一種射頻芯片鏈帶及其制取工藝的制作方法

本發(fā)明涉及射頻芯片安裝技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，是涉及一種射頻芯片鏈帶及其制取工藝。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的發(fā)展，射頻芯片的尺寸越來越小，現(xiàn)有常見的小尺寸射頻芯片的尺寸為0.45*0.45*0.1mm，此時，在8時晶圓上芯片數(shù)量達(dá)12萬個，12時晶圓上的芯片達(dá)25萬個以上。

從晶圓上取下芯片，再將芯片安裝在射頻天線上，是目前芯片安裝綁定的主流工藝，每從晶圓上取下一顆芯片，都需要對晶圓實(shí)施復(fù)雜的x、y向位置伺服定位，而且每次操作只能使用一個晶圓，每個工作流程只能安裝綁定一顆芯片，因而設(shè)備復(fù)雜造價高，芯片安裝綁定設(shè)備的投資及折舊費(fèi)成為制約射頻技術(shù)應(yīng)用的成本瓶頸。

市面上曾出現(xiàn)過貼片元件編帶式射頻芯片鏈，但是由于射頻芯片太小，要從晶圓上一顆一顆的取下芯片，再一顆一顆的放入貼片器件編帶的孔中，然后在芯片孔之上復(fù)合蓋層，其工藝也很復(fù)雜，因此很難得到推廣應(yīng)用。

上述缺陷，值得解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種射頻芯片鏈帶及其制取工藝。

本發(fā)明技術(shù)方案如下所述：

一種射頻芯片鏈帶，其特征在于，包括若干芯片鏈帶單元，相鄰兩節(jié)所述芯片鏈帶單元固定連接，每節(jié)所述芯片鏈帶單元包括背膜和若干射頻芯片，所述射頻芯片縱向或橫向排列成一排，并且所述射頻芯片與所述背膜連接，相鄰兩個所述射頻芯片之間設(shè)有縫隙，所述射頻芯片上設(shè)有電氣樁腳。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，芯片之間的所述縫隙的寬度為18-20微米。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述背膜為uv膜或藍(lán)膜或強(qiáng)力膜。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述背膜上設(shè)有一層連接層，所述射頻芯片通過連接層與所述背膜連接。

進(jìn)一步的，所述連接層為芯片固定膠。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述背膜的背膜首端超出最前端所述射頻芯片的前沿，所述背膜的背膜尾端與最末端所述芯片的邊緣對齊。

進(jìn)一步的，所述背膜首端超出最前端所述射頻芯片的前沿10mm。

進(jìn)一步的，位于最前端的所述芯片鏈帶單元中，所述背膜首端與收卷盤的收卷引帶熱壓合粘結(jié)在一起。

進(jìn)一步的，后一個所述芯片鏈帶單元中的所述背膜首端與前一個所述芯片鏈帶單元中的所述背膜尾端熱壓合粘結(jié)在一起。

進(jìn)一步的，位于最末端的所述芯片鏈帶單元中，所述背膜尾端與收卷盤的放卷引帶熱壓合粘結(jié)在一起。

一種射頻芯片鏈帶的制取工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、將晶圓架固定好，使晶圓的背膜朝向上；

步驟2、將收卷盤內(nèi)圈固定的收卷引帶拉出前端停在熱壓合裝置上；

步驟3、切割刀從所述晶圓上切割下芯片鏈帶單元；

步驟4、將切割下的第一個所述芯片鏈帶單元落在傳輸帶的末端，所述傳輸帶帶動所述芯片鏈帶單元向前傳送；

步驟5、所述傳輸帶的前方設(shè)有托板，所述傳輸帶將所述芯片鏈帶單元輸送到所述傳輸帶的前端，使得所述芯片鏈帶單元的背膜首端與所述托板上的所述收卷引帶重合，所述熱壓合裝置將所述背膜首端與所述收卷引帶熱壓合在一起；

步驟6、收卷盤動力輪轉(zhuǎn)動，帶動所述收卷盤收卷，第一個所述芯片鏈帶單元前行，當(dāng)?shù)谝粋€所述芯片鏈帶單元的背膜尾端位于所述熱壓合裝置時，停止收卷；

步驟7、所述切割刀沿著晶圓的縫隙切割下第二個所述芯片鏈帶單元，落在所述傳輸帶的末端，所述傳輸帶帶動第二個所述芯片鏈帶單元向前傳送，第二個所述芯片鏈帶單元的背膜首端到達(dá)熱壓合裝置時停止前進(jìn)，使得第二個所述芯片鏈帶單元的所述背膜首端疊壓在第一個所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端上；

步驟8、所述熱壓合裝置將第二個所述芯片鏈帶單元的所述背膜首端與第一個所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端熱壓合在一起；

步驟9、所述收卷盤動力輪帶動收卷盤轉(zhuǎn)動，進(jìn)而所述收卷盤帶動繞在其上的所述鏈帶單元收卷，當(dāng)?shù)诙€所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端位于所述所述熱壓合裝置時，停止收卷；

步驟10、重復(fù)步驟7-9，直至最后一個所述芯片鏈帶單元完成切割、連接；

步驟11、安裝放卷引帶，當(dāng)最后一個所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端停在所述所述熱壓合裝置上，將預(yù)先裁切好的放卷引帶的前端放置在所述所述熱壓合裝置處，疊壓在最后一個所述芯片鏈帶單元的背膜尾端之上，將所述放卷引帶和最后一個所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端熱壓合在一起；

步驟12、然后啟動所述收卷盤動力輪，所述收卷盤收卷起最后一個所述芯片鏈帶單元，一個晶圓轉(zhuǎn)換成了一盤芯片鏈帶。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，在所述步驟2中，用切割刀沿著所述晶圓上的橫向切割縫隙或縱向切割縫隙進(jìn)行切割，將所述背膜切割開裂。

進(jìn)一步的，所述切割刀為激光刀或鋼刀。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述傳輸帶的前端設(shè)有光電傳感器，所述傳輸帶將所述芯片鏈帶單元的所述背膜首端傳送到所述光電傳感器后，再向前行進(jìn)10mm距離。

進(jìn)一步的，在所述步驟6中，所述收卷盤收卷后，使得壓合完成后的所述芯片鏈帶單元的所述背膜末端位于所述光電傳感器處后，再收卷3-5mm。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其特征在于，所述熱壓合裝置包括熱壓合底座和熱壓合頭，所述熱壓合頭位于所述熱壓合底座的正上方，所述熱壓合頭向下壓，將所述芯片鏈帶單元的所述背膜手段與所述收卷引帶壓合在一起，或者是將所述芯片鏈帶單元的所述背膜手段與前一個所述芯片鏈帶單元的所述背膜尾端壓合在一起，或者是將所述放卷引帶與最后一個所述芯片鏈帶單元壓合在一起。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其有益效果在于，本發(fā)明省去了傳統(tǒng)芯片綁定芯片晶圓x、y雙向伺服定位的設(shè)備與工藝，大大減少設(shè)備投資與折舊費(fèi)，提高芯片安裝綁定的效率，有利于射頻技術(shù)的推廣應(yīng)用；同時通過將若干個使用鏈帶單元實(shí)施芯片綁定封裝的設(shè)備并裝在一起，使得并裝的多列芯片的安裝綁定設(shè)備使用同一個伺服系統(tǒng)，從而大大提升工作效率，促進(jìn)新一代的射頻芯片安裝綁定機(jī)的發(fā)展。

附圖說明

圖1為本發(fā)明固定晶圓時的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明中鏈帶單元的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。

圖3為本發(fā)明收卷引帶安裝的示意圖。

圖4為本發(fā)明放卷引帶安裝的示意圖。

圖5為本發(fā)明收卷盤收卷后的側(cè)面剖視圖。

圖6為本發(fā)明制取過程的示意圖。

在圖中，1、射頻芯片；101、橫向切割縫隙；102、縱向切割縫隙；2、電氣樁腳；3、背膜；301、背膜首端；302、背膜尾端；4、芯片固定膠；5、晶圓架；6、芯片鏈帶單元；7、收卷盤；8、收卷引帶；9、放卷引帶；10、切割刀；11、傳輸帶；12、光電傳感器；1301、熱壓合底座；1302、熱壓合頭；14、托板；15、收卷盤動力輪。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的描述：

如圖1-2所示，一種射頻芯片鏈帶，包括若干鏈帶單元5，每節(jié)鏈帶單元5包括背膜3(uv膜或藍(lán)膜或強(qiáng)力膜)和若干射頻芯片1，背膜3上設(shè)有一層連接層，射頻芯片1通過連接層與背膜3連接。

優(yōu)選的，連接層為芯片固定膠4。

射頻芯片1縱向或橫向排列成一排，并且射頻芯片1與背膜3連接，相鄰兩個射頻芯片1之間設(shè)有縫隙，縫隙的寬度為18-20微米，用于射頻芯片1安裝綁定時識別射頻芯片1間隔縫隙，省去了傳統(tǒng)芯片綁定時芯片晶圓x、y雙向伺服定位的設(shè)備與工藝，大大減少設(shè)備投資與折舊費(fèi)。

射頻芯片1上設(shè)有電氣樁腳2。

相鄰兩節(jié)鏈帶單元5之間通過背膜3固定連接，位于連接處的背膜3之間熱壓合粘結(jié)連接。

如圖3-6所示，一種射頻芯片鏈帶的制取工藝，包括以下步驟：

1、將晶圓架5固定好，使晶圓的背膜3朝向上。

2、將收卷盤內(nèi)圈固定的收卷引帶8拉出前端停在熱壓合裝置上。熱壓合裝置包括熱壓合底座1301和熱壓合頭1302，熱壓合頭1302位于熱壓合底座1301的正上方。

3、從晶圓上切割下芯片鏈帶單元6。

用切割刀10沿著晶圓上的橫向切割縫隙101或縱向切割縫隙102進(jìn)行切割，將背膜3切割開裂。優(yōu)選的，切割刀10為激光刀或鋼刀。

在本實(shí)施例中，通過切割刀10沿著晶圓縱向切割縫隙102切割。

4、將切割下的第一芯片鏈帶單元6落在傳輸帶11的末端，傳輸帶11帶動芯片鏈帶單元6向前傳送。

5、傳輸帶11的前方設(shè)有托板14，傳輸帶11與托板14之間設(shè)有光電傳感器12。

傳輸帶11將芯片鏈帶單元6輸送到傳輸帶11前端的光電傳感器12后，再向前行進(jìn)10mm距離，使得芯片鏈帶單元6的前端背膜3與停在熱壓合底座1301的收卷引帶8重合，然后熱壓頭1032下壓收卷引帶8與第一個芯片鏈帶單元6熱壓粘結(jié)在一起。

6、收卷盤動力輪15轉(zhuǎn)動，帶動收卷盤7收卷，芯片鏈帶單元6前行，當(dāng)?shù)谝恍酒湈卧?的背膜尾端302前行到熱壓合底座1301時，收卷盤7停止收卷。

收卷盤7收卷后，使得壓合完成后的芯片鏈帶單元6的背膜尾端302位于光電傳感器12處后，再收卷3-5mm。

7、切刀10沿著晶圓縱向割縫102切割下第二個芯片鏈帶單元6，落在傳輸帶11的末端，傳輸帶11帶動芯片鏈帶單元6向前傳送，芯片鏈帶單元6的背膜首端301到達(dá)熱壓合底座1301時停止前進(jìn)。芯片鏈帶單元6的背膜首端301疊壓在第一個芯片鏈帶單元6的背膜尾端302上。

8、位于前后兩個鏈帶單元6首尾重合處的熱壓合裝置運(yùn)作，將兩個鏈帶單元6壓合在一起。

熱壓合頭1302向下壓，通過熱壓合頭1302與熱壓合底座1301相互擠壓，將第二個芯片鏈帶單元6的背膜首端301與第一個芯片鏈帶單元6的背膜尾端302熱壓合在一起，即將前后兩條鏈帶單元6穩(wěn)定的連接起來。

9、動力輪15帶動收卷盤7轉(zhuǎn)動，進(jìn)而收卷盤7帶動繞在其上的芯片鏈帶單元6收卷，當(dāng)?shù)诙€芯片鏈帶單元6的背膜尾端302位于熱壓合底座1301位置時停止收卷。

10、重復(fù)步驟7-9，實(shí)施切割晶圓背膜得到的芯片鏈帶單元6向前輸送到熱壓合底座1301位置與前一個芯片鏈帶單元6熱壓合在一起，直至最后一個芯片鏈帶單元6完成切割、連接。

11、安裝放卷引帶9：當(dāng)最后一個芯片鏈帶單元6的背膜尾端302停在熱壓合底座1301位置上，將預(yù)先裁切好的放卷引帶9的前端放置在熱壓合底座1301處，疊壓在最后一個芯片鏈帶單元6的背膜尾端302之上，然后熱壓頭1302下壓，將放卷引帶9和最后一個芯片鏈帶6的背膜尾端302熱壓合在一起。

然后啟動收卷盤動力輪15，收卷盤7收卷起最后一個芯片鏈帶單元6，一個晶圓轉(zhuǎn)換成了一盤芯片鏈帶。

將若干個使用射頻芯片1鏈帶安裝綁定的設(shè)備并裝在一起，成為多排射頻芯片1安裝綁定設(shè)備，多列芯片綁定機(jī)用同一個伺服系統(tǒng)，從而大大提升工作效率，促進(jìn)新一代的射頻芯片安裝綁定機(jī)的發(fā)展。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

上面結(jié)合附圖對本發(fā)明專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本發(fā)明專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。