一種探測基板的制作方法、探測基板及X射線探測器與流程

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種探測基板的制作方法、探測基板及x射線探測器。

背景技術(shù)：

數(shù)字化x線攝影(dr，digitalradiography)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療儀器，dr裝置的關(guān)鍵部件是獲取圖像的平板探測器，其性能優(yōu)劣會對dr圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。x射線平板探測器包括探測基板，該探測基板中包括薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)和光電二極管，其中，氧化物薄膜晶體管由于具有低的漏電流，對提高探測器的mtf(modulationtransferfunction，調(diào)制傳遞函數(shù))、分辨率以及靈敏度都具有很大的優(yōu)勢，而pin探測元器件的面積對上述指標(biāo)影響更加明顯。

目前，在制作探測基板的過程中，在薄膜晶體管的源極和漏極沉積后，需要依次形成pin光電二極管的n型層和i型層，其中，為了提高探測效率，pin光電二極管的i型層需要覆蓋到薄膜晶體管的溝道上，而重?fù)诫s的n型層不能覆蓋到薄膜晶體管的溝道上，因此需要通過mask(掩膜板)將薄膜晶體管的溝道上的n型層刻蝕掉。

在發(fā)明人應(yīng)用在先技術(shù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)在先技術(shù)對于形成pin光電二極管的n型層，需要單獨(dú)的一道m(xù)ask工藝，增加了整個工藝的復(fù)雜程度，降低了生產(chǎn)效率，造成生產(chǎn)成本的升高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種探測基板的制作方法、探測基板及x射線探測器，以解決現(xiàn)有的形成pin光電二極管的n型層造成的生產(chǎn)效率低、生產(chǎn)成本高的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種探測基板的制作方法，包括：

在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層；

通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；

依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

優(yōu)選地，所述通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極的步驟，包括：

在濺射設(shè)備中通以氬氣，以金屬靶材作為濺射靶材，沉積金屬層；

通以氬氣和氧氣的混合氣體，以所述金屬靶材作為濺射靶材，在所述金屬層上沉積金屬氧化物層；

通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極。

優(yōu)選地，所述氬氣和氧氣的壓強(qiáng)比為2:1。

優(yōu)選地，在所述依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層的步驟之后，還包括：

在形成pin光電二極管的基板上，依次形成第一電極層、第二鈍化層、以及第二電極層；

在形成第二電極層的基板上，形成閃爍層。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種探測基板，包括：襯底；形成于所述襯底上的柵電極層、柵絕緣層、有源層；形成于所述柵絕緣層及所述有源層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；形成于所述源極，所述漏極和所述有源層上的第一鈍化層，以及依次形成于所述第一鈍化層上的遮光層、pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為至

優(yōu)選地，所述金屬層與金屬氧化物層的材料分別為鋅和氧化鋅。

優(yōu)選地，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種x射線探測器，包括x射線源及上述的探測基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

通過在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層，通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層，依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層作為薄膜晶體管的源極和漏極，金屬氧化物層既可以作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)可代替pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，減少制作過程中的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例一的一種探測基板的制作方法的流程圖；

圖2示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖4示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖5示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之四；

圖6示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之五；

圖7示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之六；

圖8示出了本發(fā)明實(shí)施例二的一種探測基板的制作方法的流程圖；

圖9示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之七；

圖10示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之八；

圖11示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之九；

圖12示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之十。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例一

參照圖1，示出了本發(fā)明實(shí)施例一的一種探測基板的制作方法的流程圖，具體可以包括如下步驟：

步驟101，在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層。

本發(fā)明實(shí)施例中，在襯底上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃ缓笸ㄟ^構(gòu)圖工藝形成柵電極層；接著在襯底和柵電極層上采用pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)或其它沉積方法沉積柵絕緣層薄膜，形成柵絕緣層；通過濺射方法在柵絕緣層上沉積有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層。其中，構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕等工藝。

所述柵電極層的材料為鉬金屬，柵電極層的厚度為至所述柵電極層也可描述為gate層；所述柵絕緣層的材料為氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sino)和氧化硅(sio2)，氮化硅的厚度為至優(yōu)選的厚度為氮氧化硅的厚度為至優(yōu)選的厚度為氧化硅的厚度為至優(yōu)選的厚度為所述柵絕緣層也可描述為gi(gateinsulator，柵絕緣層)；所述有源層的材料為igzo(indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化物)，有源層的厚度為

為了使上述步驟更加清晰明了，下面以在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成柵電極層為例說明柵電極層的形成過程：

參照圖2，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一。

如圖2所示，在襯底201上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵電極層202的圖形區(qū)域，光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕以形成柵電極層202。

參照圖3，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

如圖3所示，在襯底201和柵電極層202上形成柵絕緣層203，在柵絕緣層203上沉積有源層薄膜，在有源層薄膜上涂覆光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成有緣層204的圖形區(qū)域，光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對有源層薄膜進(jìn)行濕法刻蝕以形成有源層204。

其中，刻蝕方法一般包括干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝；濕法刻蝕是通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的刻蝕方法。

步驟102，通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層。

本發(fā)明實(shí)施例中，在柵絕緣層和有源層上采用濺射方法沉積金屬層與金屬氧化物的復(fù)合層，然后通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極。其中，源極和漏極均部分覆蓋有源層，在源極和漏極之間形成薄膜晶體管的溝道，所述金屬層靠近有源層，金屬氧化物層作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)作為pin光電二極管的重?fù)诫sn型層。

所述金屬層與金屬氧化物層的材料分別為鋅和氧化鋅，所述金屬層的厚度為至所述金屬氧化物層的厚度為至其中，金屬層優(yōu)選的厚度為金屬氧化物層優(yōu)選的厚度為

參照圖4，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三。

如圖4所示，在圖3的基礎(chǔ)上，在柵絕緣層203和有源層204上，采用濺射方法沉積金屬層205與金屬氧化物206的復(fù)合層，在所述復(fù)合層上涂覆光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成源極和漏極的圖形區(qū)域，光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對所述復(fù)合層進(jìn)行刻蝕以形成源極和漏極。

步驟103，依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

本發(fā)明實(shí)施例中，在有源層、源極和漏極上采用pecvd方法沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層；在第一鈍化層上采用濺射方法沉積遮光層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成遮光層；然后在源極和漏極、第一鈍化層、遮光層上，采用pecvd方法沉積pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋源極與漏極間的有源層，具體的來說，i型層覆蓋到薄膜晶體管的溝道上。

所述第一鈍化層的材料為氧化硅和氮化硅，氧化硅的厚度為至氮化硅的厚度為至所述遮光層的材料為鉬金屬，遮光層的厚度為至所述遮光層也可描述為ls(lightshielding，遮光層)，用于防止光照射到薄膜晶體管的溝道上，防止薄膜晶體管失效；所述pin光電二極管的i型層的厚度為至所述i型層的材料為本征非晶硅，所述p型層的厚度為至p型層的材料為重?fù)诫s的非晶硅，一般摻雜的離子為硼離子。

參照圖5，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之四。

如圖5所示，在圖4的基礎(chǔ)上，在有源層204、源極和漏極的金屬氧化物層206上沉積鈍化層薄膜，采用掩膜板，通過曝光、顯影、干法刻蝕形成第一鈍化層207。

參照圖6，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之五。

如圖6所示，在圖5的基礎(chǔ)上，在第一鈍化層207上沉積遮光層薄膜，采用掩膜板，通過曝光、顯影、濕法刻蝕形成遮光層208。

參照圖7，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之六。

如圖7所示，在圖6的基礎(chǔ)上，在源極和漏極的金屬氧化物層206、第一鈍化層207、遮光層208上，沉積pin光電二極管的i型層209和p型層210。

然后，通過后續(xù)的工藝，最終形成探測基板。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層，通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層，依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層作為薄膜晶體管的源極和漏極，金屬氧化物層既可以作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)可代替pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，減少制作過程中的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

實(shí)施例二

參照圖8，示出了本發(fā)明實(shí)施例二的一種探測基板的制作方法的流程圖，具體可以包括如下步驟：

步驟801，在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層。

此步驟與實(shí)施例一中步驟101原理類似，在此不做詳述。

步驟802，在濺射設(shè)備中通以氬氣，以金屬靶材作為濺射靶材，沉積金屬層。

本發(fā)明實(shí)施例中，在濺射設(shè)備中通以氬氣，以金屬靶材作為濺射靶材，在柵絕緣層和有源層上沉積金屬層。

其中，金屬層的材料可以為鋅，金屬層的厚度為至

步驟803，通以氬氣和氧氣的混合氣體，以所述金屬靶材作為濺射靶材，在所述金屬層上沉積金屬氧化物層。

本發(fā)明實(shí)施例中，金屬層沉積以后，通過調(diào)整濺射氣體，在濺射設(shè)備中繼續(xù)通以氬氣和氧氣的混合氣體，以金屬靶材作為濺射靶材，在金屬層上沉積金屬氧化物層。

其中，所述氬氣和氧氣的壓強(qiáng)比為2:1，所述金屬氧化物層的厚度為至

步驟804，通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極。

本發(fā)明實(shí)施例中，沉積完成金屬層和金屬氧化物層后，采用掩膜板，通過曝光、顯影、刻蝕形成薄膜晶體管的源極和漏極。

步驟805，依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

此步驟與實(shí)施例一中步驟103原理類似，在此不做詳述。

步驟806，在形成pin光電二極管的基板上，依次形成第一電極層、第二鈍化層、以及第二電極層。

本發(fā)明實(shí)施例中，金屬氧化物層作為pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，沉積完成pin光電二極管的i型層和p型層后，則形成完整的pin光電二極管，pin光電二極管包括n型層、i型層和p型層。在形成pin光電二極管的基板上，采用濺射方法沉積電極層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一電極層；然后，第一電極層上采用pecvd方法沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二鈍化層；在第一電極層和第二鈍化層上采用濺射方法沉積電極層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二電極層。

所述第一電極層的材料為ito(indiumtinoxides，氧化銦錫)，第一電極層的厚度為所述第二鈍化層的材料為氮化硅(sin)，第二鈍化層的厚度為至所述第二電極層的材料為ito，第二電極層的第二電極層的

參照圖9，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之七。

如圖9所示，在圖7的基礎(chǔ)上，在pin光電二極管的p型層210上，沉積電極層薄膜，采用掩膜板，通過曝光、顯影、濕法刻蝕和干法刻蝕形成第一電極層211。

參照圖10，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之八。

如圖10所示，在圖9的基礎(chǔ)上，在第一電極層211上沉積鈍化層薄膜，采用掩膜板，通過曝光、顯影、干法刻蝕形成第二鈍化層212。

參照圖11，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之九。

如圖11所示，在圖10的基礎(chǔ)上，在第一電極層211和第二鈍化層212上，沉積電極層薄膜，通過曝光、顯影、濕法刻蝕形成第二電極層213。

步驟807，在形成第二電極層的基板上，形成閃爍層。

本發(fā)明實(shí)施例中，在形成第二電極層的基板上，以電子束蒸發(fā)的方法制作閃爍層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成閃爍層。

所述閃爍層的材料為csi(碘化銫)，閃爍層的厚度為40μm至60μm。

參照圖12，示出了本發(fā)明形成探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之十。

如圖12所示，在圖11的基礎(chǔ)上，在第二鈍化層212和第二電極層213上沉積閃爍層薄膜，通過曝光、顯影、刻蝕形成閃爍層214。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過在襯底上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極層、柵絕緣層、有源層，在濺射設(shè)備中通以氬氣，以金屬靶材作為濺射靶材，沉積金屬層，通以氬氣和氧氣的混合氣體，以所述金屬靶材作為濺射靶材，在所述金屬層上沉積金屬氧化物層，通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極，依次形成第一鈍化層、遮光層以及pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層，在形成pin光電二極管的基板上，依次形成第一電極層、第二鈍化層、以及第二電極層，在形成第二電極層的基板上，形成閃爍層。金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層作為薄膜晶體管的源極和漏極，金屬氧化物層既可以作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)可代替pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，減少制作過程中的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種探測基板，包括：襯底；形成于所述襯底上的柵電極層、柵絕緣層、有源層；形成于所述柵絕緣層及所述有源層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；形成于所述源極，所述漏極和所述有源層上的第一鈍化層，以及依次形成于所述第一鈍化層上的遮光層、pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

其中，金屬氧化物層的厚度為至金屬層與金屬氧化物層的材料分別為鋅和氧化鋅，有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

如圖7所示，在襯底201上形成有柵電極層202、柵絕緣層203、有源層204，在柵絕緣層203及有源層204上形成有源極和漏極，所述源極和所述漏極均為金屬層205與金屬氧化物層206的復(fù)合層，源極和漏極均部分覆蓋有源層204，金屬層靠近有源層204，在所述源極，所述漏極和所述有源層上204上形成有第一鈍化層207，在第一鈍化層207上依次形成有遮光層208、pin光電二極管的i型層209和p型層210。

如圖12所示，除此之外，探測基板還包括：依次形成于p型層210上的第一電極層211、第二鈍化層212、第二電極層213，以及閃爍層214。

本發(fā)明實(shí)施例中，探測基板包括：襯底；形成于所述襯底上的柵電極層、柵絕緣層、有源層；形成于所述柵絕緣層及所述有源層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；形成于所述源極，所述漏極和所述有源層上的第一鈍化層，以及依次形成于所述第一鈍化層上的遮光層、pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層作為薄膜晶體管的源極和漏極，金屬氧化物層既可以作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)可代替pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，減少制作過程中的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種x射線探測器，包括x射線源及上述探測基板。探測基板包括：襯底；形成于所述襯底上的柵電極層、柵絕緣層、有源層；形成于所述柵絕緣層及所述有源層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；形成于所述源極，所述漏極和所述有源層上的第一鈍化層，以及依次形成于所述第一鈍化層上的遮光層、pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，關(guān)于探測基板的具體描述可以參照實(shí)施例三的描述，本實(shí)施例對此不再贅述。

在x射線源的照射下，探測基板的閃爍層將x射線轉(zhuǎn)化為可見光，然后在pin光電二極管的作用下，將可見光轉(zhuǎn)化為電信號，薄膜晶體管讀取電信號并將電信號輸出得到顯示圖像。

本發(fā)明實(shí)施例中，該x射線探測器包括x射線源及探測基板，該探測基板包括：襯底；形成于所述襯底上的柵電極層、柵絕緣層、有源層；形成于所述柵絕緣層及所述有源層上的源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極均部分覆蓋所述有源層，所述源極和所述漏極均為金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層，所述金屬層靠近所述有源層；形成于所述源極，所述漏極和所述有源層上的第一鈍化層，以及依次形成于所述第一鈍化層上的遮光層、pin光電二極管的i型層和p型層，所述i型層覆蓋所述源極與所述漏極間的有源層。金屬層與金屬氧化物層的復(fù)合層作為薄膜晶體管的源極和漏極，金屬氧化物層既可以作為金屬層的保護(hù)層，同時(shí)可代替pin光電二極管的重?fù)诫sn型層，減少制作過程中的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

對于前述的各方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對本發(fā)明所提供的一種探測基板的制作方法、探測基板及x射線探測器，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。