本發明涉及顯示技術領域,特別涉及基板濕制程工藝方法和濕制程工藝裝置。
背景技術:
現有基板濕制程工藝方法利用的裝置,通常采用輸送帶上順序排列的滾輪(即roller)承載玻璃基板,完成基板在工序間的輸送。大量滾輪保養起來費時費力,任何一個單點故障都會對基板造成損害,形成劃痕或破片,造成蝕刻良品率降低。但是作為基礎設施的輸送帶成本昂貴,大規模定期更換滾輪消耗大量的維護成本。
技術實現要素:
有鑒于此,本發明實施例提供了基板濕制程工藝方法及濕制程工藝裝置,用于解決現有濕蝕刻過程中蝕刻良品率降低的技術問題。
本發明的基板濕制程工藝方法,包括:
設置載臺,通過所述載臺固定基板;
所述載臺沿周向軌跡移動,進行所述基板輸送;
沿所述周向軌跡外側設置處理設備;
在所述基板輸送過程中,所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備。
所述設置載臺,通過所述載臺固定基板包括:
所述載臺設置支撐架,形成承載所述基板的初始平面;所述載臺設置第一吸盤固定并支撐所述基板背面;
所述載臺在所述第一吸盤間設置第二吸盤固定并支撐基板背面;
所述支撐架、所述第一吸盤和所述第二吸盤交替支撐所述基板。
所述載臺沿一周向軌跡移動,進行所述基板輸送包括:
設置環形輸送帶,所述環形輸送帶沿周向形成輸送面;
所述環形輸送帶的所述輸送面上固定所述載臺;
所述載臺隨所述環形輸送帶受控轉動,形成所述載臺的所述周向軌跡。
所述沿所述周向軌跡外側設置處理設備包括:
在所述周向軌跡左側的工藝位設置蝕刻前清洗的所述處理設備,清洗所述基板正面;
在所述周向軌跡下方的工藝位設置蝕刻的所述處理設備和蝕刻后清洗第一過程的所述處理設備,蝕刻所述基板正面,清洗蝕刻藥液;
在所述周向軌跡右側的工藝位設置蝕刻后清洗第二過程的所述處理設備,干燥所述基板正面,局部清洗所述基板背面;
在所述周向軌跡上方的工藝位設置蝕刻后清洗第三過程的所述處理設備,清洗所述基板背面。
所述在所述基板輸送過程中,所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括:
所述周向軌跡左側的工藝位設置euv燈,所述euv燈的輻照方向朝向所述周向軌跡;
所述載臺受控調整所述基板正面朝向所述euv燈的輻照方向。
所述在所述基板輸送過程中,所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括:
所述周向軌跡下方的工藝位順序設置藥液液刀和第一清洗液刀,所述藥液液刀和所述第一清洗液刀的噴淋方向向上;
所述載臺受控調整所述基板正面向下,朝向所述藥液液刀和所述第一清洗液刀的噴淋方向。
所述在所述基板輸送過程中,所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括:
所述周向軌跡右側的工藝位沿周向軌跡設置外側的第一風刀、內側的第二清洗液刀和第二風刀,所述第一風刀的清洗方向朝向所述周向軌跡,所述第二清洗液刀和所述第二風刀的清洗方向背向所述周向軌跡;
所述載臺受控調整所述基板正面朝向所述第一風刀的清洗方向,所述基板背面朝向所述第二清洗液刀和所述第二風刀。
所述在所述基板輸送過程中,所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括:
在所述周向軌跡上方的工藝位順序設置水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置,所述水浮清洗裝置和所述氣浮清洗裝置的清洗方向向上;
所述載臺受控調整所述基板背面向下,朝向所述水浮清洗裝置和所述氣浮清洗裝置的清洗方向。
本發明的基板濕制程工藝裝置,包括:載臺、環形輸送帶和處理設備,載臺固定在環形輸送帶周向的輸送面上,隨環形輸送帶轉動,在環形輸送帶外側的工藝位設置處理設備。
還包括euv燈、藥液液刀、第一清洗液刀、第二清洗液刀、第一風刀、第二風刀、水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置,所述euv燈設置在所述環形輸送帶左側的工藝位,所述euv燈的輻照方向朝向環形輸送帶,所述藥液液刀和第一清洗液刀設置在環形輸送帶下方的工藝位,第一風刀設置在環形輸送帶右側的工藝位外側,第二清洗液刀和第二風刀設置在環形輸送帶右側的工藝位內側,所述第一風刀的噴射方向朝向環形輸送帶,所述第二清洗液刀和所述第二風刀的噴淋方向背向所述環形輸送帶,所述水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置設置在所述環形輸送帶上方的工藝位。
本發明的基板濕制程工藝方法及濕制程工藝裝置,通過環形輸送帶控制載臺沿周向軌跡移動的工藝節拍,節約了定期更換大量滾輪耗費的資源、人力和時間等維護成本。進一步改進了蝕刻工藝和清洗工藝方法,改變藥液和凈水流的噴射方向,有效控制了刻蝕速率和藥液帶出量,節約了成本的同時也有效的保證了蝕刻的質量。
附圖說明
圖1為本發明實施例基板濕制程工藝方法的流程圖。
圖2為本發明實施例基板濕制程工藝方法中載臺的設置流程圖。
圖3為本發明實施例基板濕制程工藝方法中周向軌跡的設置流程圖。
圖4為本發明實施例基板濕制程工藝方法中工藝方法的設置流程圖。
圖5為本發明實施例基板濕制程工藝方法中處理設備的設置流程圖。
圖6為本發明實施例基板濕制程工藝裝置的結構示意圖。
圖7為本發明實施例基板濕制程工藝裝置中載臺的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
圖紙中的步驟編號僅用于作為該步驟的附圖標記,不表示執行順序。
本發明實施例的基板濕制程工藝方法包括蝕刻前清洗、蝕刻和蝕刻后清洗等方法。
蝕刻前清洗包括以下方法中的一種或幾種:
紫外線照射,用于去除的油污等有機物。使用的處理設備包括uv燈和euv燈等紫外線照射設備。
水洗,用于生成高壓或空泡的去離子水或純水流體清除附著的顆粒。使用的處理設備包括毛刷、氣泡發生器、超聲發生器、液刀和高壓噴嘴等清洗設備。
蝕刻包括以下方法中的一種:
噴淋蝕刻,用于將化學藥液噴淋在基板表面的光刻膠圖案未掩蔽的金屬膜上,形成蝕刻圖案。使用的處理設備包括化學藥液箱、化學藥液輸送/回收管路和藥液噴嘴、噴淋液刀等噴淋設備。
浸潤蝕刻,用于將形成光刻膠圖案的基板表面浸入化學藥液,形成蝕刻圖案。使用的處理設備包括化學藥液箱、化學藥液輸送/回收管路和浸潤池等浸潤設備。
蝕刻后清洗包括以下方法中的一種或幾種:
水洗,用于生成高壓或空泡的去離子水或純水流體清除附著的化學藥液。使用的處理設備包括毛刷、氣泡發生器、超聲發生器、液刀和高壓噴嘴等清洗設備。
風洗,用于生成干燥氣體將基板附著的液體清除。使用的處理設備包括干燥風刀。
或
水浮,用于利用大量去離子水或純水緩慢清洗基板表面。使用的處理設備包括電解水浮池等清洗設備。
氣浮,用于利用干燥氣體干燥基板表面。使用的處理設備包括干燥風刀、微孔氣浮裝置等干燥設備。
圖1為本發明實施例中基板濕制程工藝方法的流程圖。圖6為本發明實施例基板濕制程工藝裝置的結構示意圖。如圖1和圖6所示,本發明實施例的基板濕制程工藝方法包括:
步驟100:設置載臺10,通過載臺10固定基板20;
步驟200:載臺10沿一周向軌跡30移動,進行基板20輸送;
步驟300:沿周向軌跡30外側設置(基板濕蝕刻過程的)處理設備40;
步驟400:在基板20輸送過程中,載臺10調整基板的朝向和/或高度配合處理設備40(的工況完成相應處理過程)。
本發明實施例的基板濕制程工藝方法,利用載臺的環形移動軌跡與各處理方法的處理設備布設位置相配合完成批量基板的濕制程工藝過程,徹底擺脫了基板輸送過程中滾輪對基板的不良影響。利用載臺形成沿周向軌跡的塊狀傳輸機制,結合周向方向上順序設置處理設備,為克服現有平面傳輸機制中重力對蝕刻的影響,為新的工藝方法過程提供了嶄新的結構基礎。
圖2為本發明實施例基板濕制程工藝方法中載臺的設置流程圖。圖7為本發明實施例基板濕制程工藝裝置中載臺的結構示意圖。如圖2和圖7所示,本發明實施例的基板濕制程工藝方法中步驟100包括:
步驟110:載臺10設置支撐架,形成承載基板20的初始平面;
步驟120:載臺10設置第一吸盤固定并支撐基板20背面;
步驟130:載臺10在第一吸盤間設置第二吸盤固定并支撐基板20背面;
步驟140:支撐架、第一吸盤和第二吸盤交替(以及固定)支撐基板20。
支撐架(即holder)在第一吸盤固定基板前作為基板的初始承載平面,在第一吸盤升起固定基板后支撐架下降脫離與基板的接觸,在第二吸盤升起固定基板后第一吸盤下降脫離與基板的接觸,支撐架、第一吸盤和第二吸盤交替固定支撐基板20。第一吸盤或第二吸盤在固定支撐基板20時隨著載臺10移動,隨載臺10角度的變化受控調整高度以保持基板20始終保持平面形狀。角度變換劇烈或受力較大時時采用較多的第一吸盤固定支撐,在角度變換平緩或受力較小時采用較少的第二吸盤固定支撐。
在載臺10沿周向軌跡30移動并通過第一吸盤固定基板時,通過第一吸盤受控改變高度調整基板高度及朝向并維持基板平整不變形。
在載臺10沿周向軌跡30移動并通過第二吸盤固定基板時,通過第二吸盤受控改變高度調整基板高度及朝向并維持基板平整不漂移。
本發明實施例的基板濕制程工藝方法,載臺10可以在針對不同加工工藝的處理設備時,適度調整基板高度和朝向,滿足工藝需要。
圖3為本發明實施例基板濕制程工藝方法中周向軌跡的設置流程圖。如圖3和圖6所示,本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中步驟200包括:
步驟210:設置環形輸送帶50,環形輸送帶50沿周向形成輸送面;
步驟220:環形輸送帶50的輸送面上固定載臺10;
步驟230:載臺10隨環形輸送帶50受控轉動(本實施例為逆時針轉動),形成載臺10的周向軌跡30。
本發明實施例的基板濕制程工藝方法,可以利用環形輸送帶50周向外側的空間合理設置基板濕制程工藝方法所需的處理設備,載臺10的周向軌跡30保持基板濕制程工藝方法的連貫性。
載臺10的周向軌跡30外側形成上、左、下、右四個順序參考方向,每個參考方向都包括用于設置處理設備的工藝位、進入參考方向的進入位和離開參考方向的轉移位。
在本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中環形輸送帶50的一部分輸送面相互平行且與水平面平行,例如環形輸送帶50的上部輸送面和下部輸送面,另一部分輸送面相互平行且與水平面垂直,例如環形輸送帶50的左側輸送面和右側輸送面。
圖4為本發明實施例基板濕制程工藝方法中工藝方法的設置流程圖。如圖4和圖6所示,本發明一實施例的基板濕制程工藝方法的設置包括:
步驟310:在周向軌跡30左側的工藝位設置蝕刻前清洗的處理設備40,清洗基板正面,完成蝕刻前清洗。相應的
步驟410:載臺10調整基板20的正面朝向蝕刻前清洗的處理設備40。
步驟320:在周向軌跡30下方的工藝位順序設置蝕刻的處理設備40和蝕刻后清洗第一過程的處理設備40,蝕刻基板正面,清除蝕刻藥液,完成蝕刻和蝕刻后清洗第一過程。相應的
步驟420:載臺10調整基板20的正面朝下,朝向蝕刻的處理設備40和蝕刻后清洗第一過程的處理設備40。
步驟330:在周向軌跡30右側的工藝位(包括位于基板正面的外側工藝位和位于基板背面的內側工藝位)設置蝕刻后清洗第二過程的處理設備40,干燥所述基板正面,局部清洗所述基板背面,完成蝕刻后清洗第二過程。相應的
步驟430:載臺10調整基板20的正面和背面朝向蝕刻后清洗第二過程的處理設備40。
步驟340:在周向軌跡30上方的工藝位設置蝕刻后清洗第三過程的處理設備,清洗所述基板背面,完成蝕刻后清洗第三過程。相應的
步驟440:載臺10調整基板20的背面朝下,朝向蝕刻后清洗第三過程的處理設備40。
本發明實施例的濕制程工藝,以周向軌跡30為基礎,蝕刻前清洗、蝕刻、蝕刻后清洗第一過程和蝕刻后清洗第二過程的處理設備與周向軌跡30左、下、右三個方向的重力特點適配配置,通過改進噴淋方向,改善蝕刻精度和清洗效率。結合周向軌跡30上方的蝕刻后清洗第三過程改進了傳統的基板濕制程工藝方法。
圖5為本發明實施例基板濕制程工藝方法中處理設備的設置流程圖。如圖5和圖6所示,本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中處理設備的設置包括:
步驟311:周向軌跡30左側的工藝位設置euv(即equivalentultraviolet)燈41,euv燈的輻照方向朝向周向軌跡30;相應的
步驟411:載臺10受控調整基板正面朝向euv燈的輻照方向。
本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中處理設備的設置包括:
步驟321:周向軌跡30下方的工藝位沿周向軌跡30順序設置藥液液刀42、可選的藥液回收裝置43、第一清洗液刀44和可選的清洗液回收裝置45,藥液液刀和第一清洗液刀的噴淋方向向上;相應的
步驟421:載臺10受控調整基板正面向下,朝向藥液液刀和第一清洗液刀的噴淋方向。
上述載臺10受控調整是指第一吸盤受控調整。
本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中處理設備的設置包括:
步驟331:周向軌跡30右側的工藝位沿周向軌跡30設置外側的第一風刀46、內側的第二清洗液刀47和第二風刀48,第一風刀的清洗方向朝向周向軌跡30,第二清洗液刀和第二風刀的清洗方向背向周向軌跡30;相應的
步驟431:載臺10受控調整基板正面朝向第一風刀的清洗方向,基板背面朝向第二清洗液刀和第二風刀。
第一風刀46用于將基板正面風干,第二風刀48與第二清洗液刀47配合,用于將第二清洗液刀47在基板背面局部清洗的區域風干,以利于第二吸盤在基板背面局部清洗區域可靠吸合固定基板。上述載臺10受控調整包括第一吸盤受控調整基板經受第一風刀、第二清洗液刀和第二風刀的清洗后,第二吸盤替換第一吸盤受控調整基板。
本發明一實施例的基板濕制程工藝方法中處理設備的設置包括:
步驟341:在周向軌跡30上方的工藝位沿周向軌跡30順序設置水浮清洗裝置49a和氣浮清洗裝置49b,水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置的清洗方向向上;相應的
步驟441:載臺10受控調整基板背面向下,朝向水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置的清洗方向。
經過水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置清洗后基板完成完整的基板濕制程工藝。
本發明實施例的基板濕制程工藝方法,在蝕刻過程中,基板的蝕刻圖案形成在基板的正面,基板的正面朝下,蝕刻的化學藥液向上配合噴淋并下落回收,利用重力可以抵消液體浸潤過度蝕刻現象,保證基板不會被過度蝕刻造成側面腐蝕(即sideetch),更有效地控制刻蝕速率和藥液帶出量,節約了成本的同時也有效地保證了蝕刻的質量。蝕刻前、后清洗過程的去離子水或純水流體的向上噴淋并下落回收,在有效清洗化學藥液的同時,利用重力可以抵消液體浸潤現象,加快流體回收。
圖6為本發明實施例基板濕制程工藝裝置的結構示意圖。如圖6所示,本發明實施例的基板濕制程工藝裝置包括:載臺10、環形輸送帶50和處理設備40,載臺10固定在環形輸送帶50周向的輸送面上,隨環形輸送帶50轉動,在環形輸送帶50外側設置處理設備40。
圖7為本發明實施例基板濕制程工藝裝置中載臺的結構示意圖。如圖7所示,載臺10頂部包括受控交替(固定)支撐基板的支撐架11、第一吸盤13和第二吸盤14。
第一吸盤13和第二吸盤14分別成組設置。第一吸盤13和第二吸盤14采用吸盤緩沖桿或吸盤伸縮桿,第一吸盤13和第二吸盤14受控調整高度。支撐架11為柵格狀平面結構,支撐架11上開設吸盤過孔12,支撐架11受控調整高度。
如圖6所示,環形輸送帶50圍成環形,環形外周為輸送面,輸送面沿固定方向周向輸送,本實施例中以逆時針轉動,形成載臺10的周向軌跡30。
如圖6所示,處理設備40設置在環形輸送帶50外側(即周向軌跡30外側),根據基板濕制程工藝方法的次序,沿周向軌跡30的起止方向在上、左、下、右順序設置工藝位,在工藝位設置相應工藝方法的處理設備40。
如圖6所示,本發明一實施例基板濕制程工藝裝置在環形輸送帶50左側的工藝位設置euv燈,euv燈的輻照方向朝向環形輸送帶50。
如圖6所示,本發明一實施例基板濕制程工藝裝置在環形輸送帶50下方的工藝位順序設置向上噴淋的藥液液刀和第一清洗液刀。
如圖6所示,本發明一實施例基板濕制程工藝裝置在環形輸送帶50右側的工藝位設置外側的第一風刀、內側的第二清洗液刀和第二風刀,第一風刀的噴射方向朝向環形輸送帶50,第二清洗液刀和第二風刀的噴淋方向背向環形輸送帶50。
如圖6所示,本發明一實施例基板濕制程工藝裝置在環形輸送帶50上方的工藝位順序設置向上溢流的水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置。
本發明實施例的基板濕制程工藝裝置利用環形輸送帶50形成載臺10的周向軌跡30,將平面布置的各工藝方法的處理設備40設置在周向軌跡30的外側,既節省占地面積充分利用了場地空間,又改變了蝕刻和清洗的處理設備的噴淋方向,改善了刻蝕速率、藥液帶出量和回收效率,形成了全新的裝置結構。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,并不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換等,均應包含在本發明的保護范圍之內。