陣列基板及其制造方法與流程

本發明涉及顯示
技術領域：
，具體涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術：
：隨著科學技術的不斷進步，視覺資訊在人們的生活中的地位越來越重要，因而承載視覺資訊信息的平板顯示裝置也在人們生活中占據了越來越重要的地位。這些平板顯示裝置包括液晶(liquidcrystaldisplay，lcd)顯示裝置和有機發光二極管(organiclightemittingdiode，oled)顯示裝置。由于oled顯示裝置具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬等優點，且可實現大面積全色顯示，有望成為繼lcd顯示技術之后的下一代平板顯示技術，是平板顯示技術中倍受關注的技術之一。有源矩陣有機發光二極管(activematrixorganiclightemittingdiode，amoled)顯示裝置是oled顯示裝置的一種，主要由薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)和oled構成。目前，現有amoled背板制備中包括制備隔離柱工藝。經本申請發明人研究發現，在制備隔離柱過程中，容易出現像素限定區域存在有機膜殘留的問題，而像素限定區域的有機膜殘留會影響發光材料蒸鍍后的發光特性，甚至造成缺陷，在很大程度上降低了良品率。技術實現要素：本發明實施例所要解決的技術問題是，提供一種陣列基板及其制造方法，以克服現有制備方法中像素限定區域存在有機膜殘留的問題。為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括：基底；依次設置在基底上的平坦化層和像素定義層，所述平坦化層上設置有凸臺，所述像素定義層設置有開口，所述凸臺位于所述開口限定的區域內。可選地，還包括陽極和隔離柱，所述陽極設置在所述平坦化層的凸臺上，所述隔離柱設置在所述像素定義層上。可選地，所述像素定義層的上表面高于所述凸臺的上表面。可選地，所述凸臺的高度為1～3μm，所述像素定義層的厚度為1.4～3.6μm。可選地，所述像素定義層的上表面高于所述陽極的上表面。可選地，所述像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。為了解決上述技術問題，本發明實施例還提供了一種陣列基板的制造方法，包括：形成具有凸臺的平坦化層；形成像素定義層，所述像素定義層具有開口，所述凸臺位于所述開口限定的區域內。可選地，還包括形成陽極和隔離柱的步驟，所述陽極形成在所述平坦化層的凸臺上，所述隔離柱形成在所述像素定義層上。可選地，所述像素定義層的上表面高于所述凸臺的上表面。可選地，所述凸臺的高度為1～3μm，所述像素定義層的厚度為1.4～3.6μm。可選地，所述像素定義層的上表面高于所述陽極的上表面。可選地，所述像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。可選地，所述形成具有凸臺的平坦化層，包括：涂覆平坦化薄膜；采用半色調掩膜版對平坦化薄膜進行曝光并顯影，在過孔位置為完全曝光區域，形成平坦化過孔，在開口區域為未曝光區域，形成凸臺，其余位置為部分曝光區域，形成平坦化層。本發明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括前述的陣列基板。本發明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括前述的顯示面板。本發明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法，通過在平坦化層上設置凸臺，陽極設置在凸臺上，有效減小了像素定義層與陽極之間的段差，避免了制備隔離柱構圖工藝中造成像素限定區域的有機膜殘留，提高了陣列基板的發光特性和良品率。當然，實施本發明的任一產品或方法并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書實施例中闡述，并且，部分地從說明書實施例中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明實施例的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。附圖說明附圖用來提供對本發明技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發明的技術方案，并不構成對本發明技術方案的限制。附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本
發明內容。圖1為現有陣列基板的結構示意圖；圖2為本發明實施例陣列基板的結構示意圖；圖3為本發明實施例陣列基板的制備方法的流程圖；圖4為本發明第一實施例形成陣列結構層后的示意圖；圖5為本發明第一實施例涂覆平坦化薄膜后的示意圖；圖6為本發明第一實施例對平坦化薄膜進行曝光顯影后的示意圖；圖7為本發明第一實施例形成陽極后的示意圖；圖8為本發明第一實施例形成像素定義層后的示意圖；圖9為本發明第二實施例陣列基板的結構示意圖。附圖標記說明:10—基底；11—遮光層；12—緩沖層；13—有源層；14—柵絕緣層；15—柵電極；16—鈍化層；17—源漏電極；20—陣列結構層；30—平坦化層；31—凸臺；40—陽極；50—像素定義層；60—隔離柱；70—平坦化薄膜。具體實施方式下面結合附圖和實施例對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。圖1為現有陣列基板的結構示意圖。如圖1所示，現有陣列基板(也稱amoled背板)的主體結構包括：基底10，形成在基底10上的平坦化層(planarization，pln)30，形成在平坦化層30上的陽極40，形成在陽極40上的像素定義層(pixeldefinitionlayer，pdl)50，形成在像素定義層50上的隔離柱60。其中，像素定義層50設置有開口，開口區域也稱之為像素限定區域，用于將陽極露出來，以與oled材料相連接實現可發光功能。經本申請發明人研究發現，現有陣列基板制備隔離柱工藝過程中，出現像素限定區域存在有機膜殘留問題的主要原因，是由于像素限定區域存在較大的斷差d。如圖1所示，通常像素定義層的厚度為1～4μm，隔離柱的高度為1.5～3μm，使得在制備隔離柱的構圖工藝中，像素限定區域所涂覆的有機膜厚度高達2.5～7μm，而有機膜刻蝕量是根據隔離柱高度設置的，因而像素限定區域的有機膜不能完全刻蝕掉。也就是說，像素定義層與陽極之間較大的段差，導致了像素限定區域的有機膜殘留。研究表明，像素限定區域的有機膜殘留不僅影響發光材料蒸鍍后的發光特性，而且會造成陣列基板缺陷，在很大程度上降低了良品率。為了克服現有制備方法中像素限定區域存在有機膜殘留的問題，本申請實施例提供了一種陣列基板。圖2為本發明實施例陣列基板的結構示意圖。如圖2所示，陣列基板包括：基底10；設置在基底10上的平坦化層30，平坦化層30上設置有凸臺31；設置在平坦化層30的凸臺31上的陽極40；設置在陽極40上的像素定義層50，像素定義層50設置有開口，開口區域露出凸臺31上的陽極40；設置在像素定義層50上的隔離柱60。其中，像素定義層的上表面高于凸臺的上表面，凸臺的高度為1～3μm，像素定義層的厚度為1.4～3.6μm，凸臺位于像素定義層的開口所限定的區域內，使得像素定義層的上表面高于陽極的上表面，像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。本發明實施例的陣列基板，通過在平坦化層上設置凸臺，陽極設置在凸臺上，有效減小了像素定義層與陽極之間的段差。較小的段差，可以避免制備隔離柱構圖工藝中造成開口區域的有機膜殘留，提高了陣列基板的發光特性和良品率。在實際實施時，陣列基板還可以包括陣列結構層，陣列結構層設置在基底上，平坦化層設置在陣列結構層上。平坦化層、陽極、像素定義層和隔離柱等各膜層之間，也可以設置其它膜層，陽極既可以設置在平坦化層上，也可以設置在其它膜層上，本發明實施例不做具體限定。為了克服現有制備方法中開口區域存在有機膜殘留的問題，本申請實施例還提供了一種陣列基板的制備方法。圖3為本發明實施例陣列基板的制備方法的流程圖。如圖3所示，陣列基板的制備方法包括：s1、形成具有凸臺的平坦化層；s2、在平坦化層的凸臺上形成陽極；s3、形成像素定義層，像素定義層具有開口，開口區域露出凸臺上的陽極；s4、在像素定義層上形成隔離柱。其中，像素定義層的上表面高于凸臺的上表面，凸臺的高度為1～3μm，像素定義層的厚度為1.4～3.6μm，凸臺位于像素定義層的開口所限定的區域內，使得像素定義層的上表面高于陽極的上表面，像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。其中，步驟s1包括：涂覆平坦化薄膜；采用半色調掩膜版對平坦化薄膜進行階梯曝光并顯影，在過孔位置為完全曝光區域，形成平坦化過孔，在開口區域為未曝光區域，形成凸臺，其余位置為部分曝光區域，形成平坦化層。本發明實施例所提供的陣列基板的制備方法，通過在制備平坦化層時形成凸臺圖案，陽極形成在凸臺上，使得像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差僅為0.2～0.4μm。較小的段差，可以避免后續制備隔離柱構圖工藝中造成開口區域的有機膜殘留，提高了陣列基板的發光特性和良品率。在實際實施時，步驟s1之前還可以包括在基底上形成陣列結構層的步驟，之后進行在陣列結構層上形成平坦化層的步驟。步驟s1、s2、s3、s4之間，也可以形成其它膜層，形成陽極的步驟，也可以設置在其它步驟之間，本發明實施例不做具體限定。下面通過陣列基板的制備過程進一步說明本發明實施例的技術方案。第一實施例圖4～8為本發明第一實施例制備陣列基板的示意圖，本實施例陣列基板(amoled背板)為頂柵型結構。本實施例中所說的“構圖工藝”包括沉積膜層、涂覆光刻膠、掩模曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等處理，是現有成熟的制備工藝。沉積可采用濺射、蒸鍍、化學氣相沉積等已知工藝，涂覆可采用已知的涂覆工藝，刻蝕可采用已知的方法，在此不做具體的限定。本實施例頂柵型陣列基板的制備過程包括：首先，通過多次構圖工藝在基底10上形成陣列結構層20，如圖4所示。實際實施時，陣列結構層20包括設置遮光層11、緩沖層12、有源層13、柵絕緣層14、柵電極15、鈍化層16、源漏電極17，陣列結構層中的有源層13可以是低溫多晶硅(ltps)有源層，也可以是氧化物(oxide)有源層，氧化物可以是銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)或銦錫鋅氧化物(indiumtinzincoxide，itzo)，本實施例不做具體限定。隨后，在形成有陣列結構層的基底上，通過半色調掩膜的構圖工藝形成具有凸臺圖案的平坦化層，凸臺圖案位于開口區域。形成具有凸臺圖案的平坦化層包括：在陣列結構層上涂覆平坦化薄膜70，如圖5所示。其中，平坦化薄膜可以采用有機透明的樹脂類感光材料，厚度為2.5～5μm。采用半色調掩膜版對平坦化薄膜70進行階梯曝光并顯影，在陽極與源漏電極相接觸的過孔位置為完全曝光區域a，無平坦化薄膜，形成平坦化過孔，在開口區域為未曝光區域b，具有第一厚度的平坦化薄膜，形成凸臺31，其余位置為部分曝光區域c，具有第二厚度的平坦化薄膜，形成平坦化層30，第一厚度大于第二厚度，如圖6所示。優選地，第二厚度為1.5～2μm，凸臺圖案所在位置的厚度為2.5～5μm，凸臺圖案所在位置的平坦化薄膜厚度比其它位置的平坦化層的厚度大1～3μm，即凸臺圖案的高度h為1～3μm。之后，在形成有平坦化層的基底上，通過構圖工藝形成陽極。形成陽極包括：在平坦化層上沉積一層透明導電薄膜，在透明導電薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調掩膜版對光刻膠進行曝光顯影，在陽極位置形成未曝光區域，具有光刻膠，在其余位置形成完全曝光區域，無光刻膠，對完全曝光區域的透明導電薄膜進行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成陽極40圖案，陽極40位于在凸臺31上，陽極40通過平坦化過孔與源漏電極17中的漏電極連接，如圖7所示。其中，透明導電薄膜可以采用氧化銦錫ito，氧化銦鋅izo，或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫ito/ag/ito復合膜，厚度為0.1～0.4μm。最后，在形成前述圖案的基底上，通過構圖工藝形成像素定義層。形成像素定義層包括：在形成前述圖案的基底上，涂覆一層像素界定薄膜，采用單色調掩膜版對像素界定薄膜進行曝光顯影，形成像素定義層50圖案，像素定義層50用于界定多個像素區域，具有開口，開口露出凸臺31上的陽極40，如圖8所示。其中，像素界定薄膜可以采用聚酰亞胺或亞克力或聚對苯二甲酸乙二醇酯，厚度為1.4～3.6μm。在實際制備時，像素界定薄膜的厚度可以根據凸臺圖案的高度設置，使像素定義層的厚度大于凸臺高度0.4～0.6μm即可，最終使像素定義層的上表面高于凸臺的上表面，像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差d為0.2～0.4μm。實際實施時，還可以包括在像素定義層形成隔離柱的步驟。通過上述工藝流程可以看出，本實施例通過半色調掩膜構圖工藝形成平坦化層的凸臺圖案，使得像素定義層與陽極之間的段差僅為0.2～0.4μm。較小的段差，可以使得后續制備隔離柱的構圖工藝中，開口區域的有機膜能夠被完全刻蝕掉，不會出現開口區域的有機膜殘留，克服了現有陣列基板制備隔離柱工藝過程中出現開口區域有機膜殘留的問題，提高了陣列基板的發光特性和良品率。此外，與現有制備工藝相比，本實施例僅將現有制備平坦化層的普通掩膜構圖工藝調整為半色調掩膜構圖工藝，對現有制備工藝改動很小。實際實施時，制備陣列結構層可以采用現有制備工藝，例如，通過第一次構圖工藝在基底上形成遮光層11；通過第二次構圖工藝形成緩沖層12和有源層13；通過第三次構圖工藝形成柵絕緣層14和柵電極15；通過第四次構圖工藝形成鈍化層16及其上的過孔；通過第五次構圖工藝形成源漏電極17。基于本實施例的發明構思，本實施例提供了一種頂柵型陣列基板。如圖8所示，本實施例頂柵型陣列基板包括：基底10；設置在基底10上的遮光層11；覆蓋遮光層11的緩沖層12；設置在緩沖層12上的有源層13；設置在有源層13上的柵絕緣層14和柵電極15；覆蓋柵絕緣層14和柵電極15的鈍化層16；設置在鈍化層16上的源漏電極17；覆蓋源漏電極17的平坦化層30，平坦化層在開口區域設置有凸臺31，凸臺31的高度為1～3μm；設置在平坦化層30的凸臺31上的陽極40，陽極40通過平坦化過孔與源漏電極17中的漏電極連接；設置在陽極40上的像素定義層50，像素定義層50具有開口，凸臺位于開口限定的區域內，開口露出陽極40，且像素定義層的上表面高于陽極的上表面，像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。其中，平坦化層的凸臺通過一次半色調掩膜構圖工藝形成，像素定義層上還設置有隔離柱。有源層可以是低溫多晶硅有源層，也可以是氧化物有源層。第二實施例圖9為本發明第二實施例陣列基板的結構示意圖，本實施例陣列基板為底柵型結構。本實施例底柵型陣列基板的制備過程包括：首先，通過多次構圖工藝在基底10上形成陣列結構層，陣列結構層包括設置柵電極15、柵絕緣層14、有源層13和源漏電極17。陣列結構層中的有源層13可以是ltps有源層，也可以是oxide有源層，氧化物可以是igzo或itzo，本實施例不做具體限定。隨后，在形成有陣列結構層的基底上，通過半色調掩膜的構圖工藝形成具有凸臺圖案的平坦化層，凸臺位于開口區域。本實施例中，形成具有凸臺圖案的平坦化層的過程與第一實施例相同。之后，在制備有平坦化層的基底上，通過構圖工藝形成陽極。本實施例中，形成陽極的過程與第一實施例相同。最后，在形成前述圖案的基底上，通過構圖工藝形成像素定義層。本實施例中，形成像素定義層的過程與第一實施例相同。實際實施時，還可以包括在像素定義層上形成隔離柱的步驟。實際實施時，制備陣列結構層可以采用現有制備工藝，例如，通過第一次構圖工藝在基底上形成柵電極15；通過第二次構圖工藝形成柵絕緣層14和有源層13；通過第三次構圖工藝形成源漏電極17。本實施例中，各膜層的材料和厚度參數等與第一實施例相同。本實施例底柵型陣列基板包括：基底10；設置在基底10上的柵電極15；覆蓋柵電極15的柵絕緣層14；設置在柵絕緣層14上的有源層13；設置在有源層13上上的源漏電極17；覆蓋源漏電極17的平坦化層30，平坦化層在開口區域設置有凸臺31，凸臺圖案的高度為1～3μm；設置在平坦化層30的凸臺31上的陽極40，陽極40通過平坦化過孔與源漏電極17中的漏電極連接；設置在平坦化層30上的像素定義層50，像素定義層50具有開口，凸臺位于開口限定的區域內，開口露出陽極40，且像素定義層的上表面高于陽極的上表面，像素定義層的上表面與陽極的上表面之間的高度差為0.2～0.4μm。其中，平坦化層的凸臺圖案通過一次半色調掩膜構圖工藝形成，像素定義層上還設置有隔離柱。有源層可以是低溫多晶硅有源層，也可以是氧化物有源層。第三實施例本發明實施例還提供了一種顯示面板，顯示面板包括前述實施例的陣列基板。顯示面板可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。本發明實施例還提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括前述的顯示面板。在本發明實施例的描述中，需要理解的是，術語“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。在本發明實施例的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。雖然本發明所揭露的實施方式如上，但所述的內容僅為便于理解本發明而采用的實施方式，并非用以限定本發明。任何本發明所屬領域內的技術人員，在不脫離本發明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細節上進行任何的修改與變化，但本發明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。當前第1頁12