一種OLED顯示基板及OLED顯示裝置的制作方法

本發明涉及顯示裝置領域，特別涉及一種oled顯示基板及oled顯示裝置。

背景技術：

目前常見的顯示裝置有被動發光顯示裝置(如液晶顯示裝置)和主動發光顯示裝置(如oled(organiclightemittingdiode，有機發光二極管)顯示裝置)，由于主動發光顯示裝置不需要設置背光板，相比被動發光顯示裝置具有厚度小，功耗低，響應速度快等優勢，因此主動發光顯示裝置具有更大的市場競爭力。

在oled顯示裝置中，通常包括陣列布置的多個像素，每一個像素都包括并排布置的三個子像素，三個子像素分別發出不同顏色的光，通過控制同一個像素中的三個子像素的發光亮度，就可以使像素顯示出不同的顏色。通常，三個子像素中的一個子像素用于發射紅光，一個子像素用于發射藍光，另一個用于發射綠光。每個子像素均包括陽極、發光層和陰極。陽極提供的空穴和陰極提供的電子在發光層形成激子，當激子落入基態時發出預定波長的光。根據發光層的材料特性的不同，可以形成紅光、綠光和藍光。

但是，由于每個子像素都需要獨立驅動，所以需要設置像素定義層等隔離結構和tft陣列等驅動結構，這導致開口率較低。

技術實現要素：

為了解決現有的oled顯示基板的開口率較低的問題，本發明實施例提供了一種oled顯示基板及oled顯示裝置。所述技術方案如下：

一方面，本發明實施例提供了一種oled顯示基板，所述oled顯示基板包括陣列布置的多個像素，每個像素包括兩個子像素，所述兩個子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括堆疊設置的第一發光單元和第二發光單元，所述第二子像素包括第三發光單元，所述第一發光單元、所述第二發光單元和第三發光單元用于發射不同顏色的光。

在一種實施方式中，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的一個用于發射紅光，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的另一個用于發射藍光，所述第三發光單元用于發射綠光。

優選地，所述第一子像素的發光面積大于所述第二子像素的發光面積。。

在另一種實施方式中，所述第二子像素還包括第四發光單元，所述第四發光單元與所述第三發光單元堆疊設置，所述第四發光單元用于發射的光的顏色與所述第一發光單元、所述第二發光單元以及所述第三發光單元中任意一個發射的光的顏色相同，或者所述第四發光單元用于發射的光的顏色與所述第一發光單元、所述第二發光單元以及所述第三發光單元中任意一個發射的光的顏色均不相同。

可選地，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的一個用于發射紅光，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的另一個用于發射藍光，所述第三發光單元和所述第四發光單元中的一個用于發射綠光，所述第三發光單元和所述第四發光單元中的另一個用于發射藍光。

可選地，所述第一發光單元用于發射紅光，所述第二發光單元和所述第四發光單元用于發射藍光，所述第三發光單元用于發射綠光，且所述第二發光單元和所述第四發光單元位于所述第一發光單元和所述第三發光單元的同側。

可選地，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的一個用于發射紅光，所述第一發光單元和所述第二發光單元中的另一個用于發射綠光，所述第三發光單元用于發射藍光。

在一種實施方式中，所述第一發光單元包括依次堆疊的第一陽極、第一發光層和第一陰極，所述第二發光單元包括依次堆疊在所述第一陰極上的第二陽極、第二發光層和第二陰極。

進一步地，任意一個第一子像素中，所述第二陽極和所述第一陰極與同一薄膜晶體管連接，所述第一陽極和所述第二陰極與同一信號線連接。

更進一步地，所述信號線用于輸入交流信號，所述交流信號的頻率不小于30hz。

可選地，所述第一陽極采用ag制成，所述第二陰極采用au制成。

可選地，所述第一陽極的厚度為2～5nm，所述第二陰極的厚度為5～10nm。

另一方面，本發明實施例還提供了一種oled顯示裝置，所述顯示裝置包括前述任一種oled顯示基板。

本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：一方面，在相同的分辨率的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例提供的一種oled顯示基板的結構示意圖；

圖2a是圖1中的oled顯示基板的一個像素的一個實施例的放大結構示意圖；

圖2b是圖2a中的像素的層級結構示意圖；

圖2c是傳統的oled顯示基板的一個像素的結構示意圖；

圖3是本發明實施例提供的第一子像素的截面結構示意圖；

圖4a-4e顯示了本發明實施例提供一個像素的不同的驅動信號的波形示意圖；

圖5a-5e顯示了圖2a-2b中的第一子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發光的光譜圖；

圖6a-6e顯示了圖2a-2b中的第二子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發光的光譜圖；

圖7a是本發明實施例提供的一個像素的另一實施例的放大結構示意圖；

圖7b是圖7a中的像素的層級結構示意圖；

圖8是本發明實施例提供的一個像素的又一實施例的放大結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1是本發明實施例提供的一種oled顯示基板的結構示意圖，如圖1所示，oled顯示基板100包括陣列布置的多個像素200，每個像素200均包括二個子像素，這兩個子像素分別為第一子像素210和第二子像素220。

圖2a是圖1中的oled顯示基板的一個像素的一個實施例的放大結構示意圖，圖2b是圖2a的層級結構示意圖。如圖2a和圖2b所示，第一子像素210包括堆疊設置的第一發光單元211和第二發光單元212，第二子像素220包括堆疊設置的第三發光單元213和第四發光單元214。其中，第一發光單元211、第二發光單元212和第三發光單元213用于發射不同顏色的光，第四發光單元214發射的光的顏色可以與第一至第三發光單元中任意一個發射的光的顏色相同。也就是說，在本實施例中，每個像素200中設有四個發光單元，這四個發光單元兩兩堆疊設置。

如圖2a所示，本發明實施例的像素區域(如圖1和圖2a中的虛線框所示)呈矩形，且長度為l，寬度為p，第一子像素的發光區域也為矩形，長度為l1，寬度為p1，第二子像素的發光區域也為矩形，長度為l2，寬度為p2，該像素的開口率為(p1+p2)*l1/(p*l)。

圖2c是傳統的oled顯示基板的一個像素的結構示意圖。如圖2c所示，現有的oled顯示基板包括三個子像素，該像素區域與圖2a所示的像素區域的形狀和大小均相同，即形狀為矩形，長度為l，寬度為p。其中，三個子像素的發光區域均為矩形，且長度均為l1，從左到右，三個子像素的寬度分別為p3、p4、p5，該像素的開口率為(p3+p4+p5)*l1/(p*l)。在相鄰子像素之間的間距為定值的情況下，p1+p2＞p3+p4+p5，因此，圖2a所示像素的開口率大于圖2c所示的像素的開口率。

可見，在相同的分辨率(即每個像素的大小相等)的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

在圖2a和圖2b所示實施例中，第一發光單元211用于發射綠光，第二發光單元212用于發射藍光，第三發光單元213用于發射紅光，第四發光單元214用于發射藍光。這些發光單元(包括第一發光單元211、第二發光單元212、第三發光單元213和第四發光單元214)均設置在基板300上。

需要說明的是，在其他實施例中，第四發光單元214也可以用于發射紅光或綠光。在另外一些實施例中，第四發光單元還可以用于發射黃光等不同于第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元所發射的光的顏色的光。

在圖2a和圖2b所示實施例中，第二發光單元212位于第一發光單元211下方，第四發光單元214位于第三發光單元213的下方。圖2a中帶括號的顏色表示位于下方(離基板300較遠的方向)的發光單元的發光顏色，未帶括號的顏色表示位于上方(離基板300較近的方向)的發光單元的發光顏色。

需要說明的是，在其他實施例中，也可以調換其中一對或者兩對的上下位置，例如，將第一發光單元211設置在第二發光單元212下方、或者將第三發光單元213設置在第四發光單元214下方、或者兩對同時調換。為了便于制作，優選將發出相同顏色的光的發光單元設置在一層，即同時設置在上方或者同時設置在下方。

在本發明實施例中，每個發光單元均包括依次堆疊設置的陽極、發光層和陰極。具體地，如圖2b所示，第一發光單元211包括依次堆疊在第二發光單元212上的第一陽極2111、第一發光層2113和第一陰極2115，第二發光單元212包括依次堆疊在基板300上的第二陽極2121、第二發光層2123和第二陰極2125。

其中，基板300可以為襯底基板(可以采用玻璃、聚合物、金屬箔等制成)，也可以為tft陣列基板(即陣列布置有多個tft的襯底基板)，tft陣列基板包括陣列布置的多個tft，每個子像素均包括一個tft，用于控制所屬子像素內的發光單元發光。

第二陽極2121可以采用氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)薄膜、氧化銦鋅(indiumzinkoxide，izo)薄膜或者其他透明的導電材料形成，優選功函數大于4.0ev的導電材料。第一陽極2111可以采用功函數大于4.0ev的材料制成，例如au等。第二陰極2125可以采用金屬、或者合金制成，例如：ag、mg:ag、al等，優選功函數小于4.0ev的導電材料。第一陰極2115可以采用功函數小于4.0ev的導電材料制成，例如al等。實現時，可以采用濺射、蒸鍍等方式形成導電材料層，然后通過構圖工藝形成前述陽極或陰極。

第二發光層2123可以采用有機材料發光層(用于發射藍光的熒光有機材料)或者基于量子點的發光層。第一發光層2113可以采用有機材料發光層(用于發射綠光的磷光有機材料)或者基于量子點的發光層。實現時，發光層可以通過打印的方式形成或者通過沉積配合構圖工藝形成。

進一步地，當第一陽極2111采用ag制成而第二陰極2125采用au制成時，較薄的au層作為潤濕層，可以保證其上形成的ag層可以以較低的厚度連續成膜，在這種情況下，第一陽極2111的厚度可以為2～5nm，第二陰極2125的厚度可以為5～10nm。這樣，將第一陽極2111和第二陰極2125的厚度設置地較薄，使得其呈半透明狀態，減少其對發光單元的發光性能的影響；同時該厚度范圍可以保證第一陽極2111和第二陰極2125可以連續成膜。若采用其他材料形成第一陽極2111和第二陰極2125，則兩者的厚度均為10nm～20nm，透光效果將有所下降。

第一陰極2115的厚度可以為100～200nm。由于第一陰極2115通常采用金屬制成，該厚度可以起到反光的作用，以進一步提高出光效率。可選地，第二陽極2121的厚度可以為5～5000nm，第一發光層2113的厚度可以為5-200nm，第二發光層2123的厚度可以為5-200nm。

第二陽極2121和第一陰極2115在顯示裝置內部連接，可以與一個外部走線(即信號線)連接，在施加電壓時，處于相同的電位。第一陽極2111和第二陰極2125直接堆疊，形成獨立的對電極。第二陽極2121和對電極之間的電壓以及第一陰極2115和對電極之間的電壓控制第一子像素210中的第一發光單元211或者第二發光單元212發光。具體地，當第二陽極2121和第一陰極2115相對于對電極接入正電壓時，我們可以看到第二發光單元212在正偏壓作用下發出藍光，而第二發光單元212受到反向偏壓不發光。當第二陽極2121和第一陰極2115相對于對電極接入負電壓時，第一發光單元211受到正向偏壓發出綠光，而第二發光單元212不發光。

第一發光單元211還可以包括其他層結構，例如，如圖2b所示，第一發光單元211還包括空穴注入層(holeinjectionlayer，hil)2112、空穴傳輸層(holetransportinglayer，htl)2114、電子傳輸層(electrontransportinglayer，etl)2116和電子注入層(electroninjectionlayer，eil)2118。同樣的，第二發光單元212也可以包括其他層結構，例如，如圖2b所示，第二發光單元212還包括hil2122、htl2124、etl2126和eil2128等其他層結構。

其中，hil2112、2122可以采用有機(例如lg-101及其類似物、p型摻雜的有機空穴傳輸材料等)或無機材料(例如氧化鉬、氧化釩等)制成。htl2114、2124可以采用tpd、cbp、npd、聚苯胺、npb等材料制成。etl2116、2126可以采用有機材料、n型摻雜材料、無機納米粒子等材料制成。eil2118、2128可以采用氟化鋰、鋰喹啉(lithiumquinolate)等材料制成。實現時，hil、htl、etl、eil均可以通過打印的方式形成或者通過沉積配合構圖工藝形成。

可選地，hil2112、2122的厚度均可以為5～200nm；htl2114、2124的厚度均可以為5～200nm；etl2116、2126的厚度均可以為5～200nm；eil2118、2128的厚度均可以為0.2～50nm。

堆疊設置的第三發光單元213和第四發光單元214的層級結構與第一發光單元211和第二發光單元212的層級結構相同，包括依次層疊設置在基板300上的第二陽極2141、hil2142、htl2144、第二發光層2143、etl2146、eil2148、第二陰極2145、第一陽極2131、hil2132、htl2134、第一發光層2133、etl2136、eil2138和第一陰極2135。各層的材料和厚度可以參見第一發光單元211和第二發光單元212的相關描述，在此省略詳細描述。值得注意的是，第三發光層2133用于發出紅光，可以采用磷光有機材料或者基于量子點的發光層。

圖3是本發明實施例提供的第一子像素的截面結構示意圖。如圖3所示，襯底基板50上設有用于控制第一子像素210中的發光單元(包括第一發光單元211和第二發光單元212)發光的薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括設置在襯底基板50上的緩沖層51、設置在緩沖層51上的具有預定圖案的有源層52、設置在有源層52上的柵絕緣層53、設置在柵絕緣層53的預定區域上的柵極54、設置在柵極54上的中間絕緣層55、以及形成在中間絕緣層55上的源極56和漏極57。該源極56和漏極57分別與有源層52的源極區域52b和漏極區域52c通過過孔連接。其中，襯底基板50可以為玻璃或塑料基板。

此外，該薄膜晶體管還包括設置在源極56和漏極57上的鈍化層58和設置在鈍化層上的平坦化層59。鈍化層58可以采用二氧化硅或者氮化硅制成。平坦化層59可以采用有機物質制成，例如壓克力材料、聚酰亞胺或苯并環丁烯(bcb)等制成。

前述第一子像素210的發光單元設置在平坦化層59上。具體地，為了便于描述，在圖3中，僅示出了第一子像素210中第一陽極2111、第一發光層2113、第二發光層2123和第二陰極2125，并且還示出了一個中間電極60，該中間電極60由前述第一陽極2111和第二陰極2125堆疊而成。

如圖3所示，中間電極60通過過孔61與tft的源極57連接。第二陽極2121和第一陰極2115通過過孔62連接，從而可以通過同一信號線(圖未示)與驅動集成電路(ic)連接。實現時，中間電極60為塊狀電極，各子像素內的中間電極獨立設置，而第二陽極2121為面電極，各子像素的第二陽極2121相互連接。

該信號線用于輸入交流信號，所述交流信號的頻率不小于30hz，優選不小于50hz，更優選為100～120hz，以使得人眼不會感覺到發光單元的閃爍，并且通過設置該頻率，雖然第一發光單元和第二發光單元實際上沒有同時發光，但是人眼看到的是兩個發光單元同時發光。需要說明的是，在本發明實施例中，交流信號為交替提供正電壓和負電壓的信號，并且，正電壓和負電壓的交替頻率、幅度、以及正電壓的持續時間、負電壓的持續時間均可以根據實際需要設置。該交流信號優選采用方波信號，以便于實現。并且，本實施例中的正電壓和負電壓均可以等于0。采用交流信號驅動發光單元發光，正電壓和負電壓可以交替作用在同一發光單元上，可以減小發光單元的發光層中的電荷積聚，從而可以延長其使用壽命。

需要說明的是，圖3所示的tft與發光單元的位置關系僅為示例，在具體實現時，tft可以設置在發光單元的正下方。

圖4a-4e顯示了本發明實施例提供一個像素的不同的驅動信號的波形示意圖，其中所示驅動信號(即前述交流信號)均為方波信號，該驅動信號分為多個周期，每個周期均包括正半周期和負半周期，圖4a-圖4e中的多個驅動信號的區別在于正半周期和負半周期的電壓的幅度不同。在圖4a-4e中，橫坐標表示時間，單位為μs；縱坐標為相對強度，故未顯示具體的單位量級。圖5a-5e顯示了圖2a-2b中的第一子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發光的光譜圖，其中，橫坐標表示波長，單位為nm；縱坐標表示相對強度，故未顯示具體的單位量級。圖6a-6e顯示了圖2a-2b中的第二子像素在圖4a-4e所示的驅動信號的驅動下發光的光譜圖，其中，橫坐標表示波長，單位為nm；縱坐標表示相對強度，故未顯示具體的單位量級。下面按照其對應關系分別說明各驅動信號下子像素的發光情況。

在圖4a所示驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓為0。如圖5a所示，在圖4a所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發光單元212在1正電壓的作用下發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發光單元211不發光，在0負電壓的作用下，第一發光單元211和第二發光單元212均不發光。如圖6a所示，在圖4a所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發光單元214在1正電壓的作用下也發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發光單元213不發光；在0負電壓的作用下，第三發光單元213和第四發光單元214均不發光。

在圖4b所示的驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓為0.5。如圖5b所示，在圖4b所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發光單元212在1正電壓的作用下發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發光單元211不發光，在0.5負電壓的作用下，第一發光單元211發出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發光單元212不發光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度大(即電壓值高)，所以第二發光單元212發出的藍光的亮度比第一發光單元211發出的綠光的亮度高。如圖6b所示，在圖4b所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發光單元214在1正電壓的作用下也發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發光單元213不發光；在0.5負電壓的作用下，第三發光單元213發出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發光單元214不發光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度大(即電壓值高)，所以第四發光單元214發出的藍光的亮度比第三發光單元213發出的紅光的亮度高。

在圖4c所示的驅動信號中，正電壓的幅度為1，負電壓的幅度為1。如圖5c所示，在圖4c所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發光單元212在1正電壓的作用下發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發光單元211不發光，在1負電壓的作用下，第一發光單元211發出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發光單元212不發光。并且，由于正電壓與負電壓的幅度相等(即電壓值相等)，所以第二發光單元212發出的藍光的亮度于第一發光單元211發出的綠光的亮度相當。如圖6c所示，在圖4c所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發光單元214在1正電壓的作用下也發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發光單元213不發光；在1負電壓的作用下，第三發光單元213發出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發光單元214不發光。并且，由于正電壓與負電壓的幅度相等，所以第四發光單元214發出的藍光的亮度與第三發光單元213發出的紅光的亮度相當。

在圖4d所示的驅動信號中，正電壓的幅度為0.5，負電壓為1。如圖5d所示，在圖4d所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發光單元212在0.5正電壓的作用下發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，第一發光單元211不發光，在1負電壓的作用下，第一發光單元211發出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發光單元212不發光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度小，所以第二發光單元212發出的藍光的亮度小于第一發光單元211發出的綠光的亮度。如圖6d所示，在圖4d所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第四發光單元214在1正電壓的作用下也發出波長為400nm～500nm的光，即藍光，而第三發光單元213不發光；在1負電壓的作用下，第三發光單元213發出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發光單元214不發光。并且，由于正電壓比負電壓的幅度小，所以第四發光單元214發出的藍光的亮度小于第三發光單元213發出的紅光的亮度。

在圖4e所示的驅動信號中，正電壓的幅度為0，負電壓為1。如圖5e所示，在圖4e所示的驅動信號的作用下，第一子像素210中的第二發光單元212在0正電壓的作用下，第一發光單元211和第二發光單元212均不發光，在1負電壓的作用下，第一發光單元211發出波長為500nm～580nm的光，即綠光，第二發光單元212不發光。如圖6e所示，在圖4e所示的驅動信號的作用下，第二子像素220中的第三發光單元213和第四發光單元214在0正電壓的作用下均不發光；在1負電壓的作用下，第三發光單元213發出波長為580nm～700nm的光，即紅光，第四發光單元214不發光。

需要說明的是，在另一些實施例中，還可以采用以下方式布置第一子像素210和第二子像素220，第一發光單元211和第二發光單元212中的一個發射紅光，另一個發射綠光；第三發光單元211和第四發光單元211均用于發射藍光。由于用于發射綠光和紅光的發光層可以采用發光效率較高的磷光有機發光材料，而用于發射藍光的發光層采用發光效率較低的熒光發光材料，所以可以將用于發射綠光和用于發射紅光的發光單元設置在同一子像素中，而將用于發射藍光的兩個發光單元設置在同一子像素中，從而可以將用于發射藍光的兩個發光單元所屬的子像素的面積設置得較大，進而避免兩個子像素發出的光的亮度的差距過大，提高顯示面板的顯示效果；或者，可以將屬于一個子像素的用于發射藍光的兩個發光單元設置為在同一驅動信號下同時發光，從而可以在相同的發光面積的情況下增大藍光的亮度，以提高顯示面板的顯示效果。進一步地，將兩個發光單元設置為在同一驅動信號下同時發光時，兩個發光單元的層級結構可以包括依次堆疊的第一陽極、第一發光層、公共陰極、第二發光層和第二陽極，第一陽極和第二陽極與電源的一端連接，公共陰極與電源的另一端連接。

圖7a為圖1中的oled顯示基板的一個像素的又一實施例的放大結構示意圖。圖7b為圖7a所示像素的層級結構示意圖。如圖7a和圖7b所示，該像素200包括兩個子像素，分別為第一子像素710和第二子像素720。第一子像素710包括堆疊設置的第一發光單元711和第二發光單元712，第二子像素720包括第三發光單元713。其中，第一發光單元711用于發射藍光，第二發光單元712用于發射紅光，第三發光單元713用于發射綠光。

在該實施例中，將發射綠光的第三發光單元獨立設置，從而可以根據實際需要設置第二子像素的大小，以提高oled顯示面板的亮度的均勻性。

具體地，由于目前發射綠光的發光單元的發光效率較高，在相同的發光面積下，綠光的亮度大于藍光和紅光的亮度，所以可以將第二子像素的發光面積設置為大于第一子像素的發光面積，即將綠光對應的子像素的發光面積設置得較小，而將紅光和藍光對應的子像素的面積設置得較大(圖中未示出)，從而可以使得單位時間內，第一子像素發光的亮度和第二子像素發光的亮度相當，提高oled顯示基板的亮度的均勻度。

圖7b中的第一發光單元711、第二發光單元712的層級結構和圖2b所示實施例中的第一發光單元211和第二發光單元212的層級結構相同，區別僅在于圖7b中的各發光單元中的發光層需要采用所發出的顏色對應的材料制成，其他各層的材料和厚度可以參見第一發光單元211和第二發光單元212的相關描述，故在此省略。

參見圖7b，第三發光單元713包括依次層疊設置在基板300上的陽極7131、hil7132、htl7134、發光層7133、etl7136、eil7138和陰極7135。其中，陽極7131可以采用氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)薄膜、氧化銦鋅(indiumzinkoxide，izo)薄膜或者其他透明的導電材料形成，優選功函數大于4.0ev的導電材料，厚度可以為5～5000nm。發光層7133可以采用有機材料發光層或者基于量子點的發光層，厚度可以為5～200nm。陰極7135可以采用鋁或者功函數小于4.0ev的其他導電材料，厚度可以為100nm～200nm。

hil7132可以采用有機(例如lg-101及其類似物、p型摻雜的有機空穴傳輸材料等)或無機材料(例如氧化鉬、氧化釩等)制成。htl7134可以采用三苯二胺(tpd)、cbp、npd、聚苯胺、npb等材料制成。etl7136可以采用有機材料、n型摻雜材料、無機納米粒子等材料制成。eil7138可以采用氟化鋰、鋰喹啉(lithiumquinolate)等材料制成。

可選地，hil7112的厚度可以為5～200nm；htl7114的厚度可以為5～200nm；etl7116的厚度可以為5～200nm；eil7118的厚度可以為0.2～50nm。

圖8為圖1中的oled顯示基板的一個像素的另一實施例的放大結構示意圖。在圖8所示實施例中，該像素200包括兩個子像素，分別為第一子像素810和第二子像素820。第一子像素810包括堆疊設置的第一發光單元和第二發光單元，第二子像素820包括第三發光單元。其中，第一發光單元用于發射綠光，第二發光單元用于發射紅光，第三發光單元用于發射藍光。

圖8中，第一子像素810的層級結構可以與圖7b所示的第一子像素710的層級結構相同，第二子像素820的層級結構可以與圖7b所示的第二子像素720的層級結構相同，區別僅在于圖8中的各發光單元中的發光層需要采用所發出的顏色對應的材料制成，其他各層的材料和厚度可以參見第一發光單元211、第二發光單元212和第三發光單元713的相關描述，故在此不再贅述。

由于用于發射綠光和紅光的發光層可以采用發光效率較高的磷光有機發光材料，而用于發射藍光的發光層采用發光效率較低的熒光發光材料，所以可以將用于發射綠光和用于發射紅光的發光單元設置在同一子像素中，從而可以避免兩個子像素發出的光的亮度的差距過大，提高顯示面板的顯示效果。

需要說明的是，在圖所示實施例中，各個子像素均為矩形，在具體實現中，對于不同的顯示裝置，可以設置不同形狀的子像素，例如正六邊形、扇形等，以滿足不同的設計要求。

本發明實施例還提供了一種oled顯示裝置，該oled顯示裝置包括圖1所示的oled顯示基板100。在具體實施時，本發明實施例提供的oled顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。

一方面，在相同的分辨率的前提下，oled顯示基板上每個像素中包括兩個子像素時，每個像素中的子像素的數量減少，子像素對應的驅動結構可以減少，驅動結構的占用面積也相應減小，每個子像素的發光面積可以增大，從而可以提高oled顯示基板的像素的開口率；另一方面，在oled顯示基板的每個子像素的大小與現有的顯示基板的子像素的大小相同的情況下，將oled顯示基板上每個像素設置為包括兩個子像素，每個像素的面積減小，從而可以提高oled顯示基板的分辨率。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。