一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板與流程

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板。

背景技術：

顯示行業一直將提高顯示品質，降低生產成本作為制勝的關鍵因素。并且隨著技術的發展，各種工藝技術也在不斷的提高，所能進行的工藝精細程度也越來越高，這體現在像素的關鍵尺寸可以越做越小。并且人們追求顯示品質也有了一定的改變，不再單純追求高亮度高度比，而對視角、色彩空間加更注重。

在這些顯示技術中，ips(橫向電場效應顯示技術)無疑是一個非常好的選擇。但是傳統的ips像素工藝制程相對比較多，至少需要四道制程，包括m1(第一金屬層)、activelayer(有源層)與m2(第二金屬層)、pv(有機層)及像素電極。這對于大量生產來說，成本也就相對比較高。半導體顯示技術如果減少制程道次，相對來說就能降低生產成本。

技術實現要素：

本發明主要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板，能夠在陣列基板的制作制程中只需要兩道光罩，提高了生產效率，降低了產品生產的成本。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對第一金屬層進行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對第二金屬層和有源層進行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板，該陣列基板包括依次層疊形成的第一金屬層，柵極絕緣層、有源層以及第二金屬層；其中，第一金屬層包括柵極和公共電極，第二金屬層包括源極、漏極和像素電極。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，其中，陣列基板是采用如上的制作方法制得，或是如上的陣列基板。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明的陣列基板的制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對第一金屬層進行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對第二金屬層和有源層進行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。通過上述方式，整個陣列基板的制作制程只需要兩道光罩，提高了生產效率，降低了產品生產的成本。

附圖說明

圖1是本發明提供的陣列基板一實施例的結構示意圖；

圖2是本發明提供的陣列基板的制作方法一實施例的流程示意圖；

圖3-圖6是本發明提供的陣列基板的制作方法一實施例中步驟s21-s22的結構示意圖；

圖7是本發明提供的陣列基板的制作方法一實施例中步驟s23的結構示意圖；

圖8-圖13是本發明提供的陣列基板的制作方法一實施例中步驟s24的結構示意圖；

圖14是本發明提供的陣列基板的制作方法一實施例的俯視結構示意圖；

圖15是本發明提供的液晶顯示面板一實施例的結構示意圖。

具體實施方式

參閱圖1，圖1是本發明陣列基板一實施例的結構示意圖，該陣列基板包括依次層疊設置在基板10上的第一金屬層11、柵極絕緣層12、有源層以及第二金屬層15。

其中，有源層包括半導體層13以及離子注入層14。

其中，第一金屬層11包括柵極111和公共電極112，第二金屬層15包括源極151、漏極152和像素電極153。

具體地，第一金屬層11在第一張光罩下被刻蝕形成柵極111和公共電極112，第二金屬層15在第二張光罩下被刻蝕形成源極151、漏極152和像素電極153。

其中，第二金屬層15為抗氧化金屬層，且第二金屬層15裸露在陣列基板與彩膜基板之間的液晶層中。

下面參閱圖2的流程示意圖以及圖3-圖13的結構示意圖，對上述陣列基板的制作方法進行詳細說明。

如圖2所示，該陣列基板的制作方法包括：

s21：在基板上制作第一金屬層。

s22：采用第一張光罩對第一金屬層進行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極。

基板10可以是透明的玻璃基板，也可以是透明的塑料基板；第一金屬層可以采用pt、ru、au、ag、mo、cr、al、ta、ti或w中的一種金屬或多種金屬的合金。

具體地，可以采用物理氣相沉積或化學氣相沉積的方式在基板10上沉積一層金屬，具體可以采用物理濺射、旋涂、噴墨、狹縫涂布或者光刻工藝等方法中的一種或多種，本實施例不作限定。

如圖3所示，在金屬沉積之后，在第一金屬層11上涂覆光刻膠31，采用第一張光罩32對光刻膠31進行曝光顯影。曝光顯影后的光刻膠如圖4所示，然后對第一金屬層進行刻蝕，形成如圖5所示的結構，最后對光刻膠31進行剝離，以形成如圖6所示的柵極111和公共電極112。

值得注意的是，在上述制程中，柵極111和公共電極112采用同一金屬層(即第一金屬層11)制作，在圖形化時，僅使用一道光罩。

s23：在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層。

具體地，如圖7所示，在第一金屬層11上制作柵極絕緣層12；在柵極絕緣層12上制作半導體層13，并在半導體層13的表面進行離子注入，以形成離子注入層14；在離子注入層14上制作第二金屬層15。

其中，柵極絕緣層12可以是siox、sinx或其混合物；半導體層13可以采用si、ge或gaas等，在本實施例中，可以采用as制作；離子注入層14也可以叫做離子摻雜層，可以根據tft的具體功能而注入不同的離子，若要形成n型半導體，可以注入磷，若要形成p型半導體，可以注入硼、鎵。

其中，由于在陣列基板和彩膜基板對盒形成液晶盒時，第二金屬層15裸露出來直接與液晶接觸，因此，第二金屬層15需要采用難以氧化的金屬，例如ag或ag、mo組合形成的多層結構金屬。

s24：采用第二張光罩對第二金屬層和有源層進行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。

具體地，如圖8所示，在第二金屬層15上涂覆光刻膠33；采用第二張光罩34對光刻33膠進行曝光顯影；圖9為光刻膠33曝光顯影后的結構示意圖。

然后對第二金屬層15、半導體層13以及離子注入層14進行刻蝕，以形成源極、漏極以及像素電極。

具體地，如圖10所示，對未被光刻膠33覆蓋的第二金屬層15、半導體層13以及離子注入層14進行刻蝕，以使未被光刻膠33覆蓋的區域裸露出柵極絕緣層12。可選的，在對第二金屬層15進行刻蝕時，可以采用濕法刻蝕，在對半導體層13以及離子注入層14進行刻蝕時，可以才是干法刻蝕。

如圖11所示，然后在光刻膠33上挖孔，形成過孔331，以使光刻膠33覆蓋的第二金屬層15部分裸露，具體地，是裸露出柵極111對應的部分；如圖12所示再對裸露的第二金屬層15進行刻蝕，以裸露出離子注入層14；對裸露的離子注入層14進行刻蝕，以裸露出半導體層13。

如圖13所示，最后對第二金屬層15上面的光刻膠進行剝離，形成陣列基板，其中，第二金屬層15在上述刻蝕過程中形成源極151、漏極152以及像素電極153。

值得注意的是，在上述制程中，源極151、漏極152以及像素電極153采用同一金屬層(即第二金屬層15)制作，在圖形化時，僅使用一道光罩。

如圖14所示，其中，豎線填充區域表示第一金屬層11的圖案，橫線填充區域表示第二金屬層15的圖案。

區別于現有技術，本實施方式提供的陣列基板的制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對第一金屬層進行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對第二金屬層和有源層進行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。通過上述方式，整個陣列基板的制作制程只需要兩道光罩，提高了生產效率，降低了產品生產的成本。

參閱圖15，圖15是本發明提供的液晶顯示面板一實施例的結構示意圖，該液晶顯示面板包括陣列基板40、彩膜基板50以及陣列基板40和彩膜基板50之間的液晶層60。

其中，陣列基板40是如上述實施方式中所提供的陣列基板，其中的第二金屬層(包括源極、漏極以及像素電極)裸露在液晶層60中，因此第二金屬層需要采用難以氧化的金屬材料制得，例如ag或ag、mo組合形成的多層結構金屬。

彩膜基板50中設置有光阻，具體地，可以包括rgb三色光阻。

具體地，該液晶顯示面板為ips型液晶顯示面板。

另外，本發明還可以提供一種ips型液晶顯示器，包括液晶顯示面板以及背光，其中，該液晶顯示面板是如上的面板，其結構相同，這里不再贅述。

在本發明提供的液晶顯示面板中，由于陣列基板中第一金屬層在第一張光罩下被刻蝕形成柵極和公共電極，第二金屬層在第二張光罩下被刻蝕形成源極、漏極和像素電極，因此在制程中只使用兩道光罩，提高了生產效率，降低了產品生產的成本。

以上所述僅為本發明的實施方式，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。