技術(shù)特征：
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。外延片包括襯底、緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和P型氮化鎵層，多量子阱層包括多個(gè)量子阱和多個(gè)量子壘，多個(gè)量子阱和多個(gè)量子壘交替層疊設(shè)置，量子阱為銦鎵氮層，多量子阱層還包括至少一個(gè)石墨烯薄膜層，各個(gè)石墨烯薄膜層分別設(shè)置在兩個(gè)相鄰的量子阱和量子壘之間，當(dāng)石墨烯薄膜層的數(shù)量超過1個(gè)時(shí)，相鄰兩個(gè)石墨烯薄膜層之間設(shè)有至少一個(gè)量子阱或者至少一個(gè)量子壘。本發(fā)明可以提高量子阱中銦的有效摻雜，從而可以采用較高的溫度生長(zhǎng)量子阱，提高量子阱的生長(zhǎng)質(zhì)量，改善界面極化，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
技術(shù)研發(fā)人員：王群;郭炳磊;董彬忠;李鵬;王江波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.27
技術(shù)公布日：2017.09.05