一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置與流程

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術：

陣列基板制備時，通常采用銅作為陣列基板中包括源極、漏極及數據線的源漏金屬層的材料。由于銅的性質較為活潑，易擴散至其他膜層中，且在高溫或外加電場的作用下，銅易被氧化，影響陣列基板構成的顯示器件的顯示效果。因此通常構成源漏金屬層的材料還包括鉬鈮(化學式：monb)，鉬鈮層通常形成在銅金屬層的上下表面，以對銅進行保護。

然而，光刻膠在鉬鈮層表面的粘附力較低。當在陣列基板中的柵線表面形成數據線時，由于柵線自身具有一定的厚度，因此數據線在與柵線交疊處存在爬坡現象。在底鉬鈮層、銅金屬層、頂鉬鈮層構成的導電膜層的表面涂覆光刻膠(光刻膠在頂鉬鈮層的表面)時，由于光刻膠與頂鉬鈮層的粘附力較低，因此光刻膠在上述爬坡處易產生空隙，在后續的刻蝕工藝中，刻蝕液從上述空隙處侵入導電膜層中，易使得形成的數據線發生斷線。

技術實現要素：

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于降低在陣列基板中形成交叉設置的信號線時，位于頂層的信號線在爬坡處發生斷線的幾率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例的一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上形成第一導電薄膜，對所述第一導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第一導電層，所述第一導電層包括第一信號線；在所述第一導電層上形成第二導電薄膜，對所述第二導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第二導電層，所述第二導電層包括第二信號線；所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設置；其中，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。

可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區域的寬度。

可選的，所述制備方法還包括：對所述第二導電薄膜進行粗糙化處理。

進一步的，所述對所述第二導電薄膜進行粗糙化處理，包括：在所述第二導電薄膜表面涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行前烘、曝光、顯影、后烘工藝，并將所述光刻膠去除。

本發明實施例的另一方面，提供一種陣列基板，包括襯底，在襯底上依次設置的第一信號線和第二信號線，所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設置；所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。

可選的，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的兩個邊緣均為弧線。

可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區域的寬度。

可選的，所述第一信號線為柵線和/或公共線，所述第二信號線為數據線；或者，所述第一信號線為數據線，所述第二信號線為柵線和/或公共線。

可選的，所述第二信號線由依次設置的第一銅擴散阻擋層、銅/銅合金層、第二銅擴散阻擋層構成。

本發明實施例的又一方面，提供一種顯示裝置，包括上述所述的任一種陣列基板。

本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，陣列基板的制備方法，具體的包括，在襯底上形成第一導電薄膜，對第一導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第一導電層，第一導電層包括第一信號線；在第一導電層上形成第二導電薄膜，對第二導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第二導電層，第二導電層包括第二信號線，第一信號線和第二信號線交叉絕緣設置。

其中，第一信號線的上表面中與第二信號線交疊的部分，沿第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離。在第一信號線的厚度不變的情況下，相對于邊緣長度等于邊緣的兩個頂點之間的直線距離的情況，第二導電薄膜在爬坡處與第一導電層的接觸面積會增加，從而使得在第二導電薄膜表面形成光刻膠時，光刻膠在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積增加，進而降低了爬坡處的光刻膠產生空隙的幾率，這樣一來，可以降低在執行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導電薄膜中，造成形成的第二信號線發生斷線的幾率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；

圖2為根據圖1所示的制備方法制備的陣列基板的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖4為圖3所示的陣列基板中a區的放大圖；

圖5為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的一種結構示意圖；

圖6為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的另一種結構示意圖；

圖7為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的又一種結構示意圖；

圖8(a)-8(f)為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備過程示意圖。

附圖標記：

10-襯底；11-第一導電層；111-第一信號線；121-第二信號線；12-第二導電層；13-漏極；20-柵絕緣層；21-氧化物有源層；31-氧化物半導體薄膜；32-第一銅擴散阻擋薄膜層；33-銅/銅合金薄膜層；34-第二銅擴散阻擋薄膜層；35-光刻膠；351-光刻膠完全保留部分；352-光刻膠半保留部分。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖1所示，包括：

步驟s101、如圖2所示，在襯底10上形成第一導電薄膜，對第一導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第一導電層11，如圖3所示，第一導電層11包括第一信號線111。

需要說明的是，上述構圖可指：包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟形成預定圖形的工藝。光刻工藝，包括成膜、曝光、顯影等工藝，具體可以利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。

步驟s102、如圖2所示，在第一導電層11上形成第二導電薄膜，對第二導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第二導電層12，如圖3所示，第二導電層12包括第二信號線121；第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設置。

其中，如圖4所示，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離j。第二信號線121的延伸方向為圖3中的y方向。

需要說明的是，第一、可以通過控制掩模板的形狀，使其具有與需要形成的第一信號線111的形狀相同的特定圖案，從而通過掩模板曝光并執行后續光刻工藝后，形成的第一信號線111具有上述特征。

第二、在形成第一信號線111后，可以在第一導電層11的表面形成一層絕緣層，然后在絕緣層的表面形成上述第二導電層12，從而使得形成的第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設置，且第二信號線121位于第一信號線111的上方。

第三、上述對第二導電薄膜構圖，形成由導電圖案構成的第二導電層12，具體的，在第二導電薄膜的表面涂覆一層光刻膠，并通過曝光、顯影、刻蝕工藝形成第二導電層12。

基于此，本發明提供一種陣列基板的制備方法，具體的，在襯底10上形成第一導電薄膜，對第一導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第一導電層11，第一導電層11包括第一信號線111；在第一導電層11上形成第二導電薄膜，對第二導電薄膜構圖形成由導電圖案構成的第二導電層12，第二導電層12包括第二信號線121，第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設置。

其中，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。在第一信號線111的厚度不變的情況下，相對于邊緣e長度等于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離，第二導電薄膜在爬坡處與第一導電層11的接觸面積會增加，從而使得在第二導電薄膜表面形成光刻膠時，光刻膠在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積增加，降低了爬坡處的光刻膠產生空隙的幾率，進而可以降低在執行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導電薄膜中，造成形成的第二信號線121發生斷線的幾率。

此外，本發明對上述邊緣e的形狀不做限定，只要滿足邊緣e的長度大于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離j。示例的，上述邊緣e可以如圖4所示，至少一邊緣e可以為弧線；或者邊緣e可以為折線。

以邊緣e為弧線為例，為了增加通過構圖工藝形成第二信號線121時，光刻膠在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積，可選的，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e均為弧線，此時可以如圖5所示，兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同，當然兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向也可以不同。考慮到通常信號線制作的較細，當兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相對時，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較窄，第一信號線111極易發生斷線。因此在第一信號線111較細的情況下，優選的，第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同或相背。

在制作陣列基板時，為了簡化工藝，有時柵極由柵線的一部分充當。示例的，如圖7所示，第一信號線111為柵線，第二信號線121為數據線。其中，第一信號線111包括凸起部b和柵線本體c，第二信號線121與凸起部b交疊，漏極13與凸起部b交疊。此時由于第一信號線111較粗，即使第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相對，由于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較寬，因此可以降低發生斷線的幾率。

在此基礎上，為了進一步增加光刻膠在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積，可選的，如圖5所示，第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影重合區域的寬度w1，大于第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影未重合的區域的寬度w2。其中，第二信號線121的寬度是指：沿第一信號線111的延伸方向(如圖3所示的x方向)，第二信號線121的一端與另一端之間的直線距離。

需要說明的是，可以通過控制掩模板的形狀，使其具有與需要形成的第二信號線121的形狀相同的特定圖案，從而通過掩模板曝光并執行后續光刻工藝后，形成的第二信號線121具有上述形狀。

在此情況下，當在第二導電薄膜的表面形成光刻膠，在上述爬坡處，相對于第二信號線121中w1＝w2的情況，光刻膠與第二導電薄膜的上表面的接觸面積進一步增大，這樣一來，可以進一步降低爬坡處的光刻膠產生空隙的幾率。

在此基礎上，本發明對陣列基板的類型不做限定，對于陣列基板中交叉設置的信號線，在兩條信號線交疊處，將位于底層的信號線設置為上述結構時，均可以實現降低形成信號線時，位于頂層的信號線發生斷線的幾率。示例的，當陣列基板為底柵型時，如圖3所示，上述第一信號線111可以為柵線，或者為與柵線同層的公共線(gatecommon)，第二信號線121為數據線(sdline)；當陣列基板為頂柵型時，上述第一信號線111為數據線，第二信號線121為柵線，或者與柵線同層的公共線。

此外，上述第一信號線111和第二信號線121通常采用銅/銅合金形成。由于銅的性質較為活潑，為了防止銅/銅合金被氧化，或擴散至有源層或其他膜層中，對其他膜層造成污染，可選的，在銅/銅合金層的上表面形成第二銅擴散阻擋層、下表面形成第一銅擴散阻擋層。其中，第一銅擴散阻擋層和第二銅擴散阻擋層可以防止銅擴散至其他膜層，例如有源層中，也可以防止在后續膜層的制作工藝中，銅/銅合金被氧化。

可選的，構成上述銅擴散阻擋層的材料包括鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)，鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅可以很好的防止銅/銅合金的擴散以及降低其被氧化的幾率。

在此基礎上，由于光刻膠在采用鉬鈮合金構成的銅擴散阻擋層表面的附著力較低，因此當形成第二信號線121時，增加了在爬坡處產生空隙，導致形成的第二信號線121發生斷線的幾率。

在此情況下，根據本發明實施例提供的制作方法，使得第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j，以增加第二導電薄膜在爬坡處與第一導電層11的接觸面積，從而有效的降低在第二導電薄膜表面形成光刻膠時，在爬坡處的光刻膠產生空隙的幾率。

以下以陣列基板為底柵型，第一信號線111為柵線，第二信號線121為數據線為例，對陣列基板的制備過程進行說明，具體的可通過如下步驟實現。

s11、在襯底10上形成第一導電薄膜，即柵極薄膜；并在第一導電薄膜101上方形成一層光刻膠。

s12、利用掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分。

其中，掩模板的不透光部分在沿第二信號線121的延伸方向、柵極薄膜與第二信號線121的預交疊處的至少一個側邊的長度大于該側邊的兩個頂點之間的直線距離。

這樣一來，可以使得形成的光刻膠保留部分中對應于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離。

s13、采用刻蝕工藝對柵極薄膜進行刻蝕，形成第一導電層11。

具體的，第一導電層11包括第一信號線111，且第一信號線111如圖4所示，上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。

之后，將形成有第一導電層11的襯底10清洗后，還可以采用pecvd在形成有第一導電層11的襯底10上沉積柵絕緣層20。

s14、在形成有第一導電層11的襯底10上形成有源層21、第二導電層12。

具體的，通過以下步驟實現：

步驟s21、如圖8(a)所示，在形成有第一導電層11的襯底10上依次形成氧化物半導體薄膜31、由第一銅擴散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴散阻擋薄膜層34構成的第二導電薄膜，并在第二導電薄膜上方形成光刻膠35。

步驟s22、如圖8(b)所示，利用半色調掩模板40對光刻膠35進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分351、光刻膠半保留部分352和光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分351與源極和漏極13對應，光刻膠半保留部分352與源極和漏極13之間的區域對應，光刻膠完全去除部分與其他區域對應。

其中，半色調掩模板包括不透明部分、半透明部分和透明部分。光刻膠35經過曝光后，光刻膠完全保留部分351對應半色調掩模板的不透明部分，光刻膠半保留部分352對應半色調掩模板的半透明部分，光刻膠完全去除部分對應半色調掩模板的透明部分。

當然，上述所指的光刻膠35為正性膠，當光刻膠35為負性膠時，光刻膠完全保留部分351則對應半色調掩模板的透明部分，光刻膠完全去除部分則對應半色調掩模板的不透明部分，光刻膠半保留部分352依然對應半色調掩模板的半透明部分。

步驟s23、如圖8(c)所示，進行第一次銅刻蝕工藝，對與光刻膠完全去除部分對應的第一銅擴散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴散阻擋薄膜層34進行刻蝕。

其中，在銅刻蝕工藝中，通常采用10％～20％的過蝕時間，以保持刻蝕干凈。此外，在保證銅刻蝕干凈的情況下，盡量縮短過蝕時間，以降低發生光刻膠剝離和信號線斷線的幾率。

步驟s24、如圖8(d)所示，進行氧化物半導體薄膜31刻蝕，對與光刻膠完全去除部分對應的氧化物半導體薄膜31進行刻蝕，得到氧化物有源層21。

步驟s25、如圖8(e)所示，采用灰化工藝去除光刻膠半保留部分352。

其中，在保證光刻膠半保留部分352灰化干凈的前提下，盡量縮短灰化時間，以降低發生光刻膠剝離和信號線斷線的幾率。

可選的，對圖8(e)所示的光刻膠35進行烘干。其中，烘干溫度為110°～150°，時間為1oos～200s。這樣一來，可以增加光刻膠35在第二銅擴散阻擋層34表面的附著力。

步驟s26、如圖8(f)所示，采用第二次銅刻蝕工藝，對露出的第一銅擴散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴散阻擋薄膜層34進行刻蝕，形成上述第二導電層12。

其中，在銅刻蝕工藝中，通常采用10％～20％的過蝕時間，以保持刻蝕干凈。此外，在保證銅刻蝕干凈的情況下，盡量縮短過蝕時間，以降低發生光刻膠35剝離和信號線斷線的幾率。

最后，剝離上述光刻膠35。

此外，本領域技術人員清楚的知道，可以在形成有第二導電層12的襯底10上繼續形成其他膜層，例如公共電極層、像素電極層。本發明對此不再贅述。

此外，可選的，在上述步驟s22之前，上述制備方法還包括：對第二導電薄膜進行粗糙化處理。需要說明的是，本發明對上述粗糙化處理的具體方式不做限定，只要在對第二導電薄膜進行處理后，可以使得第二導電薄膜的表面粗糙即可。

在此情況下，由于第二導電薄膜的表面粗糙，在第二導電薄膜上形成光刻膠35時，可以增加光刻膠35在第二導電薄膜的附著效果，從而降低了光刻膠35在上述爬坡處存在空隙的幾率。

示例的，上述對第二導電薄膜進行粗糙化處理，可以包括：在第二導電薄膜表面涂覆光刻膠35，對光刻膠35進行前烘、曝光、顯影、后烘工藝，并將光刻膠35去除。這樣一來，可以通過高溫的光刻膠35對第二導電薄膜的表面進行處理，使得第二導電薄膜的表面粗糙。

本實施中，通過一次構圖工藝形成氧化物有源層21、第二導電層12，具有簡化工藝步驟的效果，可以降低工藝成本。

當然，也可以先通過一次構圖工藝形成氧化物有源層21，再通過一次構圖工藝形成第二導電層12，此時采用普通調掩模板進行曝光工藝，通過控制掩模板的形狀，可以控制形成的第二導電層12中第二信號線121的上表面的形狀。

本發明實施例提供一種陣列基板，如圖3所示，包括襯底10，在襯底10上依次設置的第一信號線111和第二信號線121，第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設置。

其中，如圖4所示，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于該邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。

需要說明的是，第一信號線111和第二信號線121依次設置在襯底10上，因此第二信號線121位于第一信號線111的上方，因此在第二信號線121與第一信號線111交疊處，第二信號線121存在爬坡現象。

基于此，本發明提供的上述陣列基板，包括交叉絕緣設置的第一信號線111和第二信號線121，其中，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。在形成有第一信號線111的襯底10上通過構圖工藝形成第二信號線121時，在第一信號線111的厚度不變的情況下，相對于邊緣e長度等于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離，在通過構圖工藝形成第二導電層12時，第二導電薄膜在爬坡處與第一導電層11的接觸面積會增加，從而使得在第二導電薄膜表面形成光刻膠35時，光刻膠35在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積增加，降低了爬坡處的光刻膠35產生空隙的幾率，進而可以降低在執行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導電薄膜中，造成形成的第二信號線121發生斷線的幾率。

在此基礎上，本發明對對上述邊緣e的形狀不做限定，只要滿足邊緣e的長度大于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離j。示例的，上述邊緣e可以如圖4所示，上述邊緣e可以為弧線，或者為折線。

在此基礎上，為了增加通過構圖工藝形成第二信號線121時，光刻膠35在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積，可選的，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e均為弧線。此時可以如圖5所示，兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同，當然兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向也可以不同。

進一步的，為了降低由于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較窄，導致第一信號線111斷線的幾率，優選的，第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同或相背。

在此基礎上，為了進一步增加光刻膠35在爬坡處與第二導電薄膜的接觸面積，可選的，如圖5所示，第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影重合區域的寬度w1，大于第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影未重合的區域的寬度w2。其中，第二信號線121的寬度是指：沿第一信號線111的延伸方向(如圖3所示的x方向)，第二信號線121的一端與另一端之間的直線距離。

在此情況下，當在第二導電薄膜的表面形成光刻膠35，在上述爬坡處，相對于第二信號線121中w1＝w2的情況，光刻膠35與第二導電薄膜的上表面的接觸面積進一步增大，這樣一來，可以進一步降低爬坡處的光刻膠35產生空隙的幾率。

此外，上述第一信號線111和第二信號線121通常采用銅/銅合金形成。由于銅的性質較為活潑，為了防止銅/銅合金被氧化，或擴散至有源層或其他膜層中，對其他膜層造成污染，可選的，第一信號線111和第二信號線121由依次設置的第一銅擴散阻擋層、銅/銅合金層、第二銅擴散阻擋層構成。

這樣一來，第一銅擴散阻擋層和第二銅擴散阻擋層可以防止銅擴散至其他膜層，例如有源層中，也可以防止在后續膜層的制作工藝中，銅/銅合金被氧化。

可選的，構成上述銅擴散阻擋層的材料包括鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅，鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅可以很好的防止銅/銅合金的擴散以及降低其被氧化的幾率。

此外，本發明對陣列基板的類型不做限定，例如，可以為底柵型陣列基板或者頂柵型陣列基板。在陣列基板中，形成有交叉設置的多條信號線，當陣列基板為底柵型時，示例的，如圖3所示，上述第一信號線111可以為柵線，或者為與柵線同層的公共線，第二信號線121為數據線；當陣列基板為頂柵型時，上述第一信號線111為數據線，第二信號線121為柵線，或者與柵線同層的公共線。

本發明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任一種陣列基板，上述顯示裝置具有與前述實施例提供的陣列基板相同的結構和有益效果，由于前述實施例已經對該陣列基板的結構和有益效果進行了詳細的描述，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。