆迭發光層、第二顏色子像素包括第二堆迭發光層，且第n顏色子像素包括第n堆迭發光層。第一堆迭發光層、第二堆迭發光層以及第n堆迭發光層各自包括主發光層以及附屬發光層。主發光層與附屬發光層為不同顏色的發光層，其中第一顏色子像素的附屬發光層堆迭在主發光層上方，第二顏色子像素的主發光層堆迭在附屬發光層上方，且第n顏色子像素的主發光層堆迭在附屬發光層上方。第一顏色子像素的主發光層與第二顏色子像素的附屬發光層為同一材料層，且第n顏色子像素的主發光層與第一顏色子像素的附屬發光層為同一材料層。

本發明的像素陣列的制造方法如下。提供基板，所述基板包括預計形成第一顏色子像素的第一區、預計形成第二顏色子像素的第二區以及預計形成第三顏色子像素的第三區。提供第一遮罩結構，所述第一遮罩結構具有第一開口圖案以及第一遮蔽圖案。將第一遮罩結構的第一遮蔽圖案對應第三區設置，且將第一開口圖案對應第一區以及第二區設置。進行第一顏色發光材料蒸鍍，以于第一開口圖案所對應的第一區以及第二區上分別形成第一顏色發光層。提供第二遮罩結構，所述第二遮罩結構具有第二開口圖案以及第二遮蔽圖案。將第二遮罩結構的第二遮蔽圖案對應第一區設置，且將第二開口圖案對應第二區以及第三區設置。進行第二顏色發光材料蒸鍍，以于第二開口圖案所對應的第二區以及第三區上分別形成第二顏色發光層，其中第二顏色發光層于第二區中堆迭于第一顏色發光層上方以構成第二顏色子像素的第二堆迭發光層。提供第三遮罩結構，所述第三遮罩結構具有第三開口圖案以及第三遮蔽圖案。將第三遮罩結構的第三遮蔽圖案對應第二區設置，且將第三開口圖案對應第一區以及第三區設置。進行第三顏色發光材料蒸鍍，以于第三開口圖案所對應的第一區以及第三區上分別形成第三顏色發光層，其中第三顏色發光層于第一區中堆迭于第一顏色發光層上方以構成第一顏色子像素的第一堆迭發光層，且第三顏色發光層于第三區中堆迭于第二顏色發光層上方以構成第三顏色子像素的第三堆迭發光層。

本發明另提供一種像素陣列包括多個像素單元。各像素單元包括n個不同顏色子像素相鄰排列，分別為第一、第二至第n顏色子像素，其中n為整數且n≧3。第一顏色發光層設置于第一顏色子像素和第二顏色子像素中。第二顏色發光層設置于第二顏色子像素和第三顏色子像素中，且于第二顏色子像素處，第二顏色發光層設置在第一顏色發光層上。第n顏色發光層設置于第n顏色子像素和第一顏色子像素中，且于第n顏色子像素處，第n顏色發光層設置在第n-1顏色發光層上，且于該第一顏色子像素處，第n顏色發光層設置在第一顏色發光層上。

基于上述，本發明像素陣列的制造方法中，遮罩結構的開口圖案至少是對應兩種顏色子像素的區域來進行蒸鍍。因此，藉由此方法所制造出的像素陣列的子像素各自包括具有主發光層以及附屬發光層的堆迭發光層。進而，每一像素單元的尺寸能夠縮小，以制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中像素陣列的剖面示意圖。

圖2a至圖2d為本發明一實施例中進行第一顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。

圖3a至圖3d為本發明一實施例中進行第二顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。

圖4a至圖4d為本發明一實施例中進行第三顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。

圖5為本發明另一實施例中像素陣列的剖面示意圖。

圖6為本發明一實施例中像素陣列的發光機制示意圖。

圖7a為本發明一實施例中紅色子像素的發光機制示意圖。

圖7b為本發明一實施例中紅色子像素的光譜圖。

圖8a為本發明一實施例中綠色子像素的發光機制示意圖。

圖8b為本發明一實施例中綠色子像素的光譜圖。

圖9a為本發明一實施例中藍色子像素的發光機制示意圖。

圖9b為本發明一實施例中藍色子像素的光譜圖。

符號說明：

10、10’：像素陣列

100、100’：像素單元

100a：第一顏色子像素

100b：第二顏色子像素

100c：第三顏色子像素

100d：第四顏色子像素

102：基板

104：第一堆迭發光層

104a、106a、108a、110a：主發光層

104b、106b、108b、110b：附屬發光層

105r：紅色發光層

105g：綠色發光層

105b：藍色發光層

105y：黃色發光層

106：第二堆迭發光層

108：第三堆迭發光層

110：第四堆迭發光層

202：第一遮罩結構

202a：第一遮蔽圖案

202b：第一開口圖案

204：第二遮罩結構

204a：第二遮蔽圖案

204b：第二開口圖案

206：第三遮罩結構

206a：第三遮蔽圖案

206b：第三開口圖案

300a、300b、300c：蒸鍍源

402：第一電極層

404：第二電極層

406：電洞注入層

408：電洞傳輸層

410：電子傳輸層

412：電子注入層

500：結合區

l1：紅光

l2：綠光

l3：藍光

l4：黃光

r1：第一區

r2：第二區

r3：第三區

t1、t2、t3：厚度

w1、w2、w3：寬度尺寸

具體實施方式

圖1為本發明一實施例中像素陣列的剖面示意圖。圖1的像素陣列10包括多個像素單元100。多個像素單元100例如是形成在基板102之上。基板102的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板102上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。另外，基板102上設置有多個像素電極101以及將每個像素電極101隔離開來的坡提103。像素電極101例如是可以連接至對應的開關元件(未繪示)。

在圖1的實施例中，每一像素單元100至少包括第一顏色子像素100a、第二顏色子像素100b以及第三顏色子像素100c。特別是，第一顏色子像素100a包括第一堆迭發光層104、第二顏色子像素100b包括第二堆迭發光層106，且第三顏色子像素100c包括第三堆迭發光層108。在本實施例中，第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106以及第三堆迭發光層108各自包括主發光層(104a、106a、108a)以及附屬發光層(104b、106b、108b)，且主發光層(104a、106a、108a)與附屬發光層(104b、106b、108b)為不同顏色的發光層。此外，第一顏色子像素100a的附屬發光層104b堆迭在主發光層104a上方，第二顏色子像素100b的主發光層106a堆迭在附屬發光層106b上方，且第三顏色子像素100c的主發光層108a堆迭在附屬發光層108b上方。再者，第一顏色子像素100a的主發光層104a與第二顏色子像素100b的附屬發光層106b為同一材料層(例如，同為紅色發光材料)，且第二顏色子像素100b的主發光層106a與第三顏色子像素100c的附屬發光層108b為同一材料層(例如，同為綠色發光材料)，且第三顏色子像素100c的主發光層108a與第一顏色子像素100a的附屬發光層104b為同一材料層(例如，同為藍色發光材料)。

參考圖1的實施例，第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106以及第三堆迭發光層108中的主發光層(104a、106a、108a)會單獨發光，而附屬發光層不發光(104b、106b、108b)。詳細來說，在本實施例中，第一顏色子像素100a為紅色子像素，且第一顏色子像素100a的主發光層104a為紅色發光層105r而附屬發光層104b為藍色發光層105b(或另一顏色發光層)，其中，附屬發光層104b不發光，因此會使第一顏色子像素100a發出紅光l1。第二顏色子像素100b為綠色子像素，且第二顏色子像素100b的主發光層106a為綠色發光層105g而附屬發光層106b為紅色發光層105r(或另一顏色發光層)，其中，附屬發光層106b不發光，因此會使以使第二顏色子像素100b發出綠光l2。第三顏色子像素100c為藍色子像素，且第三顏色子像素100c的主發光層108a為藍色發光層105b而附屬發光層108b為綠色發光層105g(或另一顏色發光層)，其中，附屬發光層108b不發光，因此會使第三顏色子像素100c發出藍光l3。

在圖1的實施例中，由于第一顏色子像素100a、第二顏色子像素100b以及第三顏色子像素100c是藉由堆迭的發光層所構成，因此，能夠克服制作工藝限制而降低傳統子像素的大小，形成更高像素密度及解析度的像素陣列。另外，在本實施例中，雖然是以主發光層(104a、106a、108a)會單獨發光，而附屬發光層(104b、106b、108b)不發光的方式進行說明，但本發明不限于此。在另一實施例中，第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106以及第三堆迭發光層108中的附屬發光層(104b、106b、108b)會單獨發光，而主發光層(104a、106a、108a)不發光。也就是說，只要其中一個發光層(主或附屬)會發光，另一發光層(主或附屬)不會發光即可。藉由在發光層中摻雜不同的主體材料以及會發出熒光或磷光的客發光體，能夠使堆迭發光層(104、106、108)中的其中一個發光層單獨發光。在后續的段落中，將再對發光層(主/附屬)的發光機制進行說明。

以下將先針對形成如圖1所示的像素陣列10的制造方法進行說明。

圖2a至圖2d為本發明一實施例中進行第一顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。首先，請參考圖2a及圖2b進行說明，圖2a為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖2b為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖2a為圖2b延剖線a-a’的剖面圖。如圖2a及圖2b所示，本發明像素陣列10的制造方法中先提供有基板102。基板102上設置有多個像素電極101以及將每個像素電極101隔離開來的坡提103。像素電極101例如是可以連接至對應的開關元件(未繪示)。基板102包括預計形成第一顏色子像素100a的第一區r1、預計形成第二顏色子像素100b的第二區r2以及預計形成第三顏色子像素100c的第三區r3。如圖2a及圖2b所示，提供第一遮罩結構202，第一遮罩結構202具有第一開口圖案202b以及第一遮蔽圖案202a。在本實施例中，是將第一遮罩結構202的第一遮蔽圖案202a對應第三區r3設置，且將第一開口圖案202b對應第一區r1以及第二區r2設置，并且利用蒸鍍源300a于第一開口圖案202b的位置進行第一顏色的材料的蒸鍍。

接著，請參考圖2c及圖2d進行說明，圖2c為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖2d為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖2c為圖2d延剖線b-b’的剖面圖。如圖2c及圖2d所示，當執行第一顏色的材料的蒸鍍之后，是于第一區r1以及第二區r2上形成第一顏色發光層105r。由于第三區r3被第一遮罩結構202的第一遮蔽圖案202a所遮蔽，因此，第三區r3上不會形成第一顏色發光層105r。此外，在本實施例中，第一顏色發光層105r例如為紅色發光層105r，但本發明不限于此。在其它實施例中，也可以先進行其它顏色的材料的蒸鍍步驟，以形成其它顏色的發光層。

值得注意的是，在本實施例中，第一顏色的材料的蒸鍍范圍基本上是與第一遮罩結構202的第一開口圖案202b的開口范圍相同。然而，由于設置坡提103和像素電極101的關系，因此，第一顏色發光層105r所對應的范圍實際上不會占第一開口圖案202b的全部范圍，而是如圖2d所示僅對應第一開口圖案202b的部分范圍。在后續步驟中，針對其它顏色材料的蒸鍍范圍亦會產生相同現象，因此不予贅述。另外，在本發明實施例像素陣列10的制造方法中，像素是以條狀(stripe)排列的方式進行呈現，然而本發明不限于此。在其它的實施例中，像素也可以采用其它的排列方式，例如馬賽克(mosaic)排列和三角形(delta)排列等。

圖3a至圖3d為本發明一實施例中進行第二顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。在進行如圖2a至圖2d所示的第一顏色發光材料蒸鍍的步驟之后，是接著進行第二顏色發光材料蒸鍍的步驟。首先，請參考圖3a及圖3b進行說明，圖3a為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖3b為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖3a為圖3b延剖線c-c’的剖面圖。如圖3a及圖3b所示，提供第二遮罩結構204，第二遮罩結構204具有第二開口圖案204b以及第二遮蔽圖案204a。在本實施例中，是將第二遮罩結構204的第二遮蔽圖案204a對應第一區r1設置，且將第二開口圖案204b對應第二區r2以及第三區r3設置，并且利用蒸鍍源300b于第二開口圖案204b的位置進行第二顏色的材料的蒸鍍。

接著，請參考圖3c及圖3d進行說明，圖3c為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖3d為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖3c為圖3d延剖線d-d’的剖面圖。如圖3c及圖3d所示，當執行第二顏色的材料的蒸鍍之后，是于第二區r2以及第三區r3上形成第二顏色發光層105g，其中第二顏色發光層105g于第二區r2中堆迭于第一顏色發光層105r上方以構成第二顏色子像素100b的第二堆迭發光層106。由于第一區r1被第二遮罩結構204的第二遮蔽圖案204a所遮蔽，因此，第一區r1上不會形成第二顏色發光層105g。此外，在本實施例中，第二顏色發光層105g例如為綠色發光層105g，但本發明不限于此。在其它實施例中，也可以先進行其它顏色的材料的蒸鍍步驟，以形成其它顏色的發光層。

圖4a至圖4d為本發明一實施例中進行第三顏色發光材料蒸鍍的步驟流程圖。在進行如圖3a至圖3d所示的第二顏色發光材料蒸鍍的步驟之后，是接著進行第三顏色發光材料蒸鍍的步驟。首先，請參考圖4a及圖4b進行說明，圖4a為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖4b為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖4a為圖4b延剖線e-e’的剖面圖。如圖4a及圖4b所示，提供第三遮罩結構206，第三遮罩結構206具有第三開口圖案206b以及第三遮蔽圖案206a。在本實施例中，是將第三遮罩結構206的第三遮蔽圖案206a對應第二區r2設置，且將第三開口圖案206b對應第一區r1以及第三區r3設置，并且利用蒸鍍源300c于第三開口圖案206b的位置進行第三顏色的材料的蒸鍍。

接著，請參考圖4c及圖4d進行說明，圖4c為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構剖面圖。圖4d為本發明實施例像素陣列10的制造方法中的一階段的結構上視示意圖，且圖4c為圖4d延剖線f-f’的剖面圖。如圖4c及圖4d所示，當執行第三顏色的材料的蒸鍍之后，是于第一區r1以及第三區r3上形成第三顏色發光層105b，其中第三顏色發光層105b于第一區r1中堆迭于第一顏色發光層105r上方以構成第一顏色子像素100a的第一堆迭發光層104，且第三顏色發光層105b于第三區r3中堆迭于第二顏色發光層105g上方以構成第三顏色子像素100c的第三堆迭發光層108。此外，在本實施例中，第三顏色發光層105b例如為藍色發光層105b，且為最后形成的發光層，但本發明不限于此。在其它實施例中，也可以先形成藍色發光層105b，最后再進行其它顏色材料的蒸鍍步驟。

藉由上述的第一顏色材料蒸鍍、第二顏色材料蒸鍍以及第三顏色材料蒸鍍步驟，可形成如圖1所示的像素陣列10。在上述的實施例中，第一遮罩結構202的第一開口圖案202b的寬度尺寸w1、第二遮罩結構204的第二開口圖案204b的寬度尺寸w2以及第三遮罩結構206的第三開口圖案206b的寬度尺寸w3各自相同，然本發明不以此為限，于其它實施例中可視像素布局的需要而調整。一般而言，在傳統的蒸鍍方法中，遮罩的每一開口僅會對應一個子像素。然而在本實施例中，在進行蒸鍍步驟時，上述每一開口圖案(202b、204b、206b)則是至少對應兩種顏色子像素的區域進行蒸鍍。也就是說，當現有精細金屬遮罩(fmm)所能做到的尺寸極限為30微米，若采用傳統遮罩設計和制作工藝方法，子像素的尺寸極限亦會約為30微米。相較之下，若采用本發明實施例的方法，藉由形成適當的堆迭的發光層，能夠有效地縮小每一像素單元的尺寸，例如，于此實施例中子像素的尺寸的極限可變為約15微米，制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

另外，在上述的實施例中，皆是以形成三種顏色的發光層為例來進行說明，但本發明不限于此。在其它的實施例中，可藉由圖2a至圖2d、圖3a至圖3d以及圖4a至圖4d的方法來形成四種或多種顏色的發光層所堆迭而成的像素陣列。以下，將以形成四種顏色的發光層為例來進行說明。

圖5為本發明另一實施例中像素陣列的剖面示意圖。圖5的像素陣列10’與圖1的像素陣列10類似，因此，相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖5的實施例與圖1的實施例的差異在于，圖5的像素陣列10’更包括于像素單元100’中形成第四顏色子像素100d。第四顏色子像素100d包括有第四堆迭發光層110，而第四堆迭發光層110包括主發光層110a以及附屬發光層110b，其中第四堆迭發光層110的主發光層110a堆迭在附屬發光層110b上方，且第四顏色子像素100d的主發光層110a與第一顏色子像素100a的附屬發光層104b為同一材料層。在圖5的實施例中，第四堆迭發光層110的主發光層110a例如為黃色發光層105y，而附屬發光層110b為藍色發光層105b(或另一顏色發光層)，其中，附屬發光層110b不發光，因此會使第四顏色子像素100d發出黃光l4。然而，本發明不限于此，依據上述的實施例可以得知的是，本發明的發光層的顏色或是數量沒有特別限制，只要是能夠達成預期的發光效果即可。

舉例來說，在一實施例中，本發明的像素陣列可包括多個像素單元。各像素單元包括n個不同顏色子像素相鄰排列，分別為第一、第二至第n顏色子像素，其中n≧3。也就是說，各像素單元至少包括三個不同顏色子像素相鄰排列，但不同顏色子像素的數量仍可大于3個，且可為4個或5個，以此類推。就圖1的實施例來說，n為3(三)，亦即有三種不同顏色的子像素，而以圖5的實施例來說，n為4(四)，亦即有四種不同顏色的子像素。此外，在圖1及圖5的像素陣列(10或10’)中，第一顏色發光層105r設置于第一顏色子像素100a和第二顏色子像素100b中，第二顏色發光層105g設置于第二顏色子像素100b和第三顏色子像素100c中，且于第二顏色子像素100b處，第二顏色發光層105g設置在第一顏色發光層105r上。另外，第n顏色發光層(未繪示)設置于第n顏色子像素(未繪示)和第一顏色子像素100a中，且于第n顏色子像素處，第n顏色發光層設置在第n-1顏色發光層(未繪示)上，且于第一顏色子像素100a處，第n顏色發光層設置在第一顏色發光層100a上。基于上述，應當可理解的是，在進行多種顏色子像素的蒸鍍步驟時，其各自對應的開口圖案仍是至少對應兩種顏色子像素的區域進行蒸鍍。也就是說，藉由形成堆迭的發光層能夠克服制作工藝限制而有效地縮小每一像素單元的尺寸，并且制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

圖6為本發明一實施例中像素陣列的發光機制示意圖。參考圖6的實施例，像素陣列10更包括第一電極層402、第二電極層404、電洞注入層406、電洞傳輸層408、電子傳輸層410以及電子注入層412。如圖6所示，第一電極層402形成在基板102上，例如包含各子像素的復數個像素電極。電洞注入層406形成在第一電極層402上。電洞傳輸層408形成在電洞注入層406上。第一顏色子像素100a、第二顏色子像素100b、第三顏色子像素100c的第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106以及第三堆迭發光層108分別是形成在電洞傳輸層408上。電子傳輸層410是形成在第一顏色子像素100a、第二顏色子像素100b、第三顏色子像素100c的第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106以及第三堆迭發光層108上。電子注入層412是形成在電子傳輸層410上，且第二電極層404是形成在電子注入層412上。

更詳細來說，在本實施例中，電洞注入層406是位于第一堆迭發光層104、第二堆迭發光層106、第三堆迭發光層108與第一電極層402之間，且電洞注入層406的厚度會隨著對應第一顏色子像素100a、對應第二顏色子像素100b或是對應第三顏色子像素100c而具有不同厚度。特別是，在本實施例中，第一顏色子像素100a為紅色子像素，且對應紅色子像素的電洞注入層406具有第一厚度t1，第二顏色子像素100b為綠色子像素，且對應綠色子像素的電洞注入層406具有第二厚度t2，第三顏色子像素100c為藍色子像素，且對應藍色子像素的電洞注入層406具有第三厚度t3，于此實施例中，第一厚度t1大于第二厚度t2，且第二厚度t2大于第三厚度t3，然本發明不以此為限。在圖6的實施例，藉由在每一發光層中(如紅色發光層105r、綠色發光層105g或藍色發光層105b中)摻雜不同的主體材料以及會發出熒光或磷光的客發光體，能夠使堆迭發光層(104、106、108)中的其中一個發光層單獨發光。然本發明不以此為限，于其他實施例中，亦可以藉由調整不同顏色的第一電極層402、電洞傳輸層408的厚度，來達到此目的。接下來，將對各顏色子像素的發光機制進行說明。

圖7a為本發明一實施例中紅色子像素的發光機制示意圖。圖7b為本發明一實施例中紅色子像素的光譜圖。于圖7a及圖7b中，與上述實施例相同的元件標號將省略說明，或是可參考圖6的內容進行說明。在圖7a及圖7b的實施例，第一顏色子像素100a例如為紅色子像素，且第一堆迭發光層104的主發光層104a是位于附屬發光層104b的下方。主發光層104a例如為紅色發光層105r，其包括特定的主體材料以及會發出紅色熒光或磷光的客發光體。附屬發光層104b例如為藍色發光層105b，其包括特定的主體材料以及會發出藍色熒光或磷光的客發光體。在本實施例中，藍色發光層105b的主體材料的電子傳輸速度較紅色發光層105r的主體材料的電洞傳輸速度快，因此，電子與電洞的再結合區500會坐落在紅色發光層105r，以使紅色發光層105r發出紅光，而藍色發光層105b不發光。

參考圖7b的光譜圖可以得知的是，只會有一個強度較強的波長，其波鋒位于620nm至680nm之間。也就是說，從頻譜僅可觀察到高色純度的紅光，此紅光與運用混色設計的方式所達到的紅光完全不同。另外，在本發明實施例中所運用的紅色發光層105r或是藍色發光層105b的主體材料并沒有特別限制，只要是能夠達成上述電子/電洞的傳輸速度，使結合區500坐落在紅色發光層105r即可。由于本發明像素陣列藉由控制結合區500在單一發光層中，因此，能夠使堆迭的發光層之中，其中一層發光而另一層不發光。進而，達到高色純度的光線，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

圖8a為本發明一實施例中綠色子像素的發光機制示意圖。圖8b為本發明一實施例中綠色子像素的光譜圖。于圖8a及圖8b中，與上述實施例相同的元件標號將省略說明，或是可參考圖6的內容進行說明。在圖8a及圖8b的實施例，第二顏色子像素100b例如為綠色子像素，且第二堆迭發光層106的主發光層106a是位于附屬發光層106b的上方。主發光層106a例如為綠色發光層105g，其包括特定的主體材料以及會發出綠色熒光或磷光的客發光體。附屬發光層106b例如為紅色發光層105r，其包括特定的主體材料以及會發出紅色熒光或磷光的客發光體。在本實施例中，紅色發光層105r的主體材料的電洞傳輸速度較綠色發光層105g的主體材料的電子傳輸速度快，因此，電子與電洞的再結合區500會坐落在綠色發光層105g，以使綠色發光層105g發出綠光，而紅色發光層105r不發光。

參考圖8b的光譜圖可以得知的是，只會有一個強度較強的波長，其波鋒位于500nm至570nm之間。也就是說，從頻譜僅可觀察到高色純度的綠光，此綠光與運用混色設計的方式所達到的綠光完全不同。另外，在本發明實施例中所運用的綠色發光層105g或是紅色發光層105r的主體材料并沒有特別限制，只要是能夠達成上述電子/電洞的傳輸速度，使結合區500坐落在綠色發光層105g即可。由于本發明像素陣列藉由控制結合區500在單一發光層中，因此，能夠使堆迭的發光層之中，其中一層發光而另一層不發光。進而，達到高色純度的光線，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

圖9a為本發明一實施例中藍色子像素的發光機制示意圖。圖9b為本發明一實施例中藍色子像素的光譜圖。于圖9a及圖9b中，與上述實施例相同的元件標號將省略說明，或是可參考圖6的內容進行說明。在圖9a及圖9b的實施例，第三顏色子像素100c例如為藍色子像素，且第三堆迭發光層108的主發光層108a是位于附屬發光層108b的上方。主發光層108a例如藍色發光層105b，其包括特定的主體材料以及會發出藍色熒光或磷光的客發光體。附屬發光層108b例如為綠色發光層105g，其包括特定的主體材料以及會發出綠色熒光或磷光的客發光體。在本實施例中，綠色發光層105g的主體材料的電洞傳輸速度較藍色發光層105b的主體材料的電子傳輸速度快，因此，電子與電洞的再結合區500會坐落在藍色發光層105b，以使藍色發光層105b發出藍光，而綠色發光層105g不發光。

參考圖9b的光譜圖可以得知的是，只會有一個強度較強的波長，其波鋒位于430nm至480nm之間。也就是說，從頻譜僅可觀察到高色純度的藍光，此藍光與運用混色設計的方式所達到的藍光完全不同。另外，在本發明實施例中所運用的綠色發光層105g或是藍色發光層105b的主體材料并沒有特別限制，只要是能夠達成上述電子/電洞的傳輸速度，使結合區500坐落在藍色發光層105b即可。由于本發明像素陣列藉由控制結合區500在單一發光層中，因此，能夠使堆迭的發光層之中，其中一層發光而另一層不發光。進而，達到高色純度的光線，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

綜上所述，本發明像素陣列的制造方法中，遮罩結構的開口圖案至少是對應兩種顏色子像素的區域來進行蒸鍍。因此，藉由此方法所制造出的像素陣列的子像素各自包括具有主發光層以及附屬發光層的堆迭發光層。進而，每一像素單元的尺寸不受精細金屬遮罩的制作工藝能力所限制，因此，像素單元的尺寸能夠縮小，制作成本可以減少，且所制作出的像素陣列的像素密度及解析度能夠倍增。此外，由于堆迭的發光層之中，其中一層發光而另一層不發光。因此，能夠達到高色純度的光線，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素陣列。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護范圍當以本申請的權利要求范圍所界定者為準。