復合封裝薄膜及其制備方法與流程

本發明涉及顯示器密封技術領域，尤其涉及一種用于oled器件的復合封裝薄膜及其制備方法。

背景技術：

由于oled對水汽和氧氣非常敏感，所以有效的封裝技術對oled器件的產業化發展尤為關鍵。薄膜封裝可以對剛性或柔性基板的oled器件進行封裝，從而使器件向更薄化方向發展，并可以實現柔性oled的可曲折性及可卷繞行的特性，為柔性顯示技術帶來突破性的進展。

在薄膜封裝技術中，采用原子層沉積(ald)可以制備出高密度、無針孔及均勻性好的薄膜，被認為是最有應用前景的薄膜封裝技術。但是單層al2o3薄膜是非晶態的，隨著薄膜厚度的增加很容易產生一些細小的裂紋，導致薄膜對h2o和o2的阻隔性變差，從而影響器件的性能。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題在于，提供一種克服單層薄膜由于厚度增加產生細小裂紋的復合封裝薄膜及其制備方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：提供一種復合封裝薄膜的制備方法，包括以下步驟：

s1、將待密封器件放置在反應腔體內；

s2、采用原子層沉積法在所述待密封器件的表面形成非晶態的第一氧化薄膜層；

s3、采用原子層沉積法在所述第一氧化薄膜層上形成非晶態的第二氧化薄膜層；

s4、依次重復上述步驟s2和s3多次，在所述待密封器件表面形成多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層；

多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合，形成復合封裝薄膜。

優選地，步驟s2中，所述反應腔體內的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar；

步驟s3中，所述反應腔體內的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar。

優選地，步驟s2包括：

s2.1、向所述反應腔體內通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮氣吹掃10s；

s2.2、通入水汽0.25s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-30nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優選地，步驟s3包括：

s3.1、向所述反應腔體內通入四氯化鈦0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

s3.2、通入水汽0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s3.1和s3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-50nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優選地，步驟s2包括：

s2.1、向所述反應腔體內通入四氯化鈦0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

s2.2、通入水汽0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-50nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優選地，步驟s3包括：

s3.1、向所述反應腔體內通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮氣吹掃10s；

s3.2、通入水汽0.25s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s3.1和s3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-30nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優選地，步驟s4中、依次重復上述步驟s2和s3八次，在所述待密封器件表面形成具有八層所述第一氧化薄膜層和八層所述第二氧化薄膜層的復合封裝薄膜。

優選地，所述待密封器件包括oled器件。

本發明還提供一種復合封裝薄膜，設置在待密封器件表面，所述復合封裝薄膜包括多層非晶態的第一氧化薄膜層和多層非晶態的第二氧化薄膜層，多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合。

優選地，所述第一氧化薄膜層和第二氧化薄膜層二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。

本發明的復合封裝薄膜，由兩種無機薄膜交替層疊構成，克服單層薄膜由于厚度增加產生細小裂紋的問題，具有更好的密封性，可作為oled器件的密封結構，延長oled器件的使用壽命。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中：

圖1是本發明制得的一實施例復合封裝薄膜的結構示意圖。

具體實施方式

為了對本發明的技術特征、目的和效果有更加清楚的理解，現對照附圖詳細說明本發明的具體實施方式。

參考圖1，本發明的復合封裝薄膜的制備方法，可包括以下步驟：

s1、將待密封器件10放置在反應腔體內。反應腔體為原子層沉積設備的反應腔體，內部溫度、壓力等可根據實際需求設置。

待密封器件10可包括oled器件。

s2、采用原子層沉積法在待密封器件10的表面形成非晶態的第一氧化薄膜層20。

在該步驟s2中，反應腔體內的溫度為50-100℃，可優選80℃；壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar，可優選2×10^-4mbar。

s3、采用原子層沉積法在第一氧化薄膜層20上形成非晶態的第二氧化薄膜層30。

在該步驟s3中，反應腔體內的溫度為50-100℃，可優選80℃；壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar，可優選2×10^-4mbar。

s4、依次重復上述步驟s2和s3多次，在待密封器件10表面形成多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30。重復次數根據所要設置的薄膜層數而定。

多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30交替疊合，形成復合封裝薄膜。

在第一種選擇性實施方式中，步驟s2可包括：

s2.1、向反應腔體內通入三甲基鋁0.25s(秒)，載氣量為50-300sccm，氮氣吹掃10s；

s2.2、通入水汽0.25s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件10的表面形成厚度為1-30nm的第一氧化薄膜層20；該第一氧化薄膜層20為氧化鋁薄膜層。

循環次數根據所要形成的第一氧化薄膜層20的厚度而定。例如，循環步驟s2.1和s2.2六十次，可在待密封器件10的表面形成一層厚度5nm的氧化鋁薄膜層(al2o3)。

步驟s3包括：

s3.1、向反應腔體內通入四氯化鈦0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

s3.2、通入水汽0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s3.1和s3.2多次，在第一氧化薄膜層20上形成厚度為1-50nm的第二氧化薄膜層30；該第二氧化薄膜層30為氧化鈦薄膜層。

循環次數根據所要形成的第二氧化薄膜層30的厚度而定。例如，循環步驟s3.1和s3.2一百次，可在第一氧化薄膜層20上形成一層厚度5nm的氧化鈦薄膜層(tio2)。

在第二種選擇性實施方式中，步驟s2可包括：

s2.1、向反應腔體內通入四氯化鈦0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

s2.2、通入水汽0.2s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s2.1和s2.2多次，在待密封器件10的表面形成厚度為1-50nm的第一氧化薄膜層20；該第一氧化薄膜層20為氧化鈦薄膜層。

步驟s3可包括：

s3.1、向反應腔體內通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮氣吹掃10s；

s3.2、通入水汽0.25s，氮氣吹掃10s，載氣量為50-300sccm；

循環步驟s3.1和s3.2多次，在第一氧化薄膜層20上形成厚度為1-30nm的第二氧化薄膜層30；該第二氧化薄膜層30為氧化鋁薄膜層。

該第二種實施方式與第一種實施方式的主要區別是：氧化鋁薄膜層和氧化鈦薄膜層位置互換，整體形成的復合封裝薄膜均為兩種薄膜層的交替層疊。

具體地，在一些實施例中，可依次重復上述步驟s2和s3八次，在待密封器件10表面形成交替層疊的八層第一氧化薄膜層20和八層第二氧化薄膜層30；八層第一氧化薄膜層20和八層第二氧化薄膜層30構成al2o3/tio2復合封裝薄膜。對于厚度分別為5nm的氧化鋁薄膜層和氧化鈦薄膜層，獲得的al2o3/tio2復合封裝薄膜厚度為80nm。

參考圖1，本發明的復合封裝薄膜，設置在待密封器件10表面，可通過上述的制備方法制得；待密封器件10oled器件，從而復合封裝薄膜可作為oled器件的密封結構，起到水氧阻隔作用。

該復合封裝薄膜包括多層非晶態的第一氧化薄膜層20和多層非晶態的第二氧化薄膜層30，多層第一氧化薄膜層20和多層第二氧化薄膜層30交替疊合。第一氧化薄膜層20和第二氧化薄膜層30二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。

本發明中，復合封裝薄膜的多層設置，可減少薄膜的氣孔率，提高薄膜連續性，降低薄膜應力。單層的氧化鋁薄膜層或者單層的氧化鈦薄膜層的水氧阻隔能力是有限的，通過兩者的交替層疊，借助氧化鈦薄膜層在疊層結構中的界面特性改性作用，提高水氧阻隔能力。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。